英特爾、三星服務(wù)器DRAM市場(chǎng)再掀激戰

　　全球半導體龍頭英特爾(Intel)推出3D XPoint技術(shù)，睽違31年再度揮軍DRAM市場(chǎng)。英特爾并非著(zhù)手制造DRAM，而是以結合DRAM和NAND Flash的次世代記憶體，攻略服務(wù)器用DRAM市場(chǎng)。

　　而三星電子(Samsung Electronics)自DDR4之后，加速研發(fā)新DRAM，特別關(guān)注英特爾的舉動(dòng)。全球半導體市場(chǎng)前兩名企業(yè)的技術(shù)競爭，吸引業(yè)界目光。

　　據ET News報導，英特爾在開(kāi)發(fā)者大會(huì )IDF 2015公開(kāi)了部分采3D XPoint的產(chǎn)品策略，然并未發(fā)表詳細的產(chǎn)品規格或上市日程。英特爾預告除固態(tài)硬碟(SSD)外，也將推出服務(wù)器用雙列直插式記憶體模組(DIMM)，對NAND Flash和DRAM市場(chǎng)都將帶來(lái)影響。

　　3D XPoint為全新非揮發(fā)性記憶體，英特爾稱(chēng)其為1989年推出NAND Flash以來(lái)的第一個(gè)新記憶體類(lèi)別。3D XPoint結構與3D NAND技術(shù)近似，但不像NAND Flash將資訊儲存在元件，而是儲存在架構中字組線(xiàn)和位元線(xiàn)的交叉點(diǎn)上，系統得以單獨存取每個(gè)儲存單元。

　　英特爾資料中心事業(yè)群總經(jīng)理Diane Bryant強調，采3D XPoint的服務(wù)器DIMM將成為首度在主要記憶體上采用非揮發(fā)性記憶體的案例。這將帶動(dòng)服務(wù)器用記憶體的變化。

　　SSD將取代部分服務(wù)器DRAM，英特爾和DRAM制造廠(chǎng)三星、SK海力士(SK Hynix)等將掀地盤(pán)保衛戰。雖然無(wú)法取代整體服務(wù)器DRAM，但英特爾計劃改變現有服務(wù)器設計，并將可替代的領(lǐng)域拓展到最大。

　　英特爾發(fā)表了與美光(Micron)共同研發(fā)的次世代記憶體技術(shù)3D XPoint后，在IDF 2015中公開(kāi)表示正在研發(fā)采用該技術(shù)的服務(wù)器用DIMM和SSD。英特爾采用3D XPoint技術(shù)的新SSD品牌為Optane，較傳統NAND Flash的資訊接收速度快1,000倍，耐久性也提升1,000倍。

　　英特爾示范比較了SSD DC P3700系列和Optane SSD概念產(chǎn)品的性能，當DC P3700系列的IOPS(Input/Output Operations Per Second)為3.49萬(wàn)時(shí)，Optane概念產(chǎn)品的IOPS為46.18萬(wàn)，說(shuō)明Optane的資訊處理量多了5~7倍。

　　英特爾也計劃推出基于3D XPoint的服務(wù)器DIMM模組，主要用在講究資訊處理功能的資訊中心服務(wù)器或工作站。英特爾發(fā)表正在研發(fā)服務(wù)器用DIMM的消息后，意味著(zhù)也將為DRAM市場(chǎng)帶來(lái)變化。三星和SK海力士都相當關(guān)注英特爾后續的動(dòng)作。

　　在DRAM市場(chǎng)上分居第一、二名的三星和SK海力士，繼DDR4之后，加速研發(fā)次世代DRAM。

　　將最先登場(chǎng)的記憶體將會(huì )是圖形芯片和高性能電腦(HPC)用DRAM，高頻寬記憶體(HBM)。該產(chǎn)品采直通矽穿孔技術(shù)(TSV)，三星和SK海力士都有少量生產(chǎn)，自2016年初將正式投入量產(chǎn)。

　　三星記憶體事業(yè)部首席工程師尹河龍(音譯)表示，2016年初正式量產(chǎn)HBM，2017年朝網(wǎng)路領(lǐng)域拓展市場(chǎng)等，將發(fā)掘新市場(chǎng)。