大陸發(fā)展DRAM策略，整合最快3~7年

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國發(fā)展DRAM策略方案已呼之欲出，技術(shù)來(lái)源、研發(fā)團隊與IP智財是關(guān)鍵亦是挑戰，預計相關(guān)軟硬體的整合最快需要3~7年。

　　自2014年10月14日中國工信部宣布國家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金(中國簡(jiǎn)稱(chēng)大基金)成立，挾帶著(zhù)1,300億人民幣基金，中國政府正有計畫(huà)的向全世界吸納可用資源，展開(kāi)并購計畫(huà)與策略結盟。中國工信部電子信息司司長(cháng)丁文武主導的半導體小組，對于中國DRAM未來(lái)的發(fā)展已有明確的方向，同時(shí)遴選了半導體相關(guān)的頂尖業(yè)界人士擔當評審委員，跳脫傳統的政治評估，各地方政府擁有的技術(shù)、人力、財力及資源才是入選的重要考量點(diǎn)。

　　DRAMeXchange表示，中國DRAM研發(fā)與發(fā)展團隊正式成軍，將牽動(dòng)著(zhù)中國半導體相關(guān)公司間的策略結盟與高層異動(dòng)，也帶動(dòng)具群聚效應的半導體業(yè)者往中國靠攏。目前已經(jīng)呼之欲出的方案，是以既有的半導體基地、公司為發(fā)展基礎，結合中國具相關(guān)經(jīng)驗的高階干部，結盟相關(guān)中國半導體公司與IC設計公司。而與三大DRAM廠(chǎng)洽談合作機會(huì )的方針也持續進(jìn)行中。

　　DRAMeXchange表示，中國政府挾帶豐沛資金與廣大市場(chǎng)宣示進(jìn)軍全球半導體產(chǎn)業(yè)，DRAM產(chǎn)業(yè)將是中國進(jìn)入半導體的重要目標;但業(yè)界先進(jìn)如三星、SK海力士與美光在DRAM業(yè)界耕耘已久，眾多的IP智財亦形成了門(mén)檻極高的競爭壁壘。由于缺乏DRAM三大陣營(yíng)的技術(shù)來(lái)源與相關(guān)生產(chǎn)經(jīng)驗，藉由并購并取得IP成了中國進(jìn)軍DRAM領(lǐng)域最快的敲門(mén)磚。去年的英特爾與展訊的模式就是一例，一者提供技術(shù)支援、一者在中國本土市場(chǎng)有先占優(yōu)勢，互相合作可望帶來(lái)加乘效果。今年6月11日，中國武岳峰資本以每股21美元，高于另家美國半導體公司賽普拉斯的原先報價(jià)20.25美元奪回美國上市的芯成半導體，亦可看出中國政府對于取得IP智財提升DRAM領(lǐng)域技術(shù)競爭力的重要性。

　　至于擁有豐富半導體經(jīng)驗與技術(shù)的臺灣，也是中國爭取合作的對象，各省市負責高層頻頻來(lái)臺親自拜會(huì )相關(guān)公司，看中的就是臺灣在全球的研發(fā)團隊在研發(fā)實(shí)力與國際接軌能力，更不排除從臺灣等地招募有經(jīng)驗的DRAM團隊。

　　DRAMeXchange表示，發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)是中國既定的政策，能否找到技術(shù)合作的伙伴、有豐富經(jīng)驗的團隊與IP智財的取得，將是未來(lái)中國半導體計畫(huà)能否成功，甚至加速量產(chǎn)的關(guān)鍵。不同于NAND Flash產(chǎn)品，即使品質(zhì)不好亦有低階產(chǎn)品可以使用，DRAM產(chǎn)品不論容量大小都不容許任何錯誤，如果技術(shù)到位，中國將先切入技術(shù)較容易的標準型記憶體與利基型記憶體，再進(jìn)軍近年成長(cháng)快速的Mobile DRAM，軟硬體的整合預估最快需要3~7年，初期首重中國內需市場(chǎng)，并以全球市場(chǎng)為目標推進(jìn)。