臺積電公布16納米與10納米制程計劃

　　10納米制程節點(diǎn)

　　臺積電的16納米制程技術(shù)預定今年夏天量產(chǎn)，該公司也公布了眾所矚目的10納米制程計畫(huà);10納米制程的邏輯閘密度會(huì )是16納米制程的2.1倍，速度提升 20%，功耗則降低40%。臺積電展示了采用10納米節點(diǎn)的256MByte容量SRAM，預計10納米節點(diǎn)將在2016年底開(kāi)始生產(chǎn)，并透露有10家以 上的夥伴正進(jìn)行不同階段的設計。

　　“我們認為10納米將會(huì )是持久技術(shù)節點(diǎn)，臺積電也將加速10納米制程進(jìn)度，我認為這對產(chǎn)業(yè)界來(lái)說(shuō)是一個(gè)很不錯的征兆;”Jones表示：“隨著(zhù)10納米節點(diǎn)加速進(jìn)展──他們可能最后會(huì )邁向8納米節點(diǎn)──臺積電將拉近與英特爾(Intel)的差距，我認為臺積電運勢正好?！?/p>

　　Jone指出，臺積電已經(jīng)在16納米以及10納米技術(shù)投資115億至120億美元，這意味著(zhù)該公司必須要有客戶(hù)到位;為了強化10納米制程的承諾，臺積電將在2016年第二季進(jìn)行一座新晶圓廠(chǎng)的10納米制程設備裝機，并將在本季在一座現有晶圓廠(chǎng)移入10納米設備。

　　英特爾將會(huì )是臺積電在10納米制程節點(diǎn)的主要競爭者，前者預期在接下來(lái)10~18個(gè)月量產(chǎn)10納米制程;而兩者之間的競爭重點(diǎn)或許不在于量產(chǎn)時(shí)程，而是英特 爾的設計實(shí)力以及制造技術(shù)方面的問(wèn)題?！斑€不清楚誰(shuí)會(huì )在16/14納米制程領(lǐng)先，但我認為臺積電正積極嘗試在10納米節點(diǎn)超前;”Jone表示：“如果真是如此，臺積電追上了英特爾，屆時(shí)就要看臺積電的10納米與英特爾的10納米是否相同?！?/p>