DDR4能否引領(lǐng)新一輪存儲變革？

　　臺灣的DRAM產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)是臺灣科技界指標性產(chǎn)業(yè)，但近幾年DRAM的供需市場(chǎng)產(chǎn)生很大的變化。動(dòng)態(tài)隨機存取內存(Dynamic Random-Access Memory，DRAM)是常見(jiàn)的內存組件。固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )(JEDEC)于2012年9月正式公布最新的DDR DRAM標準，DDR4(第四代DDR DRAM)。距上一代DDR DRAM，也就是DDR3的發(fā)表，已有5年之久。對于產(chǎn)品日新月異，瞬息萬(wàn)變的科技業(yè)而言，5年是非常久的時(shí)間。

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　　標準DDR4模塊展示(圖片來(lái)源：www.techradar.com)

　　文/徐文芝

　　臺灣的DRAM產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)是臺灣科技界指標性產(chǎn)業(yè)，但近幾年DRAM的供需市場(chǎng)產(chǎn)生很大的變化。

　　2013年美光(Micron Technology Group)并購日本內存大廠(chǎng)爾必達(Elpida)后，全球DRAM生產(chǎn)幾乎由前三大公司：三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)以及美光所霸占，僥幸存活的少數廠(chǎng)商只能轉而幫其他大廠(chǎng)代工，或是改為生產(chǎn)具有市場(chǎng)利基的產(chǎn)品。如今行動(dòng)裝置與物聯(lián)網(wǎng)重新帶動(dòng)DRAM市場(chǎng)需求，朝向更小、更省電的方向邁進(jìn)，若能掌握這股新趨勢，未來(lái)臺灣廠(chǎng)商在內存產(chǎn)業(yè)還是大有可為。

　　動(dòng)態(tài)隨機存取內存(Dynamic Random-Access Memory，DRAM)是常見(jiàn)的內存組件。在處理器相關(guān)運作中，DRAM經(jīng)常被用來(lái)當作數據與程序的主要暫存空間。相對于硬盤(pán)或是閃存(Flash Memory)，DRAM具有訪(fǎng)問(wèn)速度快、體積小、密度高等綜合優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛的使用在各式各樣現代的科技產(chǎn)品中，例如計算機、手機、游戲機、影音播放器等等。

　　自1970年英特爾(Intel)發(fā)表最早的商用DRAM芯片-Intel 1103開(kāi)始，隨著(zhù)半導體技術(shù)的進(jìn)步與科技產(chǎn)品的演進(jìn)，DRAM標準也從異步的DIP、EDO DRAM、同步的SDRM(Synchronous DRAM)、進(jìn)展到上下緣皆可觸發(fā)的DDR DRAM(Double-Data Rate DRAM)。

　　每一代新的標準，目的不外乎是針對前一代做以下的改進(jìn)：?jiǎn)挝幻娣e可容納更多的內存、數據傳輸的速度更快、以及更少的耗電量。更小、更快、更省電，是半導體產(chǎn)業(yè)永不停息的追求目標，當然DRAM也不例外。

　　固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )(JEDEC)于2012年9月正式公布最新的DDR DRAM標準，DDR4(第四代DDR DRAM)。距上一代DDR DRAM，也就是DDR3的發(fā)表，已有5年之久。

　　對于產(chǎn)品日新月異，瞬息萬(wàn)變的科技業(yè)而言，5年是非常久的時(shí)間。2007年6月第一代iPhone問(wèn)世，同年DRAM產(chǎn)業(yè)宣布DDR3時(shí)代來(lái)臨;到了2012年，iPhone都已經(jīng)推進(jìn)到iPhone5了，DRAM才正式進(jìn)入DDR4，相比之下DRAM的進(jìn)步不得不說(shuō)相當緩慢。

　　隨著(zhù)行動(dòng)裝置的盛行，個(gè)人計算機市場(chǎng)逐漸式微，加上缺乏可以刺激消費者積極更新設備的應用程序，這些因素都降低了大眾對新一代DRAM標準的渴望。

　　即使新標準看起來(lái)有更多優(yōu)點(diǎn)，但無(wú)法激起消費者的購買(mǎi)欲望，就沒(méi)有市場(chǎng)，新一代DRAM的需求若不顯著(zhù)，DRAM廠(chǎng)對于投入資金研發(fā)新技術(shù)的意愿就顯得意興闌珊，新標準的制定也就不那么急迫了。

　　DDR4 PK DDR3

　　即使緩步前進(jìn)，DDR4終究還是來(lái)到大家的面前。新的標準必定帶來(lái)新的氣象，讓我們來(lái)看看DDR4與DDR3有什么不同之處：

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　　圖二：DDR4標準與DDR3標準簡(jiǎn)單對照表(數據源：http://www.micron.com/products/dram/ddr3-to-ddr4)

　　儲存容量：?jiǎn)我坏腄DR4芯片擁有比DDR3多一倍的儲存空間，而每個(gè)DDR4模塊(module)最多可搭載8個(gè)DDR4芯片，比DDR3多一倍。也就是說(shuō)，DDR4模塊的最大容量比DDR3多4倍。主板上相同的位置，DDR4可容納更大的內存容量;換個(gè)角度來(lái)說(shuō)，在容量需求不變的情況下，DDR4所需的空間比DDR3要小。

　　傳輸速度：DDR3的傳輸速度從800MHz(MHz=每秒百萬(wàn)次)到2188MHz不等;而DDR4的傳輸速度從2188MHz起跳，目前的規格定義到3200MHz，將來(lái)可望達到4266MHz。