不僅僅是臺積電 英特爾新工藝進(jìn)展緩慢
半導體工藝邁過(guò)20nm大關(guān)之后,各大巨頭似乎都被1Xnm工藝忙得焦頭爛額。前有臺積電16nm連續跳票、第三季度才能量產(chǎn),后有三星14nm FinFET工藝克服此前問(wèn)題剛剛上道。而近日在半導體工藝遙遙領(lǐng)先的英特爾也有些力不從心,Intel CEO科再奇近日的談話(huà)暗示,英特爾10nm‘還在繼續研究,尚未確立時(shí)間表’。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/268506.htm據悉,如果按照原先的Tick-Tock發(fā)展模式,后續進(jìn)展順利的話(huà),Intel應該在2016年底推出10nm工藝新品,據說(shuō)代號為“Cannonlake”,取代這兩年的14nm Broadwell/Skylake,但情況極為不樂(lè )觀(guān)。而根據科柯再奇近日的公開(kāi)談話(huà)暗示,意味著(zhù)10nm新品2016年底面世的可能性不大。
半導體工藝老大英特爾進(jìn)展緩慢,緊隨的小弟更是如此。近來(lái)關(guān)于臺積電16nm Fin FET工藝進(jìn)展不順的風(fēng)言風(fēng)語(yǔ)很多,比如說(shuō)設備安裝推遲到下半年,大規模量產(chǎn)可能得等明年了,迫使高通、蘋(píng)果兩大客戶(hù)紛紛投靠三星14nm Fin FET。

英特爾先進(jìn)工藝進(jìn)展緩慢
在近日的投資者大會(huì )上,臺積電董事長(cháng)張忠謀也承認,2015年的Fin FET技術(shù)市場(chǎng)上,臺積電將會(huì )輸給三星,但在2017-2018年,臺積電將會(huì )實(shí)現反超。他同時(shí)披露說(shuō),已經(jīng)有50多名客戶(hù)利用臺積電16nm Fin FET工藝完成了新品流片工作,大多數會(huì )在2015年第三季度投入量產(chǎn),新工藝也將在第四季度貢獻5-10%的收入。
這基本就表明了,2015年中量產(chǎn)已經(jīng)不可能,而從收入比例上看,所謂的第三季度量產(chǎn)也僅僅是個(gè)開(kāi)始,真正成熟最快也得今年底,和此前的推測基本相符。
看來(lái)不僅僅GPU制造工藝進(jìn)展緩慢,連英特爾的CPU工藝也開(kāi)始逐漸放緩了。由于芯片制造工藝的拖延放緩,恐怕提高處理器性能的唯一手段就是從架構上面改善了。畢竟工藝只是一個(gè)代工過(guò)程,架構設計的好才是真材實(shí)料。
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