從Si功率模塊到SiC基板，中國企業(yè)垂青功率半導體

　　隨著(zhù)節能技術(shù)的重要性與日俱增，日本以外的亞洲企業(yè)也開(kāi)始致力于節能技術(shù)的核心部件功率半導體業(yè)務(wù)。這些企業(yè)目前主要是從外部采購S(chǎng)i功率MOSFET和IGBT，作為功率模塊封裝銷(xiāo)售。其中規模比較大的是中國嘉興斯達半導體有限公司(圖A-1)。該公司2012年的銷(xiāo)售額約為5000萬(wàn)美元，2013年提高到了6000萬(wàn)美元左右。

　　圖A-1：亞洲企業(yè)也開(kāi)始致力于功率半導體業(yè)務(wù)

　　日本以外的亞洲企業(yè)也開(kāi)始致力于功率半導體業(yè)務(wù)。目前主要從事Si功率模塊的后工序(封裝)。部分企業(yè)也開(kāi)始生產(chǎn)(前工序)Si功率元件。另外對SiC也非常關(guān)注，已開(kāi)始銷(xiāo)售基板。

　　斯達半導體主要銷(xiāo)售耐壓為600～1700V的功率模塊，目前正在研發(fā)3.3kV以上的模塊。在工業(yè)用逆變器裝置、UPS、風(fēng)力發(fā)電系統和光伏發(fā)電系統、鐵路等領(lǐng)域擁有客戶(hù)。其中大部分為中國廠(chǎng)商，在中國市場(chǎng)上提升了份額。據斯達半導體介紹，2011年至2012年，該公司市場(chǎng)份額提高了約2倍，達到4.6%。

　　中國宏微科技有限公司與斯達半導體一樣，作為中國的功率模塊廠(chǎng)商“在行業(yè)也比較有名氣”(某功率半導體技術(shù)人員)。宏微科技自主制造功率MOSFET，并將其組裝成模塊進(jìn)行銷(xiāo)售。目前IGBT是從外部企業(yè)采購，不過(guò)該公司計劃“將來(lái)IGBT也自主生產(chǎn)”。

　　以電視和空調等使用的整流器為主要業(yè)務(wù)的臺灣HY Electronic公司最近開(kāi)始致力于IGBT模塊業(yè)務(wù)。計劃銷(xiāo)售耐壓為1200V的產(chǎn)品。

　　此外，還出現了其他從事SiC業(yè)務(wù)的亞洲企業(yè)。SiC基板方面，北京天科合達藍光半導體有限公司、中國天岳晶體材料有限公司(SICC)、韓國SKC公司已經(jīng)實(shí)現產(chǎn)品化。雖然“品質(zhì)還趕不上歐美和日本企業(yè)”(功率半導體技術(shù)人員)，但特點(diǎn)是價(jià)格低?？趶揭策_到了4英寸，并已開(kāi)始著(zhù)手開(kāi)發(fā)口徑6英寸的產(chǎn)品。

　　隨著(zhù)以低成本為武器的新興企業(yè)出現，率先開(kāi)展業(yè)務(wù)的功率半導體廠(chǎng)商推出了能提高生產(chǎn)效率和客戶(hù)易用性的產(chǎn)品與之抗衡。例如，行業(yè)排名居首的德國英飛凌科技在功率元件的制造中開(kāi)始利用比普通的200mm Si基板大的300mm基板(圖A-2)。目的是提高生產(chǎn)效率。該公司2013年開(kāi)始在德累斯頓工廠(chǎng)的300mm生產(chǎn)線(xiàn)上量產(chǎn)超結構造的MOSFET。2015年還預定在這條生產(chǎn)線(xiàn)上制造工業(yè)用IGBT。

　　圖A-2：打算提高生產(chǎn)效率和客戶(hù)的易用性

　　英飛凌致力于利用口徑300mm的晶圓(基板)量產(chǎn)Si功率元件(a)。因為與普通的200mm晶圓相比，能提高生產(chǎn)效率，削減成本。另外，還擴充了通過(guò)提前在功率模塊上涂布“TIM”熱傳導材料，提高了用戶(hù)易用性的產(chǎn)品(b)。((b)由英飛凌提供)

　　另外，英飛凌還在開(kāi)發(fā)提高了用戶(hù)易用性的功率模塊。這是一種提前在模塊上涂布了接合功率模塊和散熱片的熱傳導材料“TIM”的產(chǎn)品。這樣能省去涂布TIM的時(shí)間，以海外企業(yè)為中心，要求供貨TIM模塊的客戶(hù)越來(lái)越多，對此，英飛凌還預定逐步增加TIM模塊產(chǎn)品線(xiàn)。