英特爾14nm八核處理器曝光，要斷誰(shuí)的生路？

　　九月份的IDF峰會(huì )上，Intel正式宣布了“Xeon D”，也就是此前代號Broadwell-DE、面向微型服務(wù)器、嵌入式通信與存儲市場(chǎng)的第三代產(chǎn)品，將取代此前的Atom S1200/C2000。

　　Xeon D自然也是14nm工藝產(chǎn)物，它會(huì )是一個(gè)很大的單芯片SoC，身材和功耗更小，而且最多八個(gè)CPU核心，同時(shí)支持DDR3/DDR4 ECC。

　　這可要比消費領(lǐng)域Broadwell的雙芯片、最多四核心、僅支持DDR3要強太多了。

　　而除了TXT、AVX2、TSX指令集，VT-x、VT-d虛擬化這些常規技術(shù)，它還會(huì )額外支持內存RAS特性，并且有大量的I/O接口。

　　Xeon D將在2015年上半年發(fā)布，但是第二季度首發(fā)的只有一款高端八核，熱設計功耗45W，網(wǎng)絡(luò )功能受限而僅面向微型服務(wù)器。

　　全面爆發(fā)還得等第三季度，其中用于微型服務(wù)器的有八核、六核、四核三款型號，熱設計功耗都是45W。

　　嵌入式領(lǐng)域的則有八核45/35W、六核35W、四核35/25W，以及兩款雙核，其一25W，其二不到20W，不過(guò)后者會(huì )劃入奔騰序列。

　　如果這一切能出現在明年的筆記本里該多好啊……