三星業(yè)內首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存
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全球先進(jìn)半導體技術(shù)領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤(pán)的業(yè)內首個(gè)3bit MLC 3D V-NAND閃存。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/263678.htm三星電子存儲芯片營(yíng)銷(xiāo)部門(mén)負責人韓宰洙高級副總裁表示：“通過(guò)推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線(xiàn)，我們相信3bit V-NAND將會(huì )加快數據存儲設備從傳統硬盤(pán)向固態(tài)硬盤(pán)的轉換。固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品的多樣化，將加強三星產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭力，進(jìn)一步推動(dòng)三星固態(tài)硬盤(pán)業(yè)務(wù)的發(fā)展?！?/p>
3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術(shù)的最新產(chǎn)品，每片閃存芯片由32層垂直堆疊的存儲單元組成，單片閃存的存儲容量可達128Gb。利用三星獨有的3D電荷捕獲型柵極存儲單元結構技術(shù)(3D Charge Trap Flash),各個(gè)存儲單元把電荷存儲在絕緣體中，并通過(guò)存儲單元陣列一層接一層地向上垂直堆疊，制造出含有數十億個(gè)存儲單元的芯片。
該款產(chǎn)品單個(gè)存儲單元容量為3bit，每片芯片存儲單元陣列垂直堆疊32層，因而大大提高了生產(chǎn)效率。與三星的10納米級3bit平面閃存相比，新推出的3bit V-NAND立體閃存的晶圓生產(chǎn)效率提高了一倍以上。
三星于2013年8月推出了第一代24層V-NAND閃存，并在今年5月宣布了第二代32層V-NAND存儲單元陣列結構。而本月量產(chǎn)3bit 32層V-NAND閃存，則標志著(zhù)三星正在通過(guò)加速V-NAND量產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展引領(lǐng)著(zhù)3D存儲芯片的新紀元。
自2012年首次推出基于3bit平面閃存的固態(tài)硬盤(pán)之后，三星已經(jīng)證明了市場(chǎng)對高密度3bit閃存固態(tài)硬盤(pán)的廣泛需求。此次推出的業(yè)內首款3bit 3D V-NAND閃存預計將大大拓展市場(chǎng)對V-NAND閃存的采納，使基于V-NAND的固態(tài)硬盤(pán)在有效解決大多數服務(wù)器廠(chǎng)商對高耐久性存儲設備的需求的同時(shí)，將應用范圍擴大到一般個(gè)人電腦用戶(hù)。
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