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靜電防護和多層壓敏電阻

作者: 時(shí)間:2008-11-05 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/258610.htm  正如圖4所示波形,有以下幾個(gè)特點(diǎn)。

  1)發(fā)生的時(shí)間特別短,在0.7~1ns之間。

  2)雖然總體能量不大,但是瞬間電壓的峰值特別大,到了千伏甚至幾十千伏量級。如果考慮到防護的對象主要對IC電路,即對工作電壓低,傳輸頻率高和較窄管腳布線(xiàn)的保護,還要求保護器件具有特點(diǎn):

  3)低的擊穿電壓。

  4)極低電容。

  下圖是Littlefuse對被保護設備傳輸頻率與保護器件電容的一個(gè)關(guān)系圖。

  其中圖的頂端橫軸顯示的是傳輸頻率,單位是Mbps/s,縱軸顯示的是Littlefuse的器件。查對Litttlefuse相應的產(chǎn)品可知,電容為3pF的保護器件能用在傳輸頻率是400Mbps的傳輸頻率保護上。而超過(guò)480Mbps,就只能用電容小于1pF的保護器件了,否則,保護器件就對高頻傳輸信號有較大的損耗,使傳輸波形失真。

  符合靜電防護的器件通常有多層壓敏(MLV),TVS二極管兩種。其中TVS二極管因為較大的結面積使能承受較大的沖擊能量,但是因為封裝尺寸較大,價(jià)格較高等因素,使得TVS二極管并不比MLV更占優(yōu)勢,同時(shí)因為T(mén)VS二極管的電容很難做到1pF以下,從而在480Mbps以上的頻率應用上并不合適。而多層壓敏因為以下特點(diǎn)使得特別適合靜電保護。

  1)極快反應時(shí)間,通常小于1ns.

  2)小尺寸,現在村田公司和松下公司已經(jīng)有了0201的產(chǎn)品。

  3)極高的能量處理能力。因為采用疊層技術(shù),使得通流能力大大加強。

  4)極低的價(jià)格。

  5)低的觸發(fā)動(dòng)作電壓,最小的保護不動(dòng)作電壓已經(jīng)到了3V的量級。

  6)雙向導通功能,因為瞬間的電壓可能是正電壓,也可能是負電壓。

  下圖是Littlefuse的3pF的MLV在USB接口保護中的一個(gè)典型應用實(shí)例。通用于一般的過(guò)電壓保護器件,MLV的用法相當簡(jiǎn)單,只要把MLV并聯(lián)在被保護的設備兩端即可,在本例中,在每根數據線(xiàn)上并聯(lián)一個(gè)MLV完成對USB接口的保護。

圖6:MLV在USB防護中的應用實(shí)例


  5.MLV技術(shù)特點(diǎn)和種類(lèi)

  多層壓敏的技術(shù)并不是什么新技術(shù),實(shí)際上最早在20世紀70年代后期,美國電腦電氣公司率先采用類(lèi)似獨石陶瓷電容器生產(chǎn)工藝制成了疊層壓敏電阻器。這種技術(shù)跟市場(chǎng)上流行的多層電容的技術(shù)是一致的,因為采用了疊層技術(shù),所以使得MLV的通流能力大大加強。下圖是一個(gè)多層壓敏電阻結構示意圖和的金相圖。

圖7:多層壓敏電阻結構示意圖和金相圖多層壓敏電阻


  從參數設定上非常簡(jiǎn)單,從上圖可以看出,多層壓敏電阻相當于很多單層的壓敏電阻并聯(lián)在一起,所以對同一種材料來(lái)說(shuō),擊穿電壓就由單層的厚度決定,而電容則是跟疊層數直接成正比。如果要得到小的電容值,一個(gè)是減少層數,還有一個(gè)就是把單層的厚度變小,所以擊穿電壓就勢必變大。

  多層壓敏電阻的工作原理相同于普通插腳式的壓敏電阻,其IV曲線(xiàn)如下圖所示。

圖8:壓敏電阻的IV曲線(xiàn)圖


  正是因為壓敏電阻的這種IV非線(xiàn)性特征,使得壓敏電阻在外加電壓升高到某個(gè)值時(shí),變成低阻狀態(tài),從而保護設備免受過(guò)電壓的損害。但是也應該看到,這種多層結構目前能達到的最低電容通常是2pF的量級,比如Littlefuse的MLN、MLA等系列產(chǎn)品,而另外一類(lèi)產(chǎn)品,也稱(chēng)為MLV系列,比如BournsMLC系列產(chǎn)品。實(shí)際上這種產(chǎn)品和Litttlefuse的Pulseguard產(chǎn)品一樣,是基于在某種基底材料上(比如Littlefuse用聚合物,而B(niǎo)ourns用陶瓷材料)沉積某種靜電吸收材料,因為沉積材料的體積大幅度減小,從而使得電容值小于1pF.比如Bourns的MLC系列可以達到0.5pF,而Littlefuse的Pulseguard材料更是號稱(chēng)能達到0.025pF9,10,11.除了上面提到的兩大類(lèi)MLV靜電防護器件,MLV防護器件還向集成化發(fā)展,做成多個(gè)MLV陣列的形式是最普通的集成方式,比如Epcos系列,就是把四個(gè)獨立的MLV集成在一個(gè)器件上,同時(shí)進(jìn)行4線(xiàn)保護。Litttlfuse的SP系列,最多能進(jìn)行18個(gè)器件的集成。除了同類(lèi)MLV器件的集成,還有的公司把其他的一些功能元件與MLV集成在一起,漸漸成為了本行業(yè)的技術(shù)發(fā)展趨勢。比如AVX公司把MLV與濾波器集成在一起做成TransFeed系列產(chǎn)品,還有的公司把MLV與多層壓敏電阻集成在一起。EPCOS公司推出了T4NA230XFV集成浪涌抑制器,內含兩只壓敏電阻器和一種短路裝置。該產(chǎn)品用于電信中心局和用戶(hù)線(xiàn)一側的通信設備保護12。

  4.MLV市場(chǎng)和全球競爭態(tài)勢

  多層壓敏電阻器因為其自身的優(yōu)點(diǎn)可以對IC及其它靜電敏感設備進(jìn)行保護,防止因靜電放電、浪涌及其它瞬態(tài)電流而造成對它們的損壞,所以其應用范圍十分廣泛,主要應用領(lǐng)域有三個(gè):手機、汽車(chē)電子和計算機技術(shù)。下表是Paumanok對該應用在2003年的調查結果。

  圖9:多層壓敏電阻的主要應用領(lǐng)域實(shí)際上多層壓敏電阻的應用遠遠不止上面說(shuō)的三種,在數碼相機、MP3、機頂盒、PDA、醫療器械、GPS導航系統和衛星發(fā)射接受設備中都有多層壓敏的應用。多層壓敏電阻在中國大陸的需求總量,據Epcos估計在2007年將會(huì )達到1400萬(wàn)歐元。

圖10:Epcos對2007年中國大陸壓敏電阻需求量的估計



  根據無(wú)源器件專(zhuān)業(yè)市場(chǎng)調研公司

  PAUMANOK的調查,在2003年多層壓敏電阻的銷(xiāo)售已經(jīng)達到了75億只的規模。今后幾年全球市場(chǎng)的年增長(cháng)率將保持在15%,而銷(xiāo)售額每年將增長(cháng)11%。雖然多層壓敏電阻的市場(chǎng)需求非常強勁,但是因為技術(shù)門(mén)檻并不高,所以競爭非常激烈。下圖是在2003年參與競爭的國際上重要供應商。

  圖11:多層壓敏電阻供應商在2003年的銷(xiāo)售額在臺灣也有大量的供應商,如下表所示。

  圖12:多層壓敏電阻臺灣地區部分供應商除了以上提到的供應商,在臺灣還有像佳邦、國巨和立昌等也陸續加入了競爭。雖然在國外和臺灣多層壓敏電阻的生產(chǎn)已經(jīng)批量并且技術(shù)成熟,但是在國內大陸,卻剛剛處于起步階段,只有深圳順絡(luò )、廣東風(fēng)華、河南金冠和常州星翰等具有生產(chǎn)能力,從目前的情況看,因為知名度和技術(shù)等原因,國內企業(yè)被市場(chǎng)認可的程度并不高。而據中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )信息中心估計,2004年國內對多層壓敏電阻的需求達到23億只,而到2005年則至少達到26億只的規模,但是我們在2005年國內的生產(chǎn)能力卻只有區區2億只,需求的90%以上依靠進(jìn)口13,巨大的需求和遠遠落后的生產(chǎn)能力形成巨大的反差,這一差距隨著(zhù)電子工業(yè)的快速增長(cháng)而加大。國內發(fā)展多層壓敏電阻的任務(wù)任重而道遠。

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