國家半導體技術(shù)工程化 研究平臺落戶(hù)廊坊

　　6月19日，國家發(fā)改委文件批復，同意中國科學(xué)院半導體技術(shù)工程化研究平臺建設項目的可行性研究報告，批準項目建設地點(diǎn)為廊坊市經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區科技谷園區，可進(jìn)入項目設計和實(shí)施階段，三年內完成建設。

　　半導體技術(shù)工程化研究平臺項目總建筑面積24343平方米，總投資13540萬(wàn)元，其中國家安排投資6600萬(wàn)元。建設內容包括半導體材料工程化平臺、光電子器件工程化平臺、半導體集成技術(shù)公共研發(fā)平臺、半導體芯片及系統工程化平臺等試驗和研究平臺及相關(guān)輔助設施的建設。

　　半導體技術(shù)工程化研究平臺建成后，將為國家提供急需的高性能半導體材料、光電器件、光電系統等先進(jìn)工程化技術(shù)，推動(dòng)我國在半導體優(yōu)質(zhì)材料、半導體傳感器、半導體激光器、半導體照明、高頻高速器件和電路、激光器的系統工程應用、半導體自旋電子技術(shù)等方面的發(fā)展。同時(shí)，該平臺也將加速相關(guān)技術(shù)的實(shí)用化、產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，為研發(fā)中試成果在廊坊轉化落地提供可靠的技術(shù)保障。