半導體明日之“芯”:華為海思攜國內IC廠(chǎng)商崛起
中國大陸半導體市場(chǎng)規模近4000億元
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/249778.htm全球半導體行業(yè)高景氣周期將持續。同時(shí)國內政策支持力度不斷加大,由過(guò)去單一政策支持轉變?yōu)檎吆唾Y金共同支持,扶持重點(diǎn)將向制造環(huán)節傾斜,利好全產(chǎn)業(yè)鏈。
封測環(huán)節技術(shù)壁壘較低、人力成本要求高,有利于國內企業(yè)在半導體產(chǎn)業(yè)鏈切入。在過(guò)去十多年發(fā)展中,封測環(huán)節一直占據國內集成電路產(chǎn)業(yè)主導,不過(guò)主要被海外IDM廠(chǎng)商的封測廠(chǎng)占據。目前A股封測上市企業(yè)已完成先進(jìn)封裝技術(shù)布局。IC設計領(lǐng)域,在政策支持和終端市場(chǎng)需求強勁的推動(dòng)下,是半導體產(chǎn)業(yè)鏈上發(fā)展最快的一環(huán)。晶圓制造環(huán)節具有極高的資本壁壘和技術(shù)壁壘,盈利能力豐厚。過(guò)去國內晶圓制造環(huán)節發(fā)展嚴重滯后,直接影響國內半導體全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。未來(lái),國家將加大對晶圓制造環(huán)節的政策和資金支持力度。

國家集成電路扶持基金資金投向預測
半導體種類(lèi)非常多 行業(yè)高景氣延續
半導體行業(yè)是現代科技的象征。伴隨著(zhù)近幾十年現代科技行業(yè)的日新月異,以集成電路(IC)為主的半導體行業(yè)市場(chǎng)規模不斷增長(cháng),并成為全球經(jīng)濟的重要支柱。據世界貿易半導體協(xié)會(huì )(WSTS)統計,2013年全球半導體行業(yè)市場(chǎng)規模達到3043億美元,首次突破3000億美元大關(guān),較2012年的2916億美元增長(cháng)4.4%。這也是半導體行業(yè)繼2011年和2012年連續兩年疲軟之后再次恢復正增長(cháng)。
半導體行業(yè)處于整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)鏈的最上游,也是電子行業(yè)中受經(jīng)濟波動(dòng)影響最大的行業(yè)。半導體行業(yè)的產(chǎn)值增速與全球GDP的增長(cháng)速度高度相關(guān),整體周期性較為顯著(zhù)。
半導體行業(yè)產(chǎn)品種類(lèi)繁多,被廣泛運用于各行各業(yè)。產(chǎn)品主要包括集成電路、分立器件、光電子器件和傳感器四個(gè)大類(lèi)。其中,集成電路為整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)核心,可以進(jìn)一步分為微處理器、邏輯IC、存儲器、模擬電路四個(gè)子領(lǐng)域。
2013年全球集成電路、分立器件、光電子器件、傳感器市場(chǎng)規模分別為2507億、182億、275億和80億美元,占比分別為82%、6%、9%和3%。在集成電路行業(yè)中,微處理器、邏輯IC、存儲器、模擬電路市場(chǎng)規模分別為587億、848億、673億和399億美元,分別占半導體行業(yè)的19%、28%、22%和13%。
中國大陸半導體行業(yè)總體起步較晚,基數相對較低。不過(guò),在人力成本優(yōu)勢和政策紅利的雙重推動(dòng)下,海外半導體大廠(chǎng)紛紛來(lái)大陸投資建廠(chǎng),同時(shí)本土廠(chǎng)商快速崛起,中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)呈快速增長(cháng)態(tài)勢。
據中國半導體協(xié)會(huì )(CSIA)統計,2013年中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規模為3974億元,較2012年的3548億元增長(cháng)12%。過(guò)去十年,中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規模年復合增長(cháng)率為19.2%,顯著(zhù)高于全球6.2%的增長(cháng)速度。
隨著(zhù)中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,全球半導體產(chǎn)業(yè)區域結構發(fā)生了巨大變化。中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)過(guò)去五年市場(chǎng)占比大幅提升8個(gè)百分點(diǎn),從2008年的18%上升到了2013年的26%;美國半導體產(chǎn)業(yè)作為全球行業(yè)領(lǐng)軍者,市場(chǎng)占比也不斷提升,過(guò)去五年上升了5個(gè)百分點(diǎn)到20%。日本半導體產(chǎn)業(yè)則呈沒(méi)落態(tài)勢,從2008年的市場(chǎng)占比20%大幅下降到2013年的11%。
半導體作為典型的周期性行業(yè),與全球宏觀(guān)經(jīng)濟基本保持一致。全球最重要的半導體行業(yè)指標,美國費城半導體指數從2008年底的最低167點(diǎn)大幅反彈到現在的接近650點(diǎn),超過(guò)了2007年的高點(diǎn),并在近期屢創(chuàng )新高。臺灣半導體指數近期也上漲到125點(diǎn),超過(guò)了2007年的高點(diǎn),同樣不斷創(chuàng )出歷史新高,進(jìn)一步驗證了全球半導體行業(yè)處于高景氣度。
政策支持力度進(jìn)一步加大
半導體集成電路行業(yè)作為整個(gè)電子信息技術(shù)行業(yè)的基礎,在過(guò)去十多年時(shí)間里一直受到政策支持。而近期受到棱鏡門(mén)事件的刺激,國家更是把集成電路發(fā)展上升到國家安全戰略的高度。
2000年,國務(wù)院出臺18號文《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》,在審批程序、稅收支持、進(jìn)出口等方面給予了集成電路行業(yè)重點(diǎn)扶持。不過(guò),關(guān)于集成電路增值稅優(yōu)惠的政策在2005年后由于美國抗議有違世貿規則而停止執行。
2008年,國家在863計劃、973計劃和《國家中長(cháng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規劃綱要(2006-2020年)》中通過(guò)重大科技專(zhuān)項的方式,對集成電路行業(yè)研究和產(chǎn)業(yè)發(fā)展給予重點(diǎn)支持。其中最重要的是01、02專(zhuān)項,01專(zhuān)項提出到2020年,我國在高端通用芯片、基礎軟件和核心電子器件領(lǐng)域基本形成具有國際競爭力的高新技術(shù)研發(fā)與創(chuàng )新體系;02專(zhuān)項提出在“十二五”期間重點(diǎn)進(jìn)行45-22納米關(guān)鍵制造裝備攻關(guān),開(kāi)發(fā)32-22納米CMOS工藝、90-65納米特色工藝,開(kāi)展20-14納米前瞻性研究,形成65-45納米裝備、材料、工藝配套能力及集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈,進(jìn)一步縮小與世界先進(jìn)水平差距,裝備和材料占國內市場(chǎng)份額分別達到10%和20%,開(kāi)拓國際市場(chǎng)。
2011年,國務(wù)院再次出臺4號文《進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》,在原有18號文的基礎上再次強調了對集成電路行業(yè)的重點(diǎn)支持,提出了從財稅政策、投融資、研究開(kāi)發(fā)、進(jìn)出口、人才政策、知識產(chǎn)權等八個(gè)方面給予集成電路系統性扶持。并修正了原18號文中因外力影響導致的2005年后集成電路行業(yè)優(yōu)惠力度減小,以及原支持力度偏向前道工序(設計、制造)而輕后道工序(封裝測試)。
2012年我國半導體進(jìn)口金額超過(guò)2000億美元,現在每年半導體進(jìn)口金額已經(jīng)超過(guò)石油進(jìn)口金額,提高半導體國產(chǎn)化比例迫在眉睫。
在棱鏡門(mén)事件爆發(fā)之后,在軟件領(lǐng)域提出要去IOE,而在硬件領(lǐng)域也提出了要快速提高國產(chǎn)芯片市場(chǎng)占比。工信部電子司副司長(cháng)彭紅兵表示,國家對半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展高度重視,近期要密集出臺一系列扶持集成電路行業(yè)發(fā)展的政策,并透露了政策扶持的四大方向。具體包括:建立中央和各地方政府扶持政策的協(xié)調長(cháng)效機制;解決長(cháng)期困擾集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的投融資瓶頸問(wèn)題,從資本市場(chǎng)尋找更多資源,用政策引導社會(huì )資金投入;鼓勵創(chuàng )新;加強對外開(kāi)放,鼓勵國內外企業(yè)積極合作,用政策引導提高合作質(zhì)量。
6月24日,工信部正式公布《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》,對集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節給出了明確的發(fā)展目標、重點(diǎn)任務(wù),表明了國家將更加注重我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節的均衡發(fā)展。
集成電路收入方面,《綱要》提出到2015年超3500億元,對應兩年復合增長(cháng)率為18.1%;到2020年集成電路行業(yè)收入復合增長(cháng)率超過(guò)20%,增速進(jìn)一步加快。IC設計領(lǐng)域,2015年接近世界一流水平、2020年達到國際領(lǐng)先水平。晶圓制造環(huán)節,2015年實(shí)現32/28nm量產(chǎn),2020年16/14nm量產(chǎn)。過(guò)去制造環(huán)節是國內集成電路發(fā)展最薄弱環(huán)節,本次《綱要》提出了具體發(fā)展目標有利于產(chǎn)業(yè)鏈的均衡發(fā)展。封裝測試環(huán)節,2015年中高端占30%,2020年達到國際領(lǐng)先水平。
此外,政府開(kāi)始直接在資金層面上給予半導體產(chǎn)業(yè)支持。繼去年年底北京成立規模300億元的集成電路發(fā)展股權基金之后,據接近工信部的手機中國聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)王艷輝透露,國家還將成立總額度達1200億元的集成電路扶持基金,時(shí)間區間為2014年-2017年。按照目前擬定的細則,扶持基金由財政撥款300億元、社?;?50億元、其他450億元組成,國開(kāi)行負責組建基金公司統籌,其中40%投入芯片制造,30%投入芯片設計。
封測環(huán)節最易實(shí)現突破
在半導體產(chǎn)業(yè)鏈上,芯片封裝與測試環(huán)節相對技術(shù)壁壘較低,對人力成本要求較高,國內半導體廠(chǎng)商在這個(gè)環(huán)節最易實(shí)現突破。半導體封裝技術(shù)演進(jìn)上,Bumping、WLCSP和TSV是當前主流先進(jìn)封裝技術(shù),市場(chǎng)前景廣闊。這三項技術(shù)的融合也是未來(lái)向3D SiP封裝發(fā)展的技術(shù)基礎。
半導體產(chǎn)業(yè)作為現代新技術(shù)發(fā)展的基礎,一直處于高科技領(lǐng)域發(fā)展的前沿。從半導體整條產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看,上游IP供應和IC設計兩個(gè)環(huán)節技術(shù)壁壘最高,半導體設備和晶圓制造環(huán)節技術(shù)壁壘次之,封測行業(yè)在產(chǎn)業(yè)鏈上相對最低。IP供應龍頭ARM和Fabless、IC設計龍頭高通每年研發(fā)費用占收入比重分別高達30%和20%;半導體設備龍頭ASML 和Foundry龍頭臺積電每年研發(fā)費用率則分別為11%和8%。而封測龍頭日月光每年的研發(fā)費用占收入比例僅為4%左右。
不過(guò),封測環(huán)節在資本投入上有較高的壁壘,僅低于晶圓制造環(huán)節,需要大量資金投入修建廠(chǎng)房和購買(mǎi)設備。日月光近三年平均資本支出占到公司收入的22.1%。
封測環(huán)節屬于勞動(dòng)力密集型,對人力成本有很高的要求。日月光的直接人工成本占收入的比例為8.9%,較臺積電高1.9個(gè)百分點(diǎn)。員工比例上,日月光制造人員占公司總員工人數的57.2%,遠高于臺積電的41.1%。
綜合來(lái)看,封測環(huán)節技術(shù)壁壘最低,中國廠(chǎng)商最易切入并追趕行業(yè)龍頭企業(yè);人力成本要求高,中國廠(chǎng)商相對于歐美廠(chǎng)商具有巨大的競爭優(yōu)勢;資本壁壘較高,這一點(diǎn)正好符合政府成立產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金,通過(guò)直接的資金支持能夠快速推動(dòng)我國半導體封測產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。
在過(guò)去十年時(shí)間里,我國集成電路產(chǎn)業(yè)中封裝環(huán)節一直占據主導地位,占比始終保持在40%以上的高水平,遠高于全球16%的占比。2013年,全國集成電路封測行業(yè)的市場(chǎng)規模為1099億元,較2012年的1036億元增長(cháng)6.1%。
不過(guò),國內半導體封測企業(yè)數量眾多,行業(yè)集中度不高。并且大的封裝測試企業(yè)以外資半導體廠(chǎng)商為主,在前十中有8家為外資公司,僅英特爾一家市占率就接近20%。內資廠(chǎng)商只有江蘇新潮科技(長(cháng)電科技母公司)和南通華達微電子兩家。
半導體封測技術(shù)的演進(jìn)主要體現在兩個(gè)維度:一是IC的I/O引腳數不斷增多,二是IC的內核面積與封裝面積之比越來(lái)越高。最初的DIP(雙列直插式封裝)芯片封裝技術(shù)I/O引腳數量很少,一般不超過(guò)100個(gè),Intel早期的CPU都采用DIP封裝。而到了BGA(球形觸點(diǎn)陳列)封裝技術(shù)不僅大大增加了芯片的I/O引腳數,可以達到1000個(gè),還提高了引腳之間的間距,能夠提高最終產(chǎn)品生產(chǎn)的良率,Intel集成度很高的CPU Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ都選擇這一技術(shù)。
當芯片制程來(lái)到40nm及以下時(shí),傳統的Wire Bonding和Flip Chip技術(shù)難以實(shí)現芯片與外部的連接。而Copper Bumping技術(shù)則能將原來(lái)100-200um的Pitch降低到50-100um的Pitch,成為了先進(jìn)制程的唯一選擇,也是全球封測大廠(chǎng)必爭之地。
據Yole Developpement預計,2017年全球Copper Bumping市場(chǎng)規模將達到2300萬(wàn)片/年(12英寸晶圓折算),對應2012年不到500萬(wàn)片/年的市場(chǎng)規模年復合增長(cháng)率高達38%,占比將從2012年的37%提升到69%。按12英寸Copper Bumping芯片250美元價(jià)格估計,屆時(shí)市場(chǎng)規模將達近60億美元。
在Copper Bumping領(lǐng)域,全球IDM大廠(chǎng)Intel技術(shù)最為領(lǐng)先,產(chǎn)能近300萬(wàn)片/年,占全球一半以上;專(zhuān)業(yè)代工封測大廠(chǎng)中Amkor技術(shù)優(yōu)勢明顯,基本能夠做到直徑40-50um水平,產(chǎn)能近90萬(wàn)片/年;日月光近兩年產(chǎn)能快速上量。國內封測廠(chǎng)商中長(cháng)電先進(jìn)領(lǐng)跑,年產(chǎn)能約為48萬(wàn)片/年,華天西鈦緊隨其后,預計今年年底產(chǎn)能達6萬(wàn)片/年。
另外,隨著(zhù)芯片體積不斷縮小,對IC封裝的內核面積與封裝面積之比也提出了越來(lái)越高的要求。最初的DIP封裝后產(chǎn)品大約是裸芯片面積的100倍。而后來(lái)提出了CSP 封裝標準,即產(chǎn)品面積不大于裸芯片面積的1.2倍,這樣能夠大大提高PCB上的集成度,減小電子器件的體積和重量。一些較為先進(jìn)的BGA封裝技術(shù)已經(jīng)能夠達到這一標準,IC封裝技術(shù)也開(kāi)始由原來(lái)的平面封裝向2.5D和3D封裝技術(shù)演進(jìn)。在過(guò)去幾年,3D封裝技術(shù)快速演進(jìn),從最初比較單一的圖像傳感器和記憶體逐漸向具有系統性功能的邏輯電路和微處理器發(fā)展。
據Yole Developpement估計,2012年全球3D TSV晶圓產(chǎn)值為39億美元,滲透率僅為1%左右。未來(lái)五年受益于記憶體和邏輯IC對3D TSV技術(shù)的大量應用,預計3D TSV滲透率將從1%左右提高到9%,產(chǎn)值達到近400億美元,年復合增長(cháng)率為58%。
目前長(cháng)電科技、華天科技、晶方科技等國內半導體封測廠(chǎng)商在這些先進(jìn)封裝技術(shù)上都已經(jīng)完成了布局。預計在2013-2014年,這些先進(jìn)封裝技術(shù)開(kāi)始進(jìn)入高速滲透期,市場(chǎng)規??焖偬嵘?。
IC設計領(lǐng)域快速崛起
國內IC設計產(chǎn)業(yè)是半導體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節中增速最快的一個(gè)領(lǐng)域。據中國半導體協(xié)會(huì )統計,2013年國內IC設計市場(chǎng)規模達到809億元,較2004年增長(cháng)近10倍,年復合增長(cháng)率為29%,是國內半導體行業(yè)增速的2.5倍。近幾年在智能機滲透率快速提升的刺激下,國內IC設計領(lǐng)域市場(chǎng)規模更是一路高奏凱歌。
在國內集成電路三個(gè)環(huán)節中,2004年IC設計占比最少僅有15%,市場(chǎng)規模只有制造環(huán)節的45%。不過(guò)經(jīng)過(guò)這十年的高速發(fā)展,2013年IC設計環(huán)節占比已經(jīng)上升到了32%,市場(chǎng)規模比制造環(huán)節高出35%。
在巨大需求刺激和政策的大力支持下,中國本土IC設計廠(chǎng)商快速崛起,甚至對國際大廠(chǎng)直接造成威脅。據IC insights統計,2013年全球前25大Fabless IC設計公司中,中國廠(chǎng)商華為海思和展訊占據兩席。其中華為海思以13.55億美元的銷(xiāo)售額排在第12位,展訊以10.7億美元的營(yíng)收排在行業(yè)第二位,并以48%的同比增速成為增長(cháng)最快的公司。
華為海思已成長(cháng)為一家具備國際競爭力的IC設計廠(chǎng)商。2009年,華為推出K3處理器試水智能手機,這也是國內第一款智能手機處理器。不過(guò),當年華為同MTK一樣押錯了寶,選擇支持WM操作系統。同時(shí),這款處理器性能平平,主要被用在一些山寨智能機上。海思處理器真正為眾人所知是在2012年成功推出海思K3V2,搭載K3V2的華為D1成為世界上第一款發(fā)布的4核手機,躋身頂級智能手機處理器行列。
6月6日,海思成功發(fā)布八核處理器芯片麒麟Kirin920,再次成為手機芯片舞臺的焦點(diǎn)。麒麟Kirin 920內置了4個(gè)Cortex-A15核心和4個(gè)Cortex-A7核心,搭配Mali-T628 的GPU,并且支持LTE Cat 6全球頻段和HIFI音質(zhì)以及2560×1600的分辨率屏。這一配置使得麒麟Kirin 920超越聯(lián)發(fā)科MTK6595,性能水平直指高通驍龍800的水平。配置該芯片的華為手機將于三季度推出,直接與MTK6595正面對決。
根據IC Insights的統計,2013年華為海思實(shí)現銷(xiāo)售收入13.6億美元,較2012年增長(cháng)了15%,近五年年復合增長(cháng)率為24%。隨著(zhù)華為智能終端出貨量的高速增長(cháng)以及海思芯片在內部占比的快速提高,華為海思銷(xiāo)售收入有望迎來(lái)爆發(fā)式增長(cháng)。
展訊和銳迪科是中國本土最優(yōu)秀的兩家IC設計廠(chǎng)商,展訊在TD-SCDMA基帶芯片技術(shù)領(lǐng)先,銳迪科則在射頻IC上有優(yōu)勢。據中國半導體協(xié)會(huì )統計,2012年展訊和銳迪科分別以43.8億元和24.6億元排在中國十大IC設計廠(chǎng)商中第2位和第3位。展訊和銳迪科分別于2007年和2010年在美國納斯達克上市公司。
2013年7月和11月,清華紫光集團分別發(fā)布公告以17.8億美元和9.1億美元收購展訊和銳迪科。如果展訊和銳迪科完成合并,將超越華為海思成為國內最大IC設計廠(chǎng)商,在全球排到第11位。更為重要的是,展訊和銳迪科的強強聯(lián)合將實(shí)現優(yōu)勢互補形成協(xié)同效應。目前,展訊已經(jīng)完成私有化在納斯達克退市,銳迪科還在私有化進(jìn)程中,兩家公司有望在紫光集團下完成合并。
晶圓代工寡頭格局形成
晶圓制造環(huán)節是半導體產(chǎn)業(yè)鏈中至關(guān)重要的一環(huán),制造工藝高低直接決定了半導體產(chǎn)業(yè)先進(jìn)程度。過(guò)去15年國內晶圓制造環(huán)節發(fā)展滯后,未來(lái)在政府資金直接支持之下有望快速追趕。
半導體產(chǎn)業(yè)鏈上各環(huán)節的盈利情況與其他制造行業(yè)存在巨大差異。一般的制造行業(yè)符合微笑曲線(xiàn),上游設計環(huán)節盈利能力最高,中游制造環(huán)節次之,下游組裝環(huán)節盈利能力最低。但是IC產(chǎn)業(yè)鏈卻不相同,中游制造環(huán)節盈利能力高于上游設計環(huán)節,是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中最高的一環(huán)。
晶圓制造環(huán)節能獲得如此高的盈利,主要得益于晶圓制造廠(chǎng)具有極高的資本壁壘和技術(shù)壁壘。晶圓制造企業(yè)為了能夠緊跟技術(shù)的發(fā)展每年都需要投入巨資,臺積電近兩年的資本支出金額高達近百億美元,占公司營(yíng)收的近50%。另外兩家IDM大廠(chǎng)Intel和三星半導體每年的資本支出也都是在百億美元以上,其中絕大部分都是投到了制造環(huán)節。此外,晶圓制造環(huán)節也是高技術(shù)密集型,臺積電2013年研發(fā)費用支出達到16億美元。
在極高的資本壁壘和技術(shù)壁壘雙重作用下,全球晶圓代工行業(yè)已經(jīng)形成寡頭壟斷格局。行業(yè)龍頭臺積電2013年營(yíng)收為199億美元,占據晶圓代工行業(yè)半壁江山,市占率高達46%。全球其他主要代工廠(chǎng)還有GlobalFoundries、聯(lián)電、三星半導體、中芯國際等廠(chǎng)商,前五大廠(chǎng)商合計市占率高達79%。
過(guò)去,中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不均勻,大力支持IC設計環(huán)節發(fā)展,而過(guò)度輕視IC制造環(huán)節。全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈,晶圓制造占整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)鏈中產(chǎn)值最高,占比高達58%。而在國內,晶圓制造在三個(gè)環(huán)節中占比卻最小,僅有24%。這一產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的不均勻嚴重影響了國內整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)鏈的健康發(fā)展。
以華為海思最近發(fā)布的Kirin920芯片為例,該芯片才首次采用28nm制程。而聯(lián)發(fā)科在2013年3月發(fā)布的MT6572就已經(jīng)開(kāi)始采用28nm制程,高通最新發(fā)布的驍龍810/808 更是采用了下一代20nm制程。中國大陸制造環(huán)節發(fā)展的滯后也直接影響了IC設計環(huán)節的發(fā)展,使得本土IC廠(chǎng)商與世界龍頭IC廠(chǎng)商競爭不再同一條起跑線(xiàn)上。
不過(guò),政府對半導體產(chǎn)業(yè)的支持方式已由原來(lái)的單純政策支持轉變?yōu)檎吆唾Y金共同支持。晶圓制造環(huán)節有望成為政府后續扶持的重點(diǎn)領(lǐng)域,本次成立的1200億元國家集成電路產(chǎn)業(yè)扶持基金中40%投入芯片制造與封裝,其中絕大部分資金可能會(huì )分配到晶圓制造領(lǐng)域,有利于半導體產(chǎn)業(yè)鏈的健康發(fā)展。
中芯國際作為國內唯一具有全球競爭力的晶圓制造龍頭,未來(lái)將挑起國內集成電路產(chǎn)業(yè)崛起重任。過(guò)去三年,中芯國際收入和利潤都實(shí)現了持續快速增長(cháng),2013年營(yíng)業(yè)收入和凈利潤分別達到20.7億和1.7億美元,同比分別增長(cháng)21.6%和660%。這主要受益于國內對芯片的持續強勁需求和中芯國際45nm制程工藝在2012年三季度成功大規模量產(chǎn)。中國區域貢獻銷(xiāo)售收入8.3億美元,同比增長(cháng)43%,占比由2012年的34%大幅提升到2013年的40%。
隨著(zhù)制程的縮小和晶圓尺寸的增大,晶圓制造廠(chǎng)投資金額呈指數式增長(cháng)。8英寸工廠(chǎng)需要10億美元,12英寸工廠(chǎng)需要25億-30億美元,未來(lái)到18英寸工廠(chǎng)投資額將高達100億-120億美元,這將是大部分晶圓廠(chǎng)無(wú)法承受的金額。我們認為,為支持國內集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,國家將給予中芯國際更多政策和資金方面的支持。去年,中芯國際在北京政府的大力支持之下與中關(guān)村發(fā)展集團和北京工業(yè)發(fā)展投資管理有限公司合資成立中芯北方集成電路制造(北京)有限公司,注冊資本12億美元,中芯國際占55%。預計到今年年底,中芯國際北京和深圳Fab都將投產(chǎn),產(chǎn)能將分別達到6k/月和10k/月。
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