應用材料推出CMP和CVD新半導體制造系統產(chǎn)品

　　加利福尼亞州圣克拉拉--應用材料公司今日宣布推出兩款幫助客戶(hù)解決在制造高性能、低功耗3D器件關(guān)鍵性挑戰的全新半導體制造系統，展示了其在高尖端半導體材料工程上的專(zhuān)業(yè)領(lǐng)先地位。其中，AppliedReflexion®LKPrime™化學(xué)機械研磨拋光系統(CMP)擁有出色的硅片平整拋光性能，能讓FinFET及3DNAND結構的應用達到納米級的精度。另一款AppliedProducer®XPPrecision™化學(xué)氣相淀積系統(CVD)則能滿(mǎn)足垂直3DNAND結構對淀積的基本要求。全新的CMP和CVD設備直接解決了3D結構在精密、材料及缺陷方面的挑戰，幫助其實(shí)現大批量生產(chǎn)。

　　應用材料公司半導體材料事業(yè)部執行副總裁兼總經(jīng)理RandhirThakur博士表示："隨著(zhù)人們對移動(dòng)性的需求日益增加，3D結構也日趨復雜化，因而亟需工程領(lǐng)域的創(chuàng )新。復雜的設計需要大量新技術(shù)、新材料的投入，以實(shí)現最佳的器件性能，并提高產(chǎn)品良率。今天我們發(fā)布的最新CMP和CVD系統，能夠滿(mǎn)足不同客戶(hù)的多樣需求，實(shí)現高級3D邏輯和內存芯片的量產(chǎn)轉型。"

　　在3D結構中，CMP對FinFET的柵結構和NAND階梯結構起著(zhù)至關(guān)重要的作用。新器件結構的要求十分嚴苛，有些甚至需要增加至10個(gè)研磨拋光工序，而ReflexionLKPrimeCMP系統的設計初衷便是滿(mǎn)足這些高要求。LKPrime設備以其先進(jìn)的工藝技術(shù)，史無(wú)前例地推出6個(gè)研磨拋光站和8個(gè)清洗站步驟并配有先進(jìn)的高精度工藝參數控制技術(shù)，使客戶(hù)能夠在硅片薄膜性能和產(chǎn)能方面得到顯著(zhù)的改善與提高。通過(guò)為ReflexionLKPrime系統增加拋光和清洗站，硅片的產(chǎn)出得以翻倍，生產(chǎn)效率提升最高可達100%。

　　通過(guò)獨立應用每個(gè)研磨拋光站及清洗站，芯片制造商在拋光工藝上擁有了更大的靈活性，可以按不同要求提供特出工藝，精確控制薄膜拋光尺寸及平整度，減少器件缺陷及雜質(zhì)。LKPrime系統包含即時(shí)參數反饋分析和拋光終點(diǎn)探測控制技術(shù)，能夠保證硅片薄膜自身的均勻性及硅片與硅片間的可重復性，從而滿(mǎn)足未來(lái)器件的節點(diǎn)要求。憑借這些優(yōu)勢，LKPrime系統在控制FinFET的柵高上能使硅片上所有的器件元達到納米級的均勻性。這是一項十分重要的工藝，因為即使是FinFET柵高的一個(gè)極小變化，都會(huì )影響器件的性能和良率。對于3DNAND來(lái)講因其擁有更厚的薄膜層和大塊的表面結構，需要持久和穩定的研磨拋光工藝，多工藝加工站能為其提供穩定和可控的拋光平坦化加工。

　　3DNAND產(chǎn)業(yè)的變革也亟需針對垂直柵制作和復雜圖形結構應用的先進(jìn)沉積技術(shù)。ProducerXPPrecisionCVD系統通過(guò)對納米級層結構間薄膜厚度的精密控制，達到硅片上關(guān)鍵尺寸的高度均勻性，從而支持3DNAND的轉型。該系統性能的關(guān)鍵在于獨一無(wú)二的精密腔體設計，并能夠調整溫度、等離子體、氣流等關(guān)鍵參數。通過(guò)提供靈活的工程技術(shù)，應用材料公司能幫助客戶(hù)實(shí)現卓越的應力控制和硅片內、硅片間和層結構間的均勻性，從而支持不同類(lèi)型的優(yōu)質(zhì)、低缺陷薄膜的交替淀積，提高柵極性能，降低器件的差異率。

　　全新的XPPrecision系統專(zhuān)為批量生產(chǎn)而設計，將已應用于實(shí)際生產(chǎn)中的ProducerCVD技術(shù)與更高效快捷的工藝腔技術(shù)相結合。此外，該系統采用全新的模塊化主機結構和高速設計理念，進(jìn)一步提高了產(chǎn)出密度、降低了設備的持有成本。XPPrecision系統大幅優(yōu)化了精密淀積效果，在提高產(chǎn)量的基礎上，使圖案結構和多層式薄膜堆疊實(shí)現更薄、更優(yōu)的材料，從而應對3DNAND結構不斷縮小的趨勢。