高通聯(lián)手中芯增產(chǎn)28納米芯片
7月3日,中國產(chǎn)能正再被海外芯片企業(yè)所重視,成為后者攻城略地的重要砝碼。高通宣布,其子公司美國高通技術(shù)公司與中芯國際集成電路制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中芯國際”)將在28納米工藝制程和晶圓制造服務(wù)方面展開(kāi)合作,在中國本地制造高通驍龍處理器。中芯國際是目前內地規模較大且技術(shù)先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)。
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雖然高通一直處于無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)領(lǐng)先企業(yè),但是其也是全球最大的無(wú)晶圓半導體供應商之一,這就是說(shuō),它的所有產(chǎn)品均為代工生產(chǎn)。這亦是高通最大的軟肋,即無(wú)法自我控制產(chǎn)能。
美國高通技術(shù)公司執行副總裁兼QCT聯(lián)席總裁Murthy Renduchintala表示,合作是對區域供應鏈戰略的執行。
就在不久之前,其在移動(dòng)端的主要競爭對手,英特爾曾宣布與瑞芯微達成戰略合作。英特爾首席執行官科再奇表示,合作將可以更快速交付英特爾的方案和產(chǎn)品組合,從而更加務(wù)實(shí)多樣地提高騎在全球移動(dòng)市場(chǎng)的份額。
雖然英特爾與瑞芯微的合作目前僅限于平板電腦產(chǎn)品,但多數業(yè)界分析師認為其將延伸至智能手機領(lǐng)域。
事實(shí)上,高通與英特爾在移動(dòng)領(lǐng)域勢必將有一戰。
2015年前后英特爾基于14納米工藝制程的移動(dòng)芯片或將出貨,而這被業(yè)界認為將有可能改善目前功耗和散熱問(wèn)題,從而對ARM陣營(yíng)造成沖擊。
與此同時(shí),作為ARM陣營(yíng)的高通,在高端芯片產(chǎn)品設計上,更加偏向在使用其自主研發(fā)的Karit架構,以提高性能,降低功耗。
不過(guò),眼下對高通和英特爾來(lái)說(shuō)最為重要的是抓住中國市場(chǎng)4G元年的契機,快速出貨以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求,并搶占更多市場(chǎng)。隨著(zhù)博通、英偉達等的退出,市場(chǎng)留下的縫隙將被“剩者”迅速填滿(mǎn)。
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