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如何解決混合動(dòng)力汽車(chē)功率模塊的穩定性問(wèn)題

作者: 時(shí)間:2010-10-01 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

  通常,同時(shí)具備內燃機引擎和電力馬達驅動(dòng)系統,并利用功率半導體模塊來(lái)實(shí)現電力馬達的速度調節。通常功率半導體模塊在車(chē)輛上的冷卻方式主要為風(fēng)冷和液態(tài)冷卻。不同汽車(chē)制造商設計的混合動(dòng)力系統大相徑庭,直接并無(wú)可比性。除冷卻系統之外,功率半導體模塊封裝甚至半導體技術(shù)本身都各不相同。

  為了使這些系統更具可比性,本項研究采用了一個(gè)適用于不同冷卻系統的、被稱(chēng)為HybridPACK的通用“基礎”。在配置中采用了一套基本輸入參數集,例如行駛循環(huán)、電機類(lèi)型、甚至半導體的電氣特性等。同時(shí),為簡(jiǎn)化計算,忽略了不同駕駛策略的影響。

  在電力電子系統中,功率半導體模塊溫度及溫度波動(dòng)對可靠性有較大的影響。為此,基于功率半導體模塊的計算和熱仿真模型。開(kāi)發(fā)了一個(gè)程序來(lái)計算整個(gè)行駛循環(huán)期間的溫度?! ?/P>

  通過(guò)計算出從功率半導體模塊至冷卻系統的溫度分布,可以評估出模塊各部分受到的熱應力,諸如焊接點(diǎn)或鍵合點(diǎn)等。通過(guò)將熱應力轉換為數據,可以預測出功率半導體模塊的使用壽命。

從行駛循環(huán)到

  在使用壽命期內,模塊要承受環(huán)境(氣候)造成的被動(dòng)溫度波動(dòng),及因模塊運行發(fā)熱造成的主動(dòng)溫度循環(huán)。溫度循環(huán)和功率循環(huán)試驗,可以模擬以上幾種情況對模塊壽命的影響。

  溫度循環(huán):在溫度循環(huán)試驗中,在沒(méi)有電氣應力的情況下,改變功率半導體模塊的環(huán)境溫度,包括對(TST:熱沖擊試驗)和(TC:熱循環(huán)試驗)。這項實(shí)驗主要用于評估焊接點(diǎn)的可靠性,及評估模塊在貯存、運輸或使用過(guò)程中對可能發(fā)生的溫度突變的耐受性。

  功率循環(huán):功率循環(huán)(PC)試驗可用于確定內部半導體芯片和內部連接點(diǎn)焊接,在通過(guò)周期性電流時(shí),對熱應力和機械應力的耐受性。周期性施加電流會(huì )導致溫度快速變化,會(huì )導致綁定線(xiàn)機械位置波動(dòng)。功率循環(huán)試驗對高溫條件下的工作壽命預期分析具有代表性[1]。

  熱應力造成的主要故障是IGBT模塊的內部焊接疲勞和焊接線(xiàn)脫落。

研究方法

  圖1根據逆變器系統的冷卻條件和行駛策略(行駛工況曲線(xiàn)、電機和行駛控制)信息,可得出的在特定工況下,關(guān)鍵電氣參數特性集,進(jìn)而計算出典型循環(huán)次數,以評估功率模塊的壽命,在本項研究中,幾個(gè)紅色參數是變量。


圖1:計算等效試驗循環(huán)次數的一般方法。在本項研究中,只有紅色參數是變量。

基本條件(輸入參數)

  為了不受行駛條件、電機特性以及芯片特性的影響,選擇了一個(gè)常見(jiàn)的輸入參數集。

  選擇了一個(gè)業(yè)內廣泛應用的功率半導體模塊。這個(gè)類(lèi)型的模塊經(jīng)專(zhuān)門(mén)設計,適用于最高功率在20 kW以?xún)鹊妮p度混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)應用[2]。針對高達150°C的工作節溫設計,該模塊為6管合一的IGBT設計,最高額定電流為400A/650V。

  

  圖2:基本模塊基于HybridPACK1[3][4][5]

  典型汽車(chē)行駛循環(huán)工況包括多個(gè)啟停序列和5個(gè)滿(mǎn)負荷條件下的10秒鐘長(cháng)的恢復循環(huán),繪制出任務(wù)曲線(xiàn)。并假定,模塊柵極驅動(dòng)條件理想,盡管這有可能低估整個(gè)逆變器系統中的。因此,通過(guò)計算最?lèi)毫庸r條件下的(最高溫度)來(lái)補償[6]。

計算功率損耗

  通過(guò)計算靜態(tài)(PDC:導通)和動(dòng)態(tài)(PSW:開(kāi)關(guān))損耗,可計算出模塊的功率損耗。

  計算逆變過(guò)程中芯片的功率損耗時(shí),使用了正弦半波來(lái)模擬芯片中的熱量。是基于IPOSIM中使用的計算方法[7]。

  基于這種方法,可以根據模塊的電氣參數,計算出IGBT3 [8]和二極管的傳導損耗[9] [10]。

  必須指出的是,參數r、VCE0、rD和VF0均取決于溫度T。

  利用等式3和4,可以計算出功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗是開(kāi)關(guān)頻率fsw與按所施加的電壓VDC、電流?和開(kāi)關(guān)能量Eon_nom、Eoff_nom、Erec_nom的乘積[11]。

  所有必需的參數均摘自功率模塊數據表[12]。

溫度分布模擬

  通常,采用RC網(wǎng)絡(luò )(Cauer模型或Foster模型)來(lái)描述功率模塊系統的熱模型[13]。發(fā)熱源及模擬實(shí)際組件狀態(tài)的RC網(wǎng)絡(luò )。R’s和C’s值,基于系統的材料屬性和外形尺寸,通過(guò)3D瞬態(tài)有限元模擬可得出,或者可以通過(guò)實(shí)驗直接測定這兩個(gè)值。


圖3:紅外測定IGBT/二極管工作溫度

  


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