2014年全球半導體資本支出

　　根據市調機構ICInsights統計，2014年全球半導體廠(chǎng)資本支出上看622億美元，年增率約8%，前三大資本支出最高的業(yè)者分別為三星電子、英特爾和臺積電，3者資本支出分別為115億美元、110億美元和100億美元，貢獻今年半導體產(chǎn)業(yè)資本支出約51.8%。

　　2014年全球半導體產(chǎn)業(yè)資本支出攀升，主要是受惠行動(dòng)裝置商機推動(dòng)，對于智慧型手機平板電腦、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)相關(guān)晶片需求提升，帶動(dòng)全球半導體廠(chǎng)競相擴充產(chǎn)能。主要集中在先進(jìn)制程技術(shù)如20/16/14奈米制程、3DNAND制程技術(shù)等。

　　2014年資本支出攀升比率最高的是快閃記憶卡大廠(chǎng)新帝(SanDisk)較2013年成長(cháng)86%，達16億美元，主要是與東芝(Toshiba)合資擴建3DNAND晶圓廠(chǎng)投資增加，預計2014年下半進(jìn)入量產(chǎn);美光2014年資本支出也相當強勁，年增率約58%。