又一個(gè)要取代矽的新型二維半導體：黑磷

　　近年來(lái)，二維晶體材料因其優(yōu)越的電氣特性，成為半導體材料研究的新方向。繼石墨烯、二硫化鉬之后，本月初，在《自然·納米技術(shù)》雜志??上，復旦大學(xué)物理系張遠波教授課題組發(fā)現了一種新型二維半導體材料——黑磷，并成功制備了相應的場(chǎng)效應晶體管器件，它將有可能替代傳統的矽，成為電子線(xiàn)路的基本材料。

　　二維晶體是由幾層單原子層堆疊而成的納米厚度的平面晶體，比如大名鼎鼎的石墨烯，但是石墨烯沒(méi)有半導體帶隙，即分隔電子導電能帶(導帶)和非導電能帶(價(jià)帶)之間的無(wú)人禁區，也就是說(shuō)它難以完成導體和絕緣體之間的轉換，不能實(shí)現數字電路的邏輯開(kāi)與關(guān)。同樣由單原子層堆疊而成的黑磷，則具有一個(gè)半導體帶隙。

　　“兩年前中國科技大學(xué)的陳仙輝教授告訴我他們可以生長(cháng)黑磷時(shí)，當時(shí)直覺(jué)就告訴我，這有可能是一個(gè)很好的半導體材料，”張遠波教授說(shuō)，“果然，現在我們把黑磷做成納米厚度的二維晶體后，發(fā)現它有非常好的半導體性質(zhì)，這樣就有可能用在未來(lái)的集成電路里?！?/p>

　　他們發(fā)現，黑磷二維晶體有良好的電子遷移率(~1000cm2/Vs)，還有非常高的漏電流調制率(是石墨烯的10000倍)，與電子線(xiàn)路的傳統材料矽類(lèi)似。

　　除了電性能優(yōu)越以外，黑磷的光學(xué)性能同包括矽和硫化鉬在內的其他材料相比也有巨大的優(yōu)勢。它的半導體帶隙是直接帶隙(如圖)，即電子導電能帶(導帶)底部和非導電能帶(價(jià)帶)頂部在同一位置，實(shí)現從非導到導電，電子只需要吸收能量(光能)，而傳統的矽或者硫化鉬等都是間接帶隙，不僅需要能量(能帶變化)，還要改變動(dòng)量(位置變化)。

　　這意味著(zhù)黑磷和光可以直接耦合，這個(gè)特性讓黑磷成為未來(lái)光電器件(例如光電傳感器)的一個(gè)備選材料，可以檢測整個(gè)可見(jiàn)光到近紅外區域的光譜。這些初步的研究結果，遠沒(méi)有達到黑磷性能的極限，還有極大的拓展空間。張遠波教授表示，黑磷還只是一個(gè)剛剛被發(fā)現的材料，現在其前景作任何的推斷都還太早。