富士通半導體推出1Mb內存全新FRAM器件

　　富士通半導體(上海)有限公司日前宣布，成功開(kāi)發(fā)出擁有1Mb內存 (128K字符X 8位)的全新FRAM產(chǎn)品---MB85RC1MT，是所有富士通半導體I2C串行接口產(chǎn)品中最高內存容量的產(chǎn)品，且即日起即可為客戶(hù)提供樣品。全新MB85RC1MT可保證有一萬(wàn)億次寫(xiě)入/擦除 (write/erase) 周期，適用于需要經(jīng)常重復寫(xiě)入數據之應用，例如工廠(chǎng)自動(dòng)化、測試儀器及工業(yè)設備所需之實(shí)時(shí)數據登錄應用?，F在富士通半導體同時(shí)擁有廣泛的I2C與SPI串行接口產(chǎn)品系列，為客戶(hù)提供最符合他們要求的非揮發(fā)性存儲器產(chǎn)品。

　　FRAM是一種兼具非揮發(fā)性與隨機存取功能的存儲器，能在沒(méi)有電源的情況下可儲存及高速寫(xiě)入數據。值得注意的是，在眾多非揮發(fā)性?xún)却婕夹g(shù)中，FRAM能保證一萬(wàn)億次以上的寫(xiě)入/擦除周期。富士通半導體自1999年開(kāi)始量產(chǎn)FRAM產(chǎn)品以來(lái)，已將上述產(chǎn)品特性廣泛應用在工廠(chǎng)自動(dòng)化設備、測試儀器、金融終端機及醫療裝置等領(lǐng)域。

　　MB85RC1MT可在攝氏零下40度至85度的溫度范圍以1.8V至3.3V工作電壓運作，可支持3.4MHz 的“高速”操作模式，并可在與傳統EEPROM相同的1MHz環(huán)境進(jìn)行讀寫(xiě)數據作業(yè)。MB85RC1MT保證有一萬(wàn)億次寫(xiě)入/擦除周期，大幅超越傳統EEPROM的寫(xiě)入/擦除周期次數，并可支持I2C接口及其他接口產(chǎn)品的實(shí)時(shí)數據登錄等頻繁的重復寫(xiě)入數據作業(yè)。

　　此外，對于一些需要使用I2C接口EEPROM應用場(chǎng)合，現在都可以由富士通半導體的新款FRAM產(chǎn)品取而代之，以實(shí)現高頻率數據輸入和高精度數據擷取(如圖一)，更能夠降低數據寫(xiě)入的時(shí)功耗(如圖二)。

　　圖一：數據寫(xiě)入/擦除周期比較

　　圖二：EEPROM和富士通半導體FRAM產(chǎn)品之數據寫(xiě)入作業(yè)功耗比較

　　MB85RC1MT的出現增加了富士通半導體的FRAM產(chǎn)品陣容：I2C 接口(支持4 Kb至1 Mb內存容量)和SPI接口(16 Kb至2 Mb內存容量)(如圖三)。這些FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標準的8針腳SOP封裝，因而可取代EEPROM或序列閃存，并適用于工廠(chǎng)自動(dòng)化、測試儀器及工業(yè)設備等應用，更無(wú)須大幅修改電路版的設計。

　　圖三：FRAM產(chǎn)品陣容(序列內存)

　　富士通半導體將持續開(kāi)發(fā)FRAM產(chǎn)品以滿(mǎn)足客戶(hù)對低功耗產(chǎn)品之需求，例如需求日益增加的能量采集應用，其中低工作電壓是關(guān)鍵要素。