功率器件更加智能，高能效功率電子技術(shù)新進(jìn)展
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時(shí)間：2011-08-08
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò )
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
持續推動(dòng)工藝技術(shù)進(jìn)步
許多廠(chǎng)商都在積極開(kāi)發(fā)新的工藝技術(shù)。例如，安森美半導體開(kāi)發(fā)出了專(zhuān)有Trench 3工藝的下一代MOSFET產(chǎn)品，可用于臺式機、筆記本和上網(wǎng)本等應用，有助于提升能效及開(kāi)關(guān)性能，同時(shí)裸片尺寸更小。
未來(lái)幾年，安森美還將開(kāi)發(fā)氮化鎵的晶圓生產(chǎn)工藝/器件集成工藝/制造工藝/封裝工藝、絕緣硅晶圓生產(chǎn)工藝、接觸/隔離溝槽工藝模塊、低電感封裝、電感和電容集成等工藝技術(shù)；同時(shí)利用封裝技術(shù)實(shí)現產(chǎn)品創(chuàng )新，以更纖薄的封裝、更低占位面積實(shí)現更高I/O密度，不斷提高封裝熱效率及工作溫度范圍，也使每個(gè)封裝的裸片尺寸選擇更多。此外，還將以更薄、直徑更大的晶圓和銅線(xiàn)夾來(lái)降低材料成本。
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