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汽車(chē)應用中的IGBT功率模塊

作者: 時(shí)間:2011-11-12 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

  諸如高環(huán)境溫度、暴露于機械沖擊以及特定的驅動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件,要求對IGBT的機械和電氣特性給予特別的關(guān)注,以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮,并保持很高的可靠性。本文對IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問(wèn)題和故障模式進(jìn)行了探討。

  各種工業(yè)應用中通常會(huì )使用多達十幾種的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),設計IGBT模塊的目的就是為了向某種專(zhuān)門(mén)的應用提供最優(yōu)的性?xún)r(jià)比和適當的可靠性。圖1為現有的IGBT的主要組成部分。

  商用電動(dòng)車(chē)(EV)和混合動(dòng)力電動(dòng)車(chē)()的出現為IGBT模塊創(chuàng )造了一個(gè)新的市場(chǎng)。EV和中對IGBT的可靠性要求最高的部分是,IGBT位于逆變器中,為混合系統的電機提供能量。根據的概念,逆變器可以放置在汽車(chē)尾箱、變速箱內或引擎蓋下靠近內燃機的位置,因此IGBT模塊要經(jīng)受?chē)谰臒岷蜋C械條件(振動(dòng)和沖擊)的考驗。

  為向汽車(chē)設計人員提供高可靠性的標準工業(yè)IGBT模塊,IGBT設計人員必須特別小心地選擇材料和設計電氣特性,以得到相似甚至更好的結果。

  熱循環(huán)和熱沖擊試驗

  在熱循環(huán)(TC)期間,待測器件(DUT)交替地暴露于被精確設定的最低和最高溫度下,使其管殼的溫差(ΔTC)達到80K到100K。DUT處于最低和最高溫度的存儲時(shí)間必須足以使其達到熱平衡(即2到6分鐘)。此項試驗的重點(diǎn)是檢測焊接處的疲勞特性。

  通過(guò)更嚴格的試驗,還可以研究其它部分(如模塊的框架)所存在的弱點(diǎn)。熱沖擊試驗(TST),也被稱(chēng)作二箱試驗,是在經(jīng)過(guò)擴展的ΔTC的條件下進(jìn)行的,例如從-40-C到+150+C,其典型的存儲時(shí)間為1小時(shí)。

  圖1:包括基板在內的IGBT模塊構架示意圖。

  圖1:包括基板在內的IGBT模塊構架示意圖。

  功率循環(huán)

  在熱循環(huán)/熱沖擊試驗過(guò)程中,從外部加熱DUT,而在功率循環(huán)(PC)期間,DUT被流經(jīng)模塊內部的負載電流主動(dòng)地加熱。因此,模塊內部的溫度梯度和不同材料層的溫度都比熱循環(huán)過(guò)程中高得多。

  模塊的冷卻是通過(guò)主動(dòng)關(guān)斷負載電流以及使用外部散熱措施來(lái)實(shí)現的。最典型的是使用水冷散熱器,但空氣冷卻系統也較常用。試驗裝置能在加熱階段停止水流,待進(jìn)入冷卻階段后再重新打開(kāi)水流。通過(guò)功率循環(huán),能對綁定線(xiàn)的連接以及焊接處的疲勞特性進(jìn)行研究。

  諸如高環(huán)境溫度、暴露于機械沖擊以及特定的驅動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件,要求對IGBT功率模塊的機械和電氣特性給予特別的關(guān)注,以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮,并保持很高的可靠性。本文對IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問(wèn)題和故障模式進(jìn)行了探討。

  各種工業(yè)應用中通常會(huì )使用多達十幾種的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),設計IGBT模塊的目的就是為了向某種專(zhuān)門(mén)的應用提供最優(yōu)的性?xún)r(jià)比和適當的可靠性。圖1為現有的IGBT功率模塊的主要組成部分。

  商用電動(dòng)車(chē)(EV)和混合動(dòng)力電動(dòng)車(chē)()的出現為IGBT模塊創(chuàng )造了一個(gè)新的市場(chǎng)。EV和HEV中對IGBT功率模塊的可靠性要求最高的部分是,IGBT位于逆變器中,為混合系統的電機提供能量。根據傳動(dòng)系的概念,逆變器可以放置在汽車(chē)尾箱、變速箱內或引擎蓋下靠近內燃機的位置,因此IGBT模塊要經(jīng)受?chē)谰臒岷蜋C械條件(振動(dòng)和沖擊)的考驗。

  為向汽車(chē)設計人員提供高可靠性的標準工業(yè)IGBT模塊,IGBT設計人員必須特別小心地選擇材料和設計電氣特性,以得到相似甚至更好的結果。

  熱循環(huán)和熱沖擊試驗

  在熱循環(huán)(TC)期間,待測器件(DUT)交替地暴露于被精確設定的最低和最高溫度下,使其管殼的溫差(ΔTC)達到80K到100K。DUT處于最低和最高溫度的存儲時(shí)間必須足以使其達到熱平衡(即2到6分鐘)。此項試驗的重點(diǎn)是檢測焊接處的疲勞特性。

  通過(guò)更嚴格的試驗,還可以研究其它部分(如模塊的框架)所存在的弱點(diǎn)。熱沖擊試驗(TST),也被稱(chēng)作二箱試驗,是在經(jīng)過(guò)擴展的ΔTC的條件下進(jìn)行的,例如從-40-C到+150+C,其典型的存儲時(shí)間為1小時(shí)。

  圖1:包括基板在內的IGBT模塊構架示意圖。

  圖1:包括基板在內的IGBT模塊構架示意圖。

  功率循環(huán)

  在熱循環(huán)/熱沖擊試驗過(guò)程中,從外部加熱DUT,而在功率循環(huán)(PC)期間,DUT被流經(jīng)模塊內部的負載電流主動(dòng)地加熱。因此,模塊內部的溫度梯度和不同材料層的溫度都比熱循環(huán)過(guò)程中高得多。

  模塊的冷卻是通過(guò)主動(dòng)關(guān)斷負載電流以及使用外部散熱措施來(lái)實(shí)現的。最典型的是使用水冷散熱器,但空氣冷卻系統也較常用。試驗裝置能在加熱階段停止水流,待進(jìn)入冷卻階段后再重新打開(kāi)水流。通過(guò)功率循環(huán),能對綁定線(xiàn)的連接以及焊接處的疲勞特性進(jìn)行研究。

  IGBT模塊的故障模式

  除由超出IGBT模塊的電氣規范(如過(guò)電壓和/或過(guò)電流)所引起的損害外,還會(huì )出現其它一些故障機制。下面將探討在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機械振動(dòng)或機械沖擊試驗中出現的一些典型的故障模式。

  熱循環(huán)和特定的熱沖擊試驗能揭示出系統焊錫層(即位于基板和被稱(chēng)作陶瓷襯底的直接鍵合銅,即DCB之間)的耐久度信息。銅基板和Al2O3陶瓷的標準材料組合在經(jīng)過(guò)600個(gè)熱沖擊試驗循環(huán)后,系統的焊錫層出現了分層現象。這一試驗結果反映出所選材料具有不同的熱膨脹系數(CTE)。兩種材料的熱膨脹系數相差越大,它們對于中間層(即焊錫層)的機械應力就越大。

  圖2給出了不同材料的熱膨脹系數。我們的目標是選用熱膨脹系數差別盡可能小的材料來(lái)進(jìn)行組合。但另一方面,并不是每種材料都是首選的,即使它們的熱膨脹系數十分匹配,因為材料本身的成本可能會(huì )太高,或者在生產(chǎn)過(guò)程中難以被加工或加工成本太高。

  圖2:不同材料的熱膨脹系數(CTE)(ppm/K)。

  圖2:不同材料的熱膨脹系數(CTE)(ppm/K)。

  功率循環(huán)所引起的故障模式一般位于綁定線(xiàn)的連接位置。通常為綁定線(xiàn)剝離和/或芯片頂部的鋁金屬化重建。

  在某些情況下,還能觀(guān)察到綁定線(xiàn)跟部出現裂縫。機械和熱效應會(huì )不斷地造成綁定線(xiàn)發(fā)生移動(dòng),從而引發(fā)裂縫,最終材料疲勞會(huì )導致綁定線(xiàn)本身出現故障。除功率模塊的內部部件外,其外殼也會(huì )被外部的極端環(huán)境和/或工作條件所損壞。例如出現外殼框架的破裂。

  在HEV中,隨著(zhù)IGBT模塊安裝位置的不同,可能會(huì )受到超過(guò)5g的機械振動(dòng)和超過(guò)30g的機械沖擊。如果不夠堅固,功率端子最終就可能被這些振動(dòng)/沖擊破壞。出現故障的位置位于組裝后端子的彎曲部位,微裂隙會(huì )在那里產(chǎn)生已損壞的彎曲區域。采用預成型的端子能提高堅固性,其在彎曲邊緣不會(huì )出現已經(jīng)損壞的區域,因此具有更高的可靠性。因此,所有用于HEV的英飛凌功率模塊都采用這一方法進(jìn)行設計。

  用于HEV的高可靠性IGBT功率模塊

  為HEV開(kāi)發(fā)的所有IGBT模塊都有一個(gè)特別的目標,就是提供出色的可靠性、合適的電氣特性和最優(yōu)成本?;趯GBT功率模塊開(kāi)發(fā)的長(cháng)時(shí)間探索,對于新材料的組合與組裝技術(shù)所投入的巨大研究精力,以及現代功率半導體芯片的使用,英飛凌已經(jīng)開(kāi)發(fā)出HEV專(zhuān)用的兩個(gè)模塊系列:HybridPACK1和HybridPACK2。

  這兩種型號的產(chǎn)品都基于英飛凌領(lǐng)先的IGBT溝道柵場(chǎng)終止技術(shù),能提供最低的導通和開(kāi)關(guān)損耗。其中所選用的600V的第三代芯片能工作在1501C的結溫Tj,op下(絕對最大Tj,max=1751C)。

  能在六封裝配置中容納高達400A的600V IGBT3和EmCon3二極管的HybridPACK1,適用于氣冷或采用低溫液體散熱的逆變器系統。這些模塊擁有3mm銅基板和經(jīng)過(guò)改進(jìn)的Al2O3 DCB陶瓷襯底,具有最佳的可靠性和成本;它們是峰值20kW功率級別(單個(gè)模塊)和全HEV應用的理想選擇,而且通過(guò)并聯(lián)還能達到更高的額定功率。

  HybridPACK1模塊系列采用了下面這些特殊的措施以便在提供高可靠性的同時(shí)獲得最佳的性?xún)r(jià)


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