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UCC27321高速MOSFET驅動(dòng)芯片的功能與應用
作者：
時(shí)間：2012-03-15
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò )
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5 應用實(shí)例
圖4給出了應用于推挽正激的驅動(dòng)電路：
?。╝）為運用UCC27321的光耦隔離驅動(dòng)。由于上管和下管不共地，為了實(shí)現電氣上的隔離，在UC3525的輸出與UCC27321的輸入之間增加了快速光耦隔離芯片HCPL4504。采用光耦隔離，使得外圍電路簡(jiǎn)單，設計較容易，但需兩路激勵電源。
?。╞）為傳統推挽變壓器隔離驅動(dòng),由于采用變壓器實(shí)現電氣隔離，進(jìn)行電流、電壓變換，應用范圍較廣。但缺點(diǎn)是體積重量較大，驅動(dòng)變壓器容易激磁飽和，設計相對困難。
實(shí)驗中所采用的MOSFET為IRFP460，其典型參數為：Ciss=4.1nF；Qg=120nC;VDS=500V;ID=20A;VGS=±20V。 測試電路為圖4所示電路，開(kāi)關(guān)頻率為50kHz。從導通和關(guān)斷時(shí)間來(lái)看：采用推挽式驅動(dòng)電路時(shí)，開(kāi)關(guān)管的導通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間將近為180ns；而采用UCC27321驅動(dòng)芯片后，導通時(shí)間僅為80ns，關(guān)斷時(shí)間則為70ns。從波形（見(jiàn)圖5）來(lái)看：采用UCC27321驅動(dòng)芯片后，功率管開(kāi)通時(shí)，驅動(dòng)電路提供的柵極電壓具有快速的上升沿，并一開(kāi)始有一定的過(guò)沖；關(guān)斷瞬時(shí)，提供了較大的反壓，使管子可靠關(guān)斷，開(kāi)關(guān)管的導通特性和關(guān)斷特性明顯改善。所以采用UCC27321驅動(dòng)芯片構成的驅動(dòng)電路，開(kāi)關(guān)管的開(kāi)通和關(guān)斷損耗都將會(huì )大大減小。
6 結論
通過(guò)實(shí)驗驗證UCC27321驅動(dòng)芯片具有良好的驅動(dòng)特性，能快速驅動(dòng)MOSFET，從而減小了開(kāi)通和關(guān)斷損耗。同時(shí)，通過(guò)設置使能端能設計出性能優(yōu)異的保護電路，具有外圍電路簡(jiǎn)潔，實(shí)現電源，輸入、輸出地之間的解耦，可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。能很好地應用于高速MOSFET的驅動(dòng)電路設計。
參考文獻：
[1]張占松，蔡宣三編著(zhù)，《開(kāi)關(guān)電源的原理與設計》，電子工業(yè)出版社，北京，1998。
[2]. SEM-1400, Topic 2, A Design and Application Guide for High Speed Power MOSFET Gate Drive Circuits,TI Literature No. SLUP133
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[4]. Technical Brief, PowerPad Thermally Enhanced Package, TI Literature No. SLMA002
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