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UCC27321高速MOSFET驅動(dòng)芯片的功能與應用

作者: 時(shí)間:2012-03-15 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏
1 引言

  隨著(zhù)電力電子技術(shù)的發(fā)展,各種新型的驅動(dòng)芯片層出不窮,為驅動(dòng)電路的設計提供了更多的選擇和設計思路,外圍電路大大減少,使得MOSFET的驅動(dòng)電路愈來(lái)愈簡(jiǎn)潔,.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321就是一種外圍電路簡(jiǎn)單,高效,快速的驅動(dòng)芯片。


2 UCC27321的功能和特點(diǎn)

  TI公司推出的新的MOSFET驅動(dòng)芯片能輸出9A的峰值電流,能夠快速地驅動(dòng)MOSFET開(kāi)關(guān)管,在10nF的負載下,其上升時(shí)間和下降時(shí)間的典型值僅為20ns。工作電源為4—15V。工作溫度范圍為-40℃—105℃。圖1給出了芯片的內部原理圖,表1為輸入、輸出邏輯表。表2為各個(gè)引腳的功能介紹。

  UCC27321的ENBL是給設計者預留的引腳端,為高電平有效(見(jiàn)表1)。在標準工業(yè)應用中,ENBL端經(jīng)100K的上拉電阻接至高電平。一般正常工作時(shí)可以懸空。為求可靠,也可將其接至輸入電源高電平,低電平時(shí)芯片不工作。通過(guò)對ENBL的精心設置可以設計出可靠的保護電路。

  UCC27321的輸出端采用了獨特的雙極性晶體管圖騰柱和雙MOSFET圖騰柱的并聯(lián)結構,能在幾百納秒的時(shí)間內提供高達9A的峰值電流并使得有效電流源能在低電壓下正常工作。

  當輸出電壓小于雙極性晶體管的飽和壓降時(shí),其輸出阻抗為MOSFET的Ron。當驅動(dòng)電壓過(guò)低或過(guò)沖時(shí),輸出級MOSFET的體二極管提供了一個(gè)小的阻抗。這就使得在絕大多數情況下,無(wú)須在輸出腳6、7與地之間額外地增加一個(gè)肖特基二極管。

  UCC27321在MOSFET的彌勒高原效應轉換期間能獲得9A的峰值電流。UCC27321內部獨特的輸出結構使得放電能力比充電能力要強的多。充電時(shí)電流流經(jīng)P溝道MOS,放電時(shí)電流流經(jīng)N溝道MOS,這就使得這種芯片的驅動(dòng)關(guān)斷能力要比其導通能力強,對防止MOSFET的誤導通是很有利的。




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