功率MOSFET基礎知識

　　如果一切都是如此嚴格成正比且可以預測的話(huà)，有什么改進(jìn)的辦法嗎？是的，其思路就是最小化(調低)基本單元的面積，這樣在相同的占位空間中可以集成更多的單元，從而使RDS(on)下降，并維持電容不變。為了成功地改良每一代MOSFET產(chǎn)品，有必要持續地進(jìn)行技術(shù)改良并改進(jìn)晶體圓制造工藝(更出色的線(xiàn)蝕刻、更好的受控灌注等等)。

　　但是，持續不斷地努力開(kāi)發(fā)更好的工藝技術(shù)不是改良MOSFET的唯一途徑；概念設計的變革可能會(huì )極大地提高性能。這樣的突破就是飛利浦去年11月宣布：開(kāi)發(fā)成功TrenchMOS工藝。其柵結構不是與裸片表面平行，現在是構建在溝道之中，垂直于表面，因此，占用的空間較少并且使電流的流動(dòng)真正是垂直的(見(jiàn)圖3)。在RDS(on)相同的情況下，飛利浦的三極管把面積減少了50%；或者，在相同的電流處理能力下，把面積減少了35%。

圖3：Trench MOS結構。

本文小結

　　我們把MOSFET與更為著(zhù)名、更為常用的雙極型三極管進(jìn)行了比較，我們看到MOSFET比BJT所具備的主要優(yōu)勢，我們現在也意識到一些折衷。最重要的結論在于：整個(gè)電路的效率是由具體應用決定的；工程師要在所有的工作條件下仔細地評估傳導和開(kāi)關(guān)損耗的平衡，然后，決定所要使用的器件是常規的雙極型、MOSFET或可能是IGBT？