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薄膜磁敏電阻元件KMZ10

作者: 時(shí)間:2006-05-07 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

1 緒論

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/226509.htm

KMZ10系列薄膜磁阻元器是一種結構新穎的Ni-Fe合金薄膜磁敏電阻元件,同時(shí)也是一種高靈敏度的磁性傳感器;它采用Barber結構的橋式電路,內含偏置磁場(chǎng)結構的Ni-Fe合金薄膜磁阻元件。因而具有靈敏度高、線(xiàn)性范圍寬、工作頻率特性穩定、溫度性能優(yōu)良、抗干擾能力強、體積小和結構簡(jiǎn)單等特點(diǎn)??蓮V泛應用于磁性編碼器、磁阻齒輪傳感器、磁阻接近開(kāi)關(guān)、磁阻電流傳感器及無(wú)接觸電位器等器件。

2 原理和結構

鐵磁性物質(zhì)的磁化過(guò)程中的電阻值將沿磁化方向隨外加磁場(chǎng)的增強而增大,并達到飽和的這種現象稱(chēng)為磁阻效應。按照磁阻效應原理制成的KMZ10系列薄膜磁敏電阻元件采用半導體技術(shù)-薄膜工藝和微細加工技術(shù),將Ni-Fe合金用真空蒸鍍或濺射工藝沉積到硅片上,再通過(guò)微細加工技術(shù)制成一定形狀的磁敏電阻元件。

KMZ10系列薄膜磁敏電阻采用Barber結構的橋式電路元件結構示意圖及等效電路如圖1所示。由于磁阻條長(cháng)度比寬度大得多,且形狀各向異性,從而使得磁化強度沿著(zhù)磁阻條長(cháng)度的取向,這使得電流流向與磁阻條長(cháng)度方向不再平行而成45°的結構。從而極大地提高了弱磁場(chǎng)下的靈敏度,改進(jìn)了磁阻特性,擴大了線(xiàn)性區,并且可以鑒別作用磁場(chǎng)的極性。

當外加磁場(chǎng)Hy與薄膜平面平行,并與電流流向成θ角時(shí),其電阻R(θ)將隨角度θ的變化而變化,并同時(shí)出現各向異性的變化。其輸出表達式為:

V(θ)=1/2(ΔR/R0)Vincosθ (1)

其中:ΔR=R11-RL

R0=1/2(R11+RL)

ΔR/R0為各向異性效應的磁電阻比,它是由材料本身所決定的。由公式(1)可知,薄膜磁阻元件具有倍頻功能的特性,并且還能用來(lái)檢測外加磁場(chǎng)的方向。

又因為:R(θ)A+R(θ)B=R(θ)C+R(θ)D=R11+RL (2)

所以無(wú)論作用于薄膜磁阻平面的磁場(chǎng)方向如何改變,其橋式電路的總阻值總是保持不變,因而具有達100MHz的較寬頻帶。

由于薄膜磁阻元件的弱磁場(chǎng)下的靈敏度很高,因而易受外界磁場(chǎng)干擾,尤其是強磁場(chǎng)的干擾。這些干擾將使磁阻工作特性改變。因此,為增強磁阻元件工作特性的穩定性,改善線(xiàn)性度和擴大器件的線(xiàn)性測量范圍。KMZ10系列薄膜磁阻元件由于采用了內置的偏置磁場(chǎng)技術(shù),因而可以保證磁阻器件的穩定性,但同時(shí)的一定程度上降低了磁阻元件的靈敏度。KMZ10薄膜磁敏電阻元件的靈敏度與輔助偏置磁場(chǎng)(Hy)的關(guān)系曲線(xiàn)如圖2所示。

3 特性

KMZ10系列薄膜磁敏電阻元件所具有的主要特性如下:

●的弱磁場(chǎng)下,具有較高的靈敏度;

●方向性強,當外加磁場(chǎng)平行于薄膜平面時(shí),器件的靈敏度大;而當外加磁場(chǎng)垂直于薄膜平面時(shí),器件的靈敏度最小且不敏感;利用這一特性可檢測外加磁場(chǎng)的大小和方向;

●具有飽和特性,磁阻元件的阻值隨外加磁場(chǎng)強度的增大而增加,當外加磁場(chǎng)達到一定的值時(shí),KMZ210薄膜磁敏電阻元件的阻值不再增加而達到飽和。利用該特性可以檢測磁場(chǎng)方位,因而可用于GPS導航等系統;

●內置偏置磁場(chǎng)極大地提高了磁阻元件的抗干擾能力和磁阻特性的穩定性,擴大了磁阻元件線(xiàn)性檢測范圍;

●KMZ210系列磁阻元器具有較高的工作頻率特性和倍頻特性;

●具有較寬的工作溫度范圍和穩定的工作溫度性能。

4 技術(shù)參數

KMZ10系列薄膜磁阻元件的技術(shù)參數如表1所列。

表1 KMZ10系列磁敏電阻元件技術(shù)參數

  KMZ10A KMZ10B KMZ10C
工作電源 5V 5V 5V
橋阻 0.8~1.6kΩ 1.6kΩ~2.6kΩ 1kΩ~1.8kΩ
磁場(chǎng)范圍Hy ±0.5kA/m ±2kA/m ±7.5kA/m
靈敏度S 16mV/V/kA/m 4mV/V/kA/m 1.5mV/V/kA/m
內置輔偏磁場(chǎng)Hx 0.5kA/m 3kA/m 3kA/m
失調(最大) ±1.5mV/V ±1.5mV/V ±1.5mV/V
輸出溫度系數(恒壓) -0.4%/K -0.4%/K -0.4%/K
輸出溫度系數(恒流) -0.15%/K -0.15%/K -0.15%/K
橋阻溫度系數 -0.25%/K -0.25%/K -0.25%/k
工作頻寬 0~1MHz 0~1MHz 0~1MHz
工作溫度 -40℃~+150℃ 40℃~+150℃ 40℃~+150℃
封裝 SOT195 SOT195 SOT195

5 應用

KMZ10系列薄膜磁敏電阻元件可廣泛用于磁性編碼、磁阻電流傳感器和磁阻接近開(kāi)關(guān)等電路。其主要應用領(lǐng)域如下:

●可制成不同規格的磁阻電流傳感器:具體規格有1A、2A、5A、10A、20A等,該磁阻電流傳感器的電流輸入端和信號輸出端絕緣,無(wú)任何電的聯(lián)系,且具有體積小、結構簡(jiǎn)單、響應快、溫度特性好、價(jià)格低廉等特點(diǎn);

●可制成磁阻齒輪傳感器和接近開(kāi)關(guān)。該器件具有優(yōu)良溫度特性,特別適用于環(huán)境條件比較苛刻(如汽車(chē)發(fā)動(dòng)機的高溫和低溫)等環(huán)境;

●可制成無(wú)接觸電位器;

●可制成磁性編碼器;

●可制作磁性墨水文字圖形識別傳感器以完成墨水文字及圖形和識別。

6 結束語(yǔ)

薄膜磁阻元件KMZ10系列是一種結構新穎、設計獨特的磁性傳感器,它與傳統的半導體霍爾元件和InSb磁敏電阻元件相比,具有靈敏度高、溫度特性好等優(yōu)點(diǎn),其應用開(kāi)發(fā)潛力巨大,應用領(lǐng)域很廣,相信隨著(zhù)生產(chǎn)力和科技水平的提高,以磁敏電阻作核心敏感元件的傳感器必將不斷涌現,以滿(mǎn)足各行業(yè)自動(dòng)化程度越來(lái)越高的需要。

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