ST率先推出SO8窄型封裝的1Mbit串行EEPROM

　　ST推出一款新的1-Mbit串行EEPROM 芯片，這個(gè)型號為M24M01的新產(chǎn)品采用微型SO8N封裝，封裝外殼寬度僅為150-mil (3.8mm)；這個(gè)串行EEPROM是目前市場(chǎng)上唯一的在如此小的封裝內擠進(jìn)高密度存儲器芯片的半導體器件。該產(chǎn)品還有一款是采用SO8W封裝，這款產(chǎn)品內置I2C雙線(xiàn)串口，專(zhuān)門(mén)為消費電子和醫療設備設計，是保存參數經(jīng)常被修改的海量數據的理想選擇。存儲密度從1千位一直到1兆位，ST的I2C EEPROM系列是目前市場(chǎng)上的最強大的產(chǎn)品陣容。

　　M24M01支持100 kHz和400 kHz時(shí)鐘頻率，全面兼容I2C規范，1.8V到5.5V的寬工作電源電壓。 128-Kbits x 8存儲結構，支持字節和頁(yè)式寫(xiě)模式，寫(xiě)操作極快，256字節寫(xiě)操作低于5ms。改進(jìn)的輸入噪聲過(guò)濾功能可以防止器件在電氣噪聲環(huán)境中出現亂真寫(xiě)操作。數據保存能力超過(guò)40年，耐擦寫(xiě)能力不低于100萬(wàn)次擦寫(xiě)循環(huán)。工作溫度范圍-40℃到+85℃。

　　這個(gè)緊湊型產(chǎn)品的高存儲密度歸功于ST先進(jìn)的0.18微米EEPROM制造工藝。SO8N封裝的尺寸極小,將為數字電視、DVD影碟機、機頂盒和醫療設  
備制造商降低應用中的電路板空間需求提供機會(huì )，同時(shí)還能擴大設置參數、調諧信息、用戶(hù)自定義設置和其它數據的可用存儲空間。.