中國芯片制造業(yè)現狀及發(fā)展行業(yè)盤(pán)點(diǎn)

　　為改變集成電路制造技術(shù)嚴重滯后的局面，我國在1997年啟動(dòng)了“909工程”，1999年上海華虹NEC的我國第一條8英寸生產(chǎn)線(xiàn)建成投產(chǎn)。2000年在18號文的鼓勵下出現了集成電路產(chǎn)業(yè)投資熱潮，各地紛紛投資建設芯片生產(chǎn)線(xiàn)。2002年中芯國際集成電路制造(上海)有限公司的8英寸生產(chǎn)線(xiàn)(Fab1)投入運營(yíng)。2003年上海宏力半導體制造有限公司與和艦科技(蘇州)有限公司的8英寸生產(chǎn)線(xiàn)分別投產(chǎn)。2004年臺積電(上海)有限公司和上海先進(jìn)半導體制造有限公司分別啟動(dòng)8英寸生產(chǎn)線(xiàn)建設。同年，做了5年DRAM制造的上海華虹NEC轉向芯片代工。

　　2005年4月，中芯國際(北京)建成了我國第一條12英寸生產(chǎn)線(xiàn)。韓國海力士半導體公司(Hynix)和意法半導體微電子公司(STMicroelectronics)合資，于2006年10月在蘇州無(wú)錫建成12英寸生產(chǎn)線(xiàn)和8英寸生產(chǎn)線(xiàn)。中芯國際(上海)在上海浦東的12英寸生產(chǎn)線(xiàn)啟動(dòng)建設，并于2007年12月正式運營(yíng)。

　　2006年后我國集成電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)建設逐步由長(cháng)三角地區和京津地區向中、西部地區和其他地區擴展。中芯國際與四川成都合作組建成都成芯半導體制造有限公司，建成西部第一條8英寸生產(chǎn)線(xiàn)。中芯國際受武漢市政府委托，由湖北省和武漢市出資建設新芯集成電路制造有限公司的12英寸生產(chǎn)線(xiàn)，由中芯國際負責運營(yíng)。

　　除建設新的生產(chǎn)線(xiàn)，原有生產(chǎn)線(xiàn)也在不斷擴建。海力士從2007年3月開(kāi)始進(jìn)行12英寸生產(chǎn)線(xiàn)的擴建，2008年5月又進(jìn)一步增加投資，將月產(chǎn)能提高到到8萬(wàn)片。從2007年起，上海華虹NEC著(zhù)手擴建8英寸生產(chǎn)線(xiàn)，另一方面，上海華虹NEC二廠(chǎng)的8英寸生產(chǎn)線(xiàn)也開(kāi)工建設，2007年10月進(jìn)入試生產(chǎn)。上海宏力半導體也計劃將8英寸生產(chǎn)線(xiàn)擴產(chǎn)至3.5萬(wàn)片/月。

　　2007年12月底，中芯國際(上海)的12英寸生產(chǎn)線(xiàn)竣工，2008年正式投產(chǎn)。同時(shí)，中芯國際放棄DRAM制造，全部轉向邏輯電路代工，這對中芯國際改善經(jīng)濟效益起到了明顯的作用。

　　2008年9月，武漢新芯半導體公司投資近100億元建成12英寸生產(chǎn)線(xiàn)，并與閃存制造商飛索公司(Spansion)合作，接受Flash工藝轉移，開(kāi)展Flash代工。2008年11月大唐微電子投資1.72億美元，入主中芯國際，并與中芯國際聯(lián)手開(kāi)發(fā)3G移動(dòng)通信產(chǎn)品。上海貝嶺(600171，股吧)把芯片制造部門(mén)獨立出來(lái)，成立上海貝嶺微電子制造有限公司，上海貝嶺股份有限公司則專(zhuān)注于集成電路設計。2008年鄭州晶誠科技有限公司投資10億美元建設的8英寸模擬電路生產(chǎn)線(xiàn)竣工投產(chǎn)。深圳比亞迪(002594，股吧)股份有限公司則以1.71億美元收購寧波中緯積體電路有限公司6英寸生產(chǎn)線(xiàn)，成立寧波比亞迪半導體有限公司，著(zhù)重發(fā)展電源管理產(chǎn)品和功率半導體器件。在此期間，華潤上華(無(wú)錫)二廠(chǎng)的8英寸生產(chǎn)線(xiàn)建成并投產(chǎn)。

　　2009年由于受全球金融危機和全球半導體市場(chǎng)深度衰退的影響，我國沒(méi)有新建和擴建芯片生產(chǎn)線(xiàn)。

　　進(jìn)入2010年，“909工程”升級改造項目上海華力微電子有限公司正式成立，并啟動(dòng)12英寸90-65-45nm生產(chǎn)線(xiàn)建設。該項目總投資約145億元，注冊資金66億元。2011年4月第一臺光刻機正式進(jìn)入，計劃2013年底全部建成，產(chǎn)能達到3.5萬(wàn)片/月。

　　我國集成電路制造業(yè)技術(shù)水平不斷提升和產(chǎn)能穩定增長(cháng)，為我國集成電路設計業(yè)的快速發(fā)展提供了技術(shù)基礎和保障，對完善產(chǎn)業(yè)鏈、提高國內產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平發(fā)揮了積極作用。集成電路制造業(yè)規模在國內外兩個(gè)市場(chǎng)的帶動(dòng)下，2000-2010年增長(cháng)近9倍。在這期間，受金融危機影響，2008、2009年連續兩個(gè)年度負增長(cháng)。2010年市場(chǎng)需求明顯好轉，制造業(yè)取得了31%的增長(cháng)，甚至一度出現產(chǎn)能緊張、供不應求的局面。

　　目前國內已建成的6英寸以上的晶圓生產(chǎn)線(xiàn)有41條，其中包括6條12英寸生產(chǎn)線(xiàn)和15條8英寸生產(chǎn)線(xiàn)，國內已成為近年開(kāi)工建設晶圓生產(chǎn)線(xiàn)最多的地區之一。

　　近10年間，我國集成電路生產(chǎn)線(xiàn)的主流技術(shù)已由5英寸、6英寸，0.5微米以上工藝水平提升到8英寸0.18微米～0.25微米，12英寸110納米、90納米和65納米、55納米/45納米。以中芯國際、華潤微電子、華虹NEC、上海宏力、上海先進(jìn)等為代表的本土集成電路企業(yè)迅速崛起。中芯國際在先進(jìn)技術(shù)制程方面的技術(shù)進(jìn)步令人矚目，其規模已位居世界第5位，技術(shù)水平正向28納米提升;華潤微電子在特殊加工技術(shù)領(lǐng)域進(jìn)步明顯，其模擬和高壓技術(shù)制程在業(yè)內獨樹(shù)一幟，處于領(lǐng)先地位。

　　據CSIP和SICA的初步統計，截止2012年，我國集成電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)數量及分布見(jiàn)表1、表2。

　　表2，中國主要集成電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)的分布

　　數據來(lái)源：SICA

　　通過(guò)引進(jìn)、消化、吸收、再創(chuàng )新，我國集成電路制造業(yè)的工藝技術(shù)水平不斷提升，與國際先進(jìn)水平的差距逐步縮小。尤其是制造業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)中芯國際一直走在國內企業(yè)的前列，2008年該公司90nm低功耗CMOS工藝投入生產(chǎn)，自主開(kāi)發(fā)的65nmCMOS工藝在2009年實(shí)現量產(chǎn)。2008年接受IBM技術(shù)轉讓的45nmBulKCMOS工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)取得顯著(zhù)進(jìn)展，當年研制出第一批45nmBulKCMOS晶圓樣品并通過(guò)IBM的驗證測試，將在2011年投入量產(chǎn)。在北京市委市政府的支持下，中芯國際在2012年前投資18億美元將北京12英寸生產(chǎn)線(xiàn)的產(chǎn)能由2萬(wàn)片/月擴充至4.5萬(wàn)片/月，在2015年前繼續投資45億美元將產(chǎn)能繼續擴充至10萬(wàn)片/月，生產(chǎn)制造工藝也將由目前的65納米提升至32納米～22納米，基本與世界先進(jìn)水平同步。

　　和艦科技(蘇州)在2008年將0.18微米CMOS工藝提升至0.16微米，后繼開(kāi)發(fā)成功的0.13微米高壓器件已投入生產(chǎn)。上海華虹NEC以0.18微米CMOS技術(shù)為基礎，開(kāi)發(fā)成功多種產(chǎn)品工藝和0.35微米BCD工藝。上海宏力自主開(kāi)發(fā)的0.12微米Flash/eFlash工藝和0.18微米嵌入式閃存工藝已用于代工生產(chǎn)。

　　在模擬電路制造方面，華潤上華、上海先進(jìn)、上海貝嶺和上海新進(jìn)等企業(yè)在近幾年著(zhù)力發(fā)展高壓BCD(200～700V)和0.35微米BCD工藝。目前這些工藝技術(shù)已經(jīng)廣泛應用于功率集成電路芯片、汽車(chē)電子芯片，以及LCD、LED等顯示驅動(dòng)芯片的制造。