半導體晶體管電路設計須知（一）
加入技術(shù)交流群
采用鉗位型開(kāi)關(guān)晶體管也能降低開(kāi)關(guān)晶體管的關(guān)斷延時(shí)， 其原理是通過(guò)鉗位電路使VBC在晶體管導通時(shí)不能增加到深飽和所需的0. 7 V, 這樣注入集電結兩側的少子很少， 使超量?jì)Υ骐姾珊苌伲?這樣儲存時(shí)間大大縮短。采用鉗位型開(kāi)關(guān)晶體管主要有兩種， 一種是在集電結并聯(lián)肖特基二極管的晶體管，由于在高溫下漏電電流較大， 其ts - Vcesat的Trade??o ff關(guān)系最差， 目前應用較少。另一種是橫向PNP鉗位型晶體管， 其結構圖如圖6所示， 它在高溫下漏電較小， 能得到較好的Trade-off關(guān)系，電流放大系數基本不變， 目前得到了越來(lái)越多的應用， 如吉林華微電子股份有限公司研發(fā)的產(chǎn)品3DD13003A 就采用了這種結構。
圖6橫向PNP鉗位型晶體管結構圖
表3是AP3765序列充電器中采用經(jīng)過(guò)10 kGy電子輻照的APT13003E 及3DD13003A 在85 V 和230 V 輸入電壓下輸出負載電流分別是0. 15 A、0.30 A、0. 45 A、0. 60 A 系統平均效率的結果。從表3中可以看出， 10 kGy電子輻照后的APT13003E的效率與3DD13003A 的效率基本相同。
表3 AP3765充電器采用以下三種開(kāi)關(guān)晶體管系統效率的比較
采用電子輻照工藝方法簡(jiǎn)單， 成本很低， 輻照后將使得開(kāi)關(guān)晶體管的反向擊穿電壓增大， 使開(kāi)關(guān)晶體管的可靠性增加， 特征頻率基本不變， 其缺點(diǎn)是電流放大系數降低， 在大功率應用時(shí)可能會(huì )無(wú)法正常導通， 因此主要應用于中小功率開(kāi)關(guān)電路中。而橫向PNP鉗位型開(kāi)關(guān)晶體管對電流放大系數基本沒(méi)有影響， 由于在側面增加了一個(gè)pn 結， 所以晶體管面積和結電容會(huì )增加， 減小了晶體管的特征頻率， 但不能提高反向擊穿電壓， 可以應用在雙極數字電路和中小功率開(kāi)關(guān)電路中。
5 結論
在較高交流輸入電壓下由于變壓器寄生電容充電造成導通損耗過(guò)大及關(guān)斷階段集電極電流“尾巴”的存在， 使得系統效率沒(méi)有改善。由于電子輻照使得導通損耗和通態(tài)損耗增加， 因此只有采用合適的電子輻照劑量才能使系統效率得到最大的提高。采用合適的電子輻照劑量的開(kāi)關(guān)晶體管與采用橫向PNP鉗位型晶體管的開(kāi)關(guān)電源系統效率基本相同。
電子鎮流器相關(guān)文章:電子鎮流器工作原理
評論