車(chē)用TPMS傳感器技術(shù)的解析
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圖3 壓力、加速度與ASIC/MCU組合封裝在一個(gè)包裝內
圖4 壓力/溫度導入孔
圖5 硅壓阻式壓力傳感器結構
圖6 加速度傳感器平面結構圖
圖7 加速度傳感器切面結構圖
同樣，加速度傳感器也是用MEMS技術(shù)制作的，圖6是MEMS加速度傳感器平面結構圖，圖7是加速度傳感器切面結構圖，圖中間是一塊用MEMS技術(shù)制作的、可隨運動(dòng)力而上下可自由擺動(dòng)的硅島質(zhì)量塊，在其與周邊固置硅連接的硅梁上刻制有一應變片，與另外三個(gè)刻制在固置硅上的應變片組成一個(gè)惠斯頓測量電橋，只要質(zhì)量塊隨加速度力擺動(dòng)，惠斯頓測量電橋的平衡即被破壞，惠斯頓測量電橋就輸出一個(gè)與力大小成線(xiàn)性的變化電壓△V。
壓力傳感器、加速度傳感器、ASIC/MCU是三個(gè)分別獨立的裸芯片，它們通過(guò)芯片的集成廠(chǎng)商整合在一個(gè)封裝的單元里，如圖8美國GE公司NPX2，圖9是去掉封裝材料后能清晰地看到這三個(gè)裸芯片，三個(gè)芯片之間的聯(lián)接、匹配也都做在其中了。
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