Inversion Semiconductor旨在實(shí)現更明亮、更快速的光刻技術(shù)

Inversion Semiconductor Inc.（加利福尼亞州舊金山）是一家 2024 年的初創(chuàng )公司，計劃利用粒子加速為下一代光刻技術(shù)開(kāi)發(fā)更亮、更可調的光源。

該公司表示，與現有系統相比，它將能夠以高達 15 倍的速度制造芯片，并且具有更精細的功能。

Inversion 加入 Lace Lithography 是一家初創(chuàng )公司，希望取代或至少被視為成熟的光刻市場(chǎng)領(lǐng)導者 ASML Holding NV 的替代品。當然，這兩家初創(chuàng )公司都看到了使用 13.5nm 波長(cháng)的極紫外光進(jìn)行光刻膠閃光曝光的進(jìn)一步開(kāi)發(fā)的挑戰。

Inversion 的光刻方法基于使用一種稱(chēng)為激光尾流場(chǎng)加速 （LWFA） 的現象來(lái)創(chuàng )建緊湊的高功率光源。Inversion 預計 LWFA 可以將用于產(chǎn)生高能光的傳統粒子加速器縮小 1,000 倍到桌面大小——即從幾公里縮小到一米左右。這是 Inversion 的支持者 Y Combinator 創(chuàng )業(yè)加速器和風(fēng)險投資公司的說(shuō)法。

LWFA 利用強激光脈沖和等離子體之間的相互作用，在非常短的距離內將電子加速到極高的能量。這個(gè)過(guò)程類(lèi)似于沖浪者在船后面乘風(fēng)波：電子在等離子體波中“沖浪”并在行進(jìn)過(guò)程中獲得能量。

調低波長(cháng)

Inversion 估計它可以使用 LWFA 在短距離內將電子加速到多個(gè) GeV 的能量。然后，這些高能電子通過(guò)自由電子激光器，該激光器使用磁性結構使電子發(fā)射精確波長(cháng)的相干光

Inversion 計劃像傳統的 EUVL 一樣使用其先進(jìn)的光源來(lái)投影圖案，但光源可調諧至 13.5nm 或更低的波長(cháng)，下一代目標為 6.7nm。此外，該公司聲稱(chēng)，它可以在相同的數值孔徑下將晶體管密度增加一倍，同時(shí)實(shí)現比當前機器高出三倍的吞吐量。光源也可能足夠亮，可以照亮多個(gè)晶圓臺，因此一個(gè)光源和四臺或八臺光刻機將進(jìn)一步提高制造效率。

該公司由擔任首席執行官的 Rohan Karthik 和首席技術(shù)官 Daniel Vega 創(chuàng )立。這兩個(gè)項目在得到 Y Combinator 創(chuàng )業(yè)孵化器的支持之前被 Entrepreneur First 計劃選中。Karthik 在英國利茲和倫敦帝國理工學(xué)院接受教育，而 Vega 在加利福尼亞州爾灣開(kāi)始接受教育，但在倫敦大學(xué)學(xué)院度過(guò)了一年，并在歐洲粒子加速研究園區 CERN 進(jìn)行了研究。

這兩位企業(yè)家在舊金山 Y Combinator 大樓的地下室建立了一個(gè)激光實(shí)驗室，并計劃與勞倫斯伯克利國家實(shí)驗室一起測試加速器原型。