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半導體周要聞-20250224

作者: 時(shí)間:2025-02-24 來(lái)源:求是緣半導體聯(lián)盟 收藏

周要聞2025-2-17 to 2025-2-21

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202502/467228.htm

1 ) 長(cháng)鑫存儲DRAM份額將達10%,重塑內存格局

根據行業(yè)報道,長(cháng)鑫存儲的DRAM市場(chǎng)份額從2024年僅為5%到今年將飆升至10%,預計可與三星電子、SK 海力士、美光建立四大方體系

TrendForce 預測,中國企業(yè)在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額將首次達到兩位數,從 2024 年第三季度的 6.0% 增加到 2025 年第三季度的 10.1%。

考慮到長(cháng)鑫存儲的低良率(正品比率),預計其在晶圓產(chǎn)能方面的份額會(huì )更高。

TrendForce集邦咨詢(xún)表示:“2025年第四季的硅片產(chǎn)能月份額為15.4%,較2024年第四季(11.8%)上升3.6個(gè)百分點(diǎn),與美光(17.4%)相近。

去年年底,該公司開(kāi)始大規模生產(chǎn)采用 16nm 工藝的 DDR5,預計今年開(kāi)始將提高 DDR5 市場(chǎng)份額。

2 ) 市場(chǎng)預測一萬(wàn)億美元

Yole Group 分析師報告稱(chēng),到 2024 年,該市場(chǎng)規模將超過(guò) 6700 億美元,比 2023 年同比增長(cháng) 1000 億美元。而這僅僅是一個(gè)開(kāi)始,在生成式人工智能繁榮的推動(dòng)下,未來(lái)幾年預計還會(huì )有強勁增長(cháng)。

Yole Group 首席分析師 Pierre Cambou 表示,預計未來(lái) 3 至 4 年,新的增長(cháng)周期將持續,主要受服務(wù)器、汽車(chē)、計算和工業(yè)細分市場(chǎng)需求的推動(dòng)。這些因素將推動(dòng)半導體器件行業(yè)在 2030 年實(shí)現 1 萬(wàn)億美元的市場(chǎng)規模。

在最新的市場(chǎng)和技術(shù)報告《2025 年上半年半導體器件行業(yè)概覽》中,Yole Group 分析了每個(gè)半導體細分市場(chǎng),并強調服務(wù)器和汽車(chē)應用的增長(cháng)率超過(guò) 10%。尤其是服務(wù)器,將實(shí)現強勁增長(cháng),到 2030 年市場(chǎng)價(jià)值將達到 3900 億美元。雖然汽車(chē)行業(yè)的增長(cháng)率高于服務(wù)器市場(chǎng),但其總價(jià)值將達到 1120 億美元。

Yole Group 的分析師還強調了計算市場(chǎng)在未來(lái)五年的積極作用,預計到 2030 年,計算市場(chǎng)的增長(cháng)率將達到 6%,達到 1500 億美元。

從組件的角度來(lái)看,DRAM、NAND 和處理器將推動(dòng)半導體器件行業(yè)的發(fā)展,到 2030 年將保持 7-8% 的穩定增長(cháng)率。

無(wú)晶圓廠(chǎng)半導體公司 Nvidia 目前以 2024 年 960 億美元的半導體設備收入領(lǐng)先行業(yè)。緊隨其后的是臺灣開(kāi)放式晶圓代工廠(chǎng)臺積電,同年晶圓代工收入為 870 億美元??偛课挥陧n國、主要為 IDM 的三星以 2024 年 830 億美元的收入位居第三。同樣是 IDM 的英特爾以 2024 年 520 億美元的收入排名第四。這四家最大的公司合計占整個(gè)半導體行業(yè)的近三分之一,涵蓋了所有商業(yè)模式。

2024 年的半導體行業(yè)

半導體行業(yè)仍然集中在關(guān)鍵地區,包括美國、中國臺灣、韓國、日本、歐洲和中國大陸。美國公司占據主導地位,市場(chǎng)份額為 56%,如果僅考慮增值貢獻,則下降至 40%。在臺灣代工廠(chǎng)的支持下,英偉達等無(wú)晶圓廠(chǎng)模式的崛起鞏固了美國的地位,而中國大陸繼續增長(cháng)為半導體設備的最大市場(chǎng)。然而,中國本土企業(yè)仍然只占該行業(yè)的 5%。

半導體器件收入在 2024 年強勁反彈,達到 6720 億美元,預計 2025 年將再增長(cháng) 16%,達到 7770 億美元。按器件類(lèi)型劃分的市場(chǎng)結構保持穩定,其中邏輯和處理器占 40%-45%,易失性存儲器占 20%-30%,電源、模擬和分立器件占 17%-23%。光電和傳感器占 12%-14%。

新的增長(cháng)周期預計將持續到 2027-2028 年,屆時(shí)可能會(huì )出現潛在的下滑。到 2030 年,我們預計復合年增長(cháng)率 (CAGR) 將達到 6.8%。

從技術(shù)角度來(lái)看,處理器和邏輯器件在 2024 年占收入的 45%,其次是內存 (25%)、電源和模擬 (24%) 以及光電和傳感器 (15%)。內存設備,尤其是 DRAM 和 NAND,預計將大幅增長(cháng),到 2030 年,DRAM 將達到 1540 億美元,NAND 將達到 1180 億美元。

3 ) HBM之后高帶寬閃存HBF也來(lái)了!

近日,SanDisk 推出的新型高帶寬閃存(High Bandwidth Flash,HBF),這項技術(shù)結合了3D NAND的容量?jì)?yōu)勢和高帶寬內存(HBM)的高速性能。HBF旨在為需要高帶寬和大容量的AI推理應用提供解決方案,并且能夠實(shí)現高達4TB的VRAM容量。

1. HBF 技術(shù)的基本原理與架構

HBF的概念類(lèi)似于HBM,它通過(guò)硅通孔(TSVs)將多個(gè)高性能閃存核心芯片堆疊在一起,并連接到一個(gè)可以并行訪(fǎng)問(wèn)閃存子陣列的邏輯芯片上。這種架構基于SanDisk的BICS 3D NAND技術(shù),采用CMOS直接鍵合到陣列(CBA)設計,將3D NAND存儲陣列鍵合在一個(gè)使用邏輯工藝技術(shù)制造的I/O芯片之上。

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傳統的 NAND 芯片設計通常將核心 NAND 閃存存儲陣列劃分為平面、頁(yè)和塊,而 HBF 似乎將芯片分解為 “眾多子陣列”,以便能夠同時(shí)進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。每個(gè)子陣列(擁有自己的頁(yè)和塊)大概都有其獨立的讀寫(xiě)路徑,這一設計理念遠超傳統的多平面 NAND 設備。目前,第一代 HBF 將使用 16 個(gè) HBF 核心芯片,SanDisk 還發(fā)明了一種專(zhuān)有的堆疊技術(shù),以實(shí)現最小的翹曲,從而能夠堆疊 16 個(gè) HBF 核心芯片,并且開(kāi)發(fā)出了可以同時(shí)從多個(gè) HBF 核心芯片訪(fǎng)問(wèn)數據的邏輯芯片。

2. HBF技術(shù)優(yōu)勢與潛在應用

SanDisk 表示,HBF 技術(shù)在相似成本下,不僅能夠提供與 HBM 相當的帶寬,還能實(shí)現 8 到 16 倍的容量提升。

第一代 HBF 可在 GPU 上實(shí)現高達 4TB 的 VRAM 容量,未來(lái)還會(huì )有更大的容量提升空間。從 SanDisk 提供的示例來(lái)看,八個(gè) HBF 堆棧擁有 4TB 的 NAND 內存,即每個(gè)堆??纱鎯?512GB,這是單個(gè) 8 層 HBM3E 堆棧(容量為 24GB)容量的 21 倍。這意味著(zhù) HBF 技術(shù)能夠為需要存儲大量數據的應用,如大型 AI 模型存儲,提供強大的支持。

3. 市場(chǎng)定位與前景

目標市場(chǎng):初期聚焦AI推理場(chǎng)景,尤其是需低功耗、高容量模型駐留的邊緣設備(如自動(dòng)駕駛、IoT)。長(cháng)期或擴展至手機端大模型本地化。

生態(tài)壁壘:作為開(kāi)放標準推廣需吸引AMD、Intel等廠(chǎng)商支持,與HBM陣營(yíng)(SK海力士、三星)競爭合作并存。

技術(shù)迭代路線(xiàn):

第一代:驗證帶寬與容量平衡,聚焦協(xié)議適配。

第二代:提升堆疊層數至24+層,引入更先進(jìn)制程邏輯層。

第三代:探索新型存儲介質(zhì)(如3D XPoint混合架構)突破耐久性瓶頸。

4. 風(fēng)險與不確定性

性能驗證缺失:目前,SanDisk 并未透露 HBF 產(chǎn)品的實(shí)際性能數據,我們無(wú)法確定 HBF 是否能達到原始 HBM(約 128GB/s)或全新的 HBM3E(在英偉達 B200 中每堆棧提供 1TB/s)的每堆棧性能 。這使得外界對于 HBF 技術(shù)在實(shí)際應用中的表現存在一定的不確定性。

耐久性爭議:NAND的讀干擾(Read Disturb)效應在長(cháng)期高吞吐讀取中可能引發(fā)數據錯誤,需硬件級糾錯機制。

行業(yè)接受度:GPU廠(chǎng)商是否愿為專(zhuān)用存儲調整架構,取決于A(yíng)I負載向更大模型演進(jìn)的速度。

 

4 ) 華虹巨虧1.8億元!

最近2個(gè)月,華虹半導體的母公司華虹集團迎來(lái)了高管換血。原華虹集團董事長(cháng)張素心宣布離任,由上海聯(lián)和投資董事長(cháng)秦健接任。原華虹半導體總裁唐均君調任公司董事會(huì )主席,由英特爾前全球副總裁白鵬接任總裁職務(wù),白鵬此前還曾擔任榮興半導體CEO。

從2024年全年來(lái)看,華虹半導體全年營(yíng)收20億美元,同比下降12%。華虹半導體表示,這主要源于平均銷(xiāo)售價(jià)格下降所致,下降量一部分被晶圓出貨量增長(cháng)抵消。

公司2024年凈虧損1.4億美元,2023年凈利潤1.3億美元,轉盈為虧。Wind數據顯示,這是公司近10年來(lái)第一次出現全年虧損。公司全年歸母凈利潤5811萬(wàn)美元。

對于華虹半導體的未來(lái)戰略走向,白鵬主持財報會(huì )時(shí)表示,華虹半導體將由55nm和65nm及以上工藝節點(diǎn),向小的工藝節點(diǎn)發(fā)展?!叭A虹半導體始終以成熟節點(diǎn)的特色工藝為專(zhuān)長(cháng),但是成熟節點(diǎn)的含義隨著(zhù)時(shí)間而發(fā)生變化,幾年前成熟節點(diǎn)的界限為40nm,我認為在接下來(lái)幾年成熟節點(diǎn)界限將是28nm,甚至22nm?!卑座i表示:“如果我們的市場(chǎng)需求向更小的工藝節點(diǎn)發(fā)展,我們也一定會(huì )將工藝節點(diǎn)發(fā)展至28nm及22nm。

5 ) DeepSeek助力之下中國國產(chǎn)AI芯片需求大增

隨著(zhù)AI技術(shù)的不斷突破和應用場(chǎng)景的拓展,未來(lái)AI算力需求將持續增長(cháng),尤其是AI推理需求激增,長(cháng)期需求增長(cháng)看好。然而,美國的出口管制加劇了國產(chǎn)替代的緊迫性,導致國產(chǎn)芯片需求大增。數據顯示,2024年國產(chǎn)AI芯片出貨量預計為30萬(wàn)枚,但市場(chǎng)需求遠超供給。

過(guò)去幾年來(lái),在美國的制裁與打壓下,中國芯片面臨國產(chǎn)化率低、技術(shù)差距等問(wèn)題,特別是先進(jìn)AI算力芯片嚴重短缺。然而,DeepSeek的出現改變了這一發(fā)展僵局,其使用高效的算法和優(yōu)化的模型架構,比如使用混合專(zhuān)家(MoE)和強化學(xué)習來(lái)降低成本。

目前,華為昇騰、沐曦、天數智芯、摩爾線(xiàn)程、壁仞科技、海光信息等中國芯片企業(yè)紛紛適配DeepSeek,不僅提升了自身產(chǎn)品的競爭力,也為國內AI產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展提供了重要支持。

其中,華為昇騰是率先宣布適配DeepSeek的芯片之一,堪稱(chēng)國產(chǎn)AI領(lǐng)域的“核彈級”爆炸。華為昇騰通過(guò)自研推理加速引擎,使DeepSeek模型在昇騰硬件上的表現達到與高端GPU相當的水平。這種合作不僅提升了DeepSeek的性能,也推動(dòng)了國產(chǎn)AI芯片在推理場(chǎng)景中的廣泛應用。

隨著(zhù)DeepSeek模型的不斷迭代,預計將進(jìn)一步推動(dòng)AI全產(chǎn)業(yè)鏈的持續發(fā)展,特別是在算力、應用、端側和數據核心投資機會(huì )方面。而華為昇騰作為國產(chǎn)AI芯片的佼佼者,預計到2025年,昇騰910C將進(jìn)一步推動(dòng)中國AI產(chǎn)業(yè)的全方位發(fā)展。

此外,DeepSeek的開(kāi)源策略和低成本特性吸引了更多開(kāi)發(fā)者使用國產(chǎn)芯片,形成需求拉動(dòng)。DeepSeek的成功,將推動(dòng)芯片設計、服務(wù)器、交換機、光模塊等上下游企業(yè)的發(fā)展,形成良性循環(huán)。

數據顯示,由于對國產(chǎn)替代的需求增長(cháng),2024年第四季度,華為昇騰在中國AI芯片市場(chǎng)的份額從3%飆升至27%,而英偉達的份額則從95%暴跌至58%。而伴隨DeepSeek的橫空出世,將加速?lài)a(chǎn)算力芯片的替代進(jìn)程。

2025年中國AI算力芯片需求將顯著(zhù)增長(cháng),主要受到AI技術(shù)發(fā)展、政策支持、市場(chǎng)需求變化、技術(shù)進(jìn)步和國產(chǎn)替代等多重因素的推動(dòng)。根據《2023-2024年中國人工智能計算力發(fā)展評估報告》,預計到2025年,中國AI芯片市場(chǎng)規模將從2023年的約1038.8億元增長(cháng)至1780億元,年均增速達到30.9%。

6 ) TechInsights預測2025年中國芯片制造設備采購支出將降至380億美元

行業(yè)咨詢(xún)機構TechInsights表示,在經(jīng)歷三年增長(cháng)之后,中國芯片制造設備的采購量今年可能會(huì )出現下降。TechInsights認為,這一下降趨勢主要受到美國出口管制政策的影響,以及中國國內市場(chǎng)需求的飽和和產(chǎn)能利用率的下降

TrendForce此前預測,到2024年底,中國大陸將有32家晶圓廠(chǎng)擴大28nm及更成熟制程的產(chǎn)能,占全球市場(chǎng)份額的比例從2023年的31%提升至39%。

2024年,中國大陸成熟芯片的出口額突破萬(wàn)億元人民幣,增速高達20.3%。這一增長(cháng)主要得益于成熟芯片在汽車(chē)、智能家居、通訊設備等領(lǐng)域的廣泛應用需求。

根據TechInsights數據,至少在過(guò)去兩年中,中國一直是晶圓制造設備的最大買(mǎi)家,2024年采購金額高達410億美元,占全球銷(xiāo)售額的40%。

TechInsights高級半導體制造分析師鮑里斯·梅托季耶夫(Boris Metodiev)在近日的一次研討會(huì )上表示,今年中國在芯片方面的支出預計將減少至380億美元,降幅為6%。同時(shí),中國在全球采購份額中的占比也將減少至20%(?),這將是2021年以來(lái)的首次下降。

此前,SEMI也預測,2025年中國大陸芯片設備市場(chǎng)將萎縮,支出回落至2023年的水平,降幅為5%-10%。此外,ASML等海外設備廠(chǎng)商也預計其在中國市場(chǎng)的收入將大幅下降,訂單量可能降至20%左右。

而美國杰富瑞集團更是分析認為,受美國制裁影響,中國芯片行業(yè)2025年資本支出可能減少100億美元。盡管中國企業(yè)前期通過(guò)囤貨緩沖了部分沖擊,但長(cháng)期設備采購能力仍受制約。

有機構預測,2024年中國在半導體設備領(lǐng)域的自給能力有所提升,自給率達到32%,但高端設備領(lǐng)域嚴重依賴(lài)進(jìn)口。

7 )華為備胎計劃2點(diǎn)0來(lái)了聯(lián)合國內2000家企業(yè)重構半導體等關(guān)鍵領(lǐng)域

華為任正非透露:“已啟動(dòng)"備胎計劃2.0",將聯(lián)合國內2000家企業(yè)重構半導體、?業(yè)軟件等關(guān)鍵領(lǐng)域的?態(tài)系統,?標是在2028年實(shí)現全產(chǎn)業(yè)鏈?主化率超過(guò)70%!

任正非還特別提到了半導體領(lǐng)域的“內功不足”。他坦言,中國目前在半導體制造方面仍存在一定的技術(shù)差距,尤其是在最先進(jìn)的生產(chǎn)工藝上。舉個(gè)例子,中國的先進(jìn)半導體制造工藝能夠生產(chǎn)等效5.5nm的芯片,但臺積電和三星早已實(shí)現了3nm工藝的量產(chǎn),領(lǐng)先至少一代。

另外,華為在半導體領(lǐng)域的努力,雖然取得了一定的成就(比如自研的麒麟芯片),但仍然面臨很多挑戰。自主光刻機技術(shù)僅能支持14nm及以下制程的生產(chǎn),而ASML的EUV光刻機可以支持3nm制程的生產(chǎn),且這臺機器幾乎是全球唯一可以生產(chǎn)如此精細芯片的設備。

任正非直言,雖然中國在半導體領(lǐng)域已經(jīng)有所突破,但與世界領(lǐng)先水平的差距依然明顯。華為目前的技術(shù)力量可以在短期內自給自足,甚至在某些領(lǐng)域達到全球一流水平,但在核心技術(shù)上的突破仍是未來(lái)發(fā)展的關(guān)鍵。

任正非在講話(huà)中提到的“備胎計劃”,是指華為在面對外部不確定性時(shí),通過(guò)自主創(chuàng )新和多元化布局,保證公司能夠在技術(shù)受限時(shí)繼續生存與發(fā)展。過(guò)去,華為的“備胎計劃”主要集中在芯片和操作系統領(lǐng)域,例如自主研發(fā)的麒麟芯片和鴻蒙操作系統。而隨著(zhù)形勢的變化,華為的“備胎計劃2.0”已經(jīng)逐漸成型,涵蓋了更多的技術(shù)領(lǐng)域,包括但不限于PC芯片、人工智能等。

8 ) 半導體10年1匹黑馬2只黑天鵝3個(gè)周期

美國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )(SIA)于當地時(shí)間2月7日發(fā)布的最新數據顯示,2024 年全球半導體銷(xiāo)售額達到 6276 億美元,同比增長(cháng)19.1%,首度突破6000億美元大關(guān)。在2015—2024年的10年時(shí)間里,全球半導體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷三個(gè)周期,兩度遭遇“黑天鵝”事件,也曾迎來(lái)一匹“黑馬”帶來(lái)的顛覆性動(dòng)能,銷(xiāo)售額接連突破4000億、5000億、6000億美元,向著(zhù)萬(wàn)億規模的目標拔節生長(cháng)。

3個(gè)周期

第一個(gè)周期是2015—2018年。本周期內,全球半導體銷(xiāo)售額突破4000億美元,年度出貨量首次突破1萬(wàn)億顆。

第二個(gè)周期是2019—2022年上半年。本周期內,全球半導體產(chǎn)業(yè)面臨一系列不穩定因素,但銷(xiāo)售額仍突破5000億美元。

第三個(gè)周期是2022年下半年—2024年,半導體逐漸走出低谷,年度銷(xiāo)售額突破6000億美元。

兩只“黑天鵝”

在這個(gè)10年周期中,除了宏觀(guān)經(jīng)濟和市場(chǎng)需求的潮起潮落,還有兩個(gè)“黑天鵝”事件,對全球半導體銷(xiāo)售額帶來(lái)深遠影響。

一是2018年開(kāi)始的地緣貿易摩擦。美國政府的貿易限制措施,對美國頭部半導體企業(yè)的營(yíng)收帶來(lái)負面影響,也沖擊了全球銷(xiāo)售額在2018年下半年和2019年的表現。波士頓咨詢(xún)公司(BCG)研報指出,貿易摩擦以來(lái),美國前 25 大半導體企業(yè)的營(yíng)收同比中位數增速大幅下滑。且這一事件,導致全球企業(yè)備貨囤貨意愿上升,從而對2020年開(kāi)始的缺芯潮起到了“推波助瀾”的作用。時(shí)至今日,地緣貿易的不確定性,仍然在影響著(zhù)全球半導體企業(yè)的海外市場(chǎng)份額獲取,以及全球化布局規劃。

另一只“黑天鵝”是新冠肺炎疫情。一方面,疫情導致全球供應鏈出現堵點(diǎn),也影響了部分廠(chǎng)商的生產(chǎn)計劃,對全球產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了一定的壓力和不確定性。但另一方面,疫情催生數字經(jīng)濟、線(xiàn)上經(jīng)濟,導致消費者對網(wǎng)絡(luò )信息產(chǎn)品需求激增。且疫情導致整車(chē)企業(yè)在2020年上半年縮小訂單量,上游芯片廠(chǎng)商對產(chǎn)能產(chǎn)量采取保守態(tài)度,為下半年的“缺芯潮”埋下伏筆。

1匹“黑馬”

而在2025年初,2024年全球半導體銷(xiāo)售額數據新鮮出爐,實(shí)際的同比增長(cháng)為19.1%,高出原先預測6個(gè)百分點(diǎn)。2023年增長(cháng)情況最好的歐洲市場(chǎng),也成了2024年下滑最多的區域市場(chǎng)。

原因就在于生成式AI這匹黑馬,改變了半導體產(chǎn)業(yè)的格局。不僅一度將最大數據中心GPU供應商英偉達送上全球市值第一的寶座,推動(dòng)第二大供應商AMD的數據中心營(yíng)業(yè)額在2024年同比增長(cháng)94%,也拉動(dòng)了HBM、先進(jìn)制程、先進(jìn)封裝、電源管理等一系列產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節和產(chǎn)品的復蘇增長(cháng)。業(yè)內人士表示,如果扣除英偉達及AI帶來(lái)的HBM需求,行業(yè)整體僅僅是剛走出低谷期。

2025年伊始,采用大規模強化學(xué)習訓練、降低成本和復雜度、開(kāi)源的Deepseek大模型,引爆全球科技圈,也點(diǎn)燃了廣大算力芯片廠(chǎng)商的熱情。龍芯中科、華為、昆侖芯、燧原科技、海光信息、天數智芯、摩爾線(xiàn)程等一批國產(chǎn)芯片企業(yè),英偉達、英特爾等國際廠(chǎng)商積極適配。2025年的全球半導體銷(xiāo)售額,能否如同2024年一般,在強化學(xué)習這一變革性AI算法的加持下取得超出預期的增長(cháng)?第四個(gè)周期將何時(shí)啟動(dòng)?誰(shuí)將是下一匹“黑馬”?不妨利用本文提供的數據、規律和信息,讓AI預判一下。

9 ) 今日震撼發(fā)布!馬斯克20萬(wàn)塊GPU煉出的Grok-3來(lái)了

北京時(shí)間2月18日12點(diǎn),馬斯克旗下xAI公司正式發(fā)布新一代大模型Grok 3。

Grok 3發(fā)布會(huì )(來(lái)源:xAI)

根據發(fā)布會(huì )上展示的數據,在數學(xué)推理、科學(xué)邏輯推理和代碼寫(xiě)作等能力表現方面,Grok 3在多項基準測試中均取得了比DeepSeek-v3、GPT-4o、Gemini-2 pro更優(yōu)的效果。在Chatbot Arena大模型盲測榜單中,Grok 3的早期版本(代號“巧克力”)也排名居首位。

此外,馬斯克在發(fā)布會(huì )直播中首次披露了Grok 3的訓練成本,稱(chēng)Grok 3訓練過(guò)程累計消耗20萬(wàn)塊英偉達GPU,訓練在xAI公司的數據中心完成。

據馬斯克介紹,首批在X平臺上預訂Grok-3的用戶(hù),將會(huì )優(yōu)先體驗到Grok-3系列模型?!半m然我們也在積極與AppStore對接,但因為上線(xiàn)這一平臺需要滿(mǎn)足他的合規等要求,所以我們最新的模型始終會(huì )是網(wǎng)頁(yè)上的?!瘪R斯克表示。

10 ) 應材停止部分中國半導體Fab廠(chǎng)設備服務(wù)

近期,應材停了一些中國大陸某些客戶(hù)的服務(wù)! 有哪些值得關(guān)注的?

第一、受中美芯片禁令影響,應用材料被迫對部分中國大陸客戶(hù)停止設備維修服務(wù)。由于美國前任總統拜登政府最后一個(gè)月公布的對華半導體出口限制新規,該公司無(wú)法滿(mǎn)足中國一些客戶(hù)的需求,而服務(wù)業(yè)務(wù)為機器提供維護和優(yōu)化,這一禁令直接沖擊了這部分業(yè)務(wù),約一半的裁員也集中在服務(wù)業(yè)務(wù),很大一部分將影響其在中國的客戶(hù)現場(chǎng)維修設備工作。

第二、出口管制預計讓?xiě)貌牧?2025 財年營(yíng)收減少4億美元,其中一半影響在第二季度顯現,約一半損失來(lái)自服務(wù)部門(mén)。

第三、中國市場(chǎng)營(yíng)收占比從去年同期45%降至31%,來(lái)自中國內存生產(chǎn)商訂單激增未延續到今年,中國市場(chǎng)銷(xiāo)售難度因貿易限制加大。



關(guān)鍵詞: 莫大康 半導體

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