安森美榮獲2024年亞洲金選車(chē)用電子解決方案供應商獎及年度最佳功率半導體獎

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導者安森美（onsemi）再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎（EE Awards Asia)之車(chē)用電子解決方案供應商獎，彰顯其在車(chē)用領(lǐng)域的卓越表現和領(lǐng)先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導體獎，基于新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù)帶來(lái)出色的效能表現獲得業(yè)界肯定。

作為全球領(lǐng)先的汽車(chē)半導體供應商，安森美致力于以創(chuàng )新的智能電源和智能感知技術(shù)推動(dòng)汽車(chē)電氣化和智能化創(chuàng )新。安森美在多個(gè)汽車(chē)電子細分領(lǐng)域繼續推出了業(yè)界領(lǐng)先產(chǎn)品，例如最新一代EliteSiC M3e MOSFET 以獨特方式降低了導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，與前幾代產(chǎn)品相比，該平臺能夠將導通損耗降低30%，并將關(guān)斷損耗降低多達50%，使其成為汽車(chē)電氣化應用的首選技術(shù)；Hyperlux?系列圖像傳感器可以應用于前視、側視、后視、環(huán)視攝像頭系統，該系列產(chǎn)品擁有2.1μm像素尺寸，領(lǐng)先業(yè)界的150dB超高動(dòng)態(tài)范圍和減少LED閃爍功能，支持向L2+級自動(dòng)駕駛的平穩過(guò)渡，超低功耗、小尺寸助力邁向交通傷亡“零愿景”。

同期獲得年度最佳功率半導體獎的安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊以卓越的功率密度行業(yè)領(lǐng)先，提供比同類(lèi)產(chǎn)品高10%的輸出功率，應用于150千瓦的逆變器中時(shí)，QDual3模塊的損耗比同類(lèi)最接近的競品降低200瓦，從而大大縮減散熱器的尺寸，非常適合用于大功率變流器，例如太陽(yáng)能發(fā)電站中央逆變器、儲能系統(ESS)、商用農業(yè)車(chē)輛（CAV）和工業(yè)電機驅動(dòng)器。

亞洲金選獎作為工程師信賴(lài)的選擇，提供年度榜單，是最佳設計解決方案的指南。此次安森美再獲其金選車(chē)用電子解決方案供應商獎，是亞洲汽車(chē)行業(yè)對安森美推動(dòng)汽車(chē)電氣化和智能化變革實(shí)力的再次認可。而第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲獎，體現了安森美在新能源功率半導體領(lǐng)域的持續技術(shù)創(chuàng )新，助力客戶(hù)實(shí)現更高能效的太陽(yáng)能電池組、工業(yè)電源和儲能系統，響應全球對節能減排和可持續發(fā)展的需求。