美國多個(gè)半導體制造項目推遲

近日，英國《金融時(shí)報》報道，盡管美國的《通脹削減法》和《芯片與科學(xué)法》提供了超過(guò)4000億美元的稅收減免、貸款和補貼，以促進(jìn)美國國內清潔能源技術(shù)和半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，但是美國制造業(yè)復興計劃因投資者按下暫停鍵而推遲。

據悉，與上述法案相關(guān)的過(guò)億美元大項目共114個(gè)，總投資2279億美元，但其中總計投資約840億美元的項目進(jìn)度滯后兩個(gè)月至數年，甚至無(wú)限期停擺，其中不乏半導體項目。相關(guān)企業(yè)表示，市場(chǎng)狀況惡化、需求放緩，以及本土政策缺乏確定性，導致廠(chǎng)商改變了投資計劃。

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臺積電亞利桑那州工廠(chǎng)推遲投產(chǎn)

8月13日，臺積電公布多項董事會(huì )決議，包括核準近300億美元資本預算。其中，臺積電核準不超過(guò)75億美元額度，增資百分之百持股子公司TSMC Arizona，即臺積電亞利桑那子公司。

按照規劃，臺積電未來(lái)幾年將在美國亞利桑那州建設3座工廠(chǎng)，總計投資達650億美元。不過(guò)，《紐約時(shí)報》最新消息顯示，臺積電宣布建廠(chǎng)以來(lái)四年時(shí)間過(guò)去，臺積電亞利桑那州工廠(chǎng)尚未生產(chǎn)出一顆芯片。業(yè)界分析，文化差異，勞動(dòng)力資源面臨與英特爾的競爭，兩大因素使得臺積電亞利桑那州工廠(chǎng)面臨挑戰，并推遲投產(chǎn)。

2020年5月臺積電宣布在亞利桑那州建設晶圓廠(chǎng)時(shí)，計劃2021年開(kāi)始建設，目標量產(chǎn)時(shí)間是2024年。第二座晶圓廠(chǎng)則是在2020年12月份宣布，原定計劃于2026年量產(chǎn)。

今年5月臺積電官網(wǎng)顯示，亞利桑那州首座晶圓廠(chǎng)延期至2025年上半年投產(chǎn)，第二座晶圓廠(chǎng)也將其延期至2028年量產(chǎn)。

至于第三座晶圓廠(chǎng)，臺積電尚未披露動(dòng)工的時(shí)間，官方表示計劃在本世紀30年代末開(kāi)始投產(chǎn)。

按照臺積電規劃，亞利桑那州第一座工廠(chǎng)將采用4nm制程技術(shù)，第二座工廠(chǎng)將采用2nm技術(shù)，第三座工廠(chǎng)則將采用2nm或更先進(jìn)制程工藝。

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英特爾俄亥俄州工廠(chǎng)延遲建設

美國本土半導體廠(chǎng)商英特爾計劃未來(lái)五年在美國投入1000億美元，在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州以及俄勒岡州投資新建芯片工廠(chǎng)以及擴大現有產(chǎn)能，創(chuàng )造1萬(wàn)個(gè)制造業(yè)工作崗位和2萬(wàn)個(gè)建筑業(yè)崗位。

2月外媒報道，由于市場(chǎng)低迷以及美國補貼發(fā)放延遲，英特爾推遲了俄亥俄州200億美元規模的芯片項目。英特爾將在俄亥俄州建設兩家新的尖端晶圓廠(chǎng)，計劃2025年開(kāi)始芯片制造，經(jīng)過(guò)調整，英特爾俄亥俄州一號項目的Fab1和Fab2兩座工廠(chǎng)將推遲至2026~2027年完工，約2027~2028年正式投運。

隨著(zhù)芯片制程不斷向3nm、2nm邁進(jìn)，晶圓廠(chǎng)的投資金額也水漲船高，半導體廠(chǎng)商面臨資金緊張的壓力。這一背景下，英特爾不但推遲了美國俄亥俄州工廠(chǎng)建設，而且對歐洲的工廠(chǎng)做出了延期調整。

其中，英特爾在德國馬格德堡投資300億歐元興建的Fab 29.1和Fab 29.2兩座晶圓廠(chǎng)原本計劃在2023年下半年開(kāi)工，但是由于歐盟補貼的推遲確認、建廠(chǎng)地區需要移除黑土，英特爾已經(jīng)將開(kāi)工時(shí)間將推遲到2025年5月。此外，英特爾還暫停了對法國和意大利的投資計劃。

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三星泰勒晶圓廠(chǎng)延期

三星計劃在美國得克薩斯州建設包括兩座先進(jìn)邏輯代工廠(chǎng)和一座先進(jìn)封裝工廠(chǎng)在內的半導體產(chǎn)業(yè)集群，美國將提供至多64億美元補貼。

其中，三星位于美國得克薩斯州泰勒市的首座晶圓廠(chǎng)已于2022年動(dòng)工，原定于2024年投產(chǎn)，可提供4nm制程生產(chǎn)能力。不過(guò)，今年5月媒體報道三星已將該座晶圓廠(chǎng)的量產(chǎn)時(shí)間從2024年底推遲到了2026年，原因可能與晶圓代工市場(chǎng)增勢放緩以及美國補貼發(fā)放進(jìn)度緩慢有關(guān)。

另?yè)襟w報道，隨著(zhù)晶圓廠(chǎng)延期建設，三星可能將上述工廠(chǎng)先進(jìn)制程技術(shù)從4nm升級至2nm，以便在先進(jìn)制程領(lǐng)域，與臺積電、英特爾、Rapidus等廠(chǎng)商進(jìn)行競爭。