存儲行業(yè)市場(chǎng)迎來(lái)反轉，國產(chǎn)賽道競爭激烈

1 AI崛起、終端復蘇及供求變化驅動(dòng)儲存市場(chǎng)復蘇

隨著(zhù)AI的大規模普及，半導體行業(yè)市場(chǎng)迎來(lái)了新的浪潮，受到大模型時(shí)代的高算力、大存儲的現實(shí)需求推動(dòng)，下游市場(chǎng)復蘇疊加AI浪潮驅動(dòng)，將GPU及存儲需求迅速提升。

對于NAND行業(yè)而言，NAND閃存類(lèi)存儲本身處在A(yíng)I生態(tài)鏈中，任何數據如果沒(méi)有SSD便無(wú)法運轉起來(lái)，因此大模型興起客觀(guān)上就會(huì )引發(fā)對NAND需求。

根據功能性及使用的主要存儲芯片類(lèi)型不同，半導體存儲器分為易失性存儲芯片（簡(jiǎn)稱(chēng)RAM）和非易失性存儲芯片（簡(jiǎn)稱(chēng)ROM）。

RAM可分為靜態(tài)隨機存儲器（簡(jiǎn)稱(chēng)SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機存儲器（簡(jiǎn)稱(chēng)DRAM）兩類(lèi)，SRAM 不需要周期性地刷新，速度比較快，但成本也較高，是利基存儲；DRAM需要周期性地刷新，速度較慢，但成本較低，是大宗存儲。

ROM主要包括掩膜型只讀存儲器、可編程只讀存儲器、快閃存儲器（簡(jiǎn)稱(chēng)Flash）?？扉W存儲器的主流產(chǎn)品為NOR Flash 和NAND Flash，其中NAND 是大宗存儲，NOR 是利基存儲。

目前存儲芯片市場(chǎng)主要以DRAM 和NAND Flash 為主。其中，DRAM 市場(chǎng)規模最大，占比約為55.9%。NAND Flash 占比約為44.0%。

圖1

而存儲產(chǎn)業(yè)鏈也分為上游、中游及下游。

上游是原材料和半導體設備，原材料主要以硅片、光刻膠、電子特種氣等為主；半導體設備主要以光刻機、刻蝕設備、檢測與測試設備等為主。

中游包括制造、封測和集成模組三大環(huán)節，其中，存儲晶圓顆粒是存儲器的核心，存儲產(chǎn)品中的所有數據和信息均存儲在晶圓顆粒中；封裝測試是將存儲晶圓顆粒和主控芯片封裝在一起，并對整個(gè)存儲器進(jìn)行測試和調試；模組廠(chǎng)將存儲器和其他電子組件組合在一起，形成最終產(chǎn)品。

下游的應用則包括消費電子、信息通信、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)、高新科技等。

從應用市場(chǎng)看，手機、PC、服務(wù)器依然是存儲的三大主力應用市場(chǎng)，但與以往不同的是，在A(yíng)I 技術(shù)要求下，其對三大主力應用市場(chǎng)提出了新的存儲要求，從而推動(dòng)存儲市場(chǎng)穩步發(fā)展。并且存儲行業(yè)的市場(chǎng)集中度較高，幾家大型半導體公司占據了大部分市場(chǎng)份額。在存儲行業(yè)產(chǎn)品的市場(chǎng)占有率方面，DRAM 以超過(guò)50% 的份額穩居第一，NAND占比約為35%，NOR維持著(zhù)約2%的市場(chǎng)份額。

存儲行業(yè)市場(chǎng)規模超千億，是半導體產(chǎn)業(yè)的第二大細分市場(chǎng)。2020 年至2022 年，全球存儲市場(chǎng)規模分別為1175 億美元、1534 億美元、1392 億美元，占半導體規模的比例分別為24%、28%、27%。存儲的周期性與全球半導體整體周期性走勢一致，但波動(dòng)性遠大于其他細分品類(lèi)。

去年第一季度開(kāi)始，三星、SK 海力士、美光、西部數據和鎧俠等廠(chǎng)商紛紛宣布減少產(chǎn)能，廠(chǎng)商降低關(guān)于存儲業(yè)務(wù)的資本性支出。各大廠(chǎng)商不約而同的減產(chǎn)計劃促使存儲周期提前，在存儲需求不斷擴大的前提下，存儲芯片的價(jià)格將會(huì )上升，提前進(jìn)人復蘇周期。供給端減產(chǎn)持續，目前根據測算，自2023 年起，海外廠(chǎng)商的產(chǎn)能利用率和資本支出已顯著(zhù)減少，存儲芯片價(jià)值穩步提升。

由于存儲行業(yè)進(jìn)入新一輪上行周期，存儲產(chǎn)業(yè)鏈在2024 年第一季度的業(yè)績(jì)大幅增加，其實(shí)在2023 年的三、第四季度，存儲行業(yè)已經(jīng)開(kāi)始觸底反彈，據相關(guān)行業(yè)數據顯示，存儲價(jià)格上漲趨勢明確，行業(yè)進(jìn)入新一輪上行周期，上游存儲晶圓價(jià)格自2023 年第三季度開(kāi)始觸底反彈，至2024 年3 月已上漲30%。根據權威機構預測，2024 年第二季度，存儲行業(yè)有望延續上行趨勢。第二季度NAND Flash（閃存存儲器）合約價(jià)將強勢上漲約13%至18%，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器）價(jià)格漲幅約3% 至8%。

不少的廠(chǎng)商及企業(yè)存儲的產(chǎn)品銷(xiāo)量實(shí)現同比大幅增長(cháng)，同時(shí)受益存儲產(chǎn)品市場(chǎng)價(jià)格持續回升，公司盈利狀況顯著(zhù)提升，都相繼轉虧為盈，各大預測機構也都對今年的存儲市場(chǎng)持續看好。

美光2024 財年第二財季（截至2024 年2 月三個(gè)財務(wù)月份）報告顯示，GAAP 凈利潤為7.93 億美元，上一個(gè)財季則為虧損12.34 億美元，2023 財年同期則為虧損23.12 億美元。明顯實(shí)現大幅扭虧。

表1 美光2024財年第二財季主要數據

同樣，存儲巨頭SK 海力士也已在2023 年四季度實(shí)現扭虧至約盈利2.6 億美元?？梢?jiàn)在上游廠(chǎng)商持續減產(chǎn)效應推動(dòng)下，伴隨存儲產(chǎn)品開(kāi)始漲價(jià)趨勢后，產(chǎn)業(yè)鏈公司也逐漸開(kāi)始回歸正常盈利狀況。

江波龍業(yè)績(jì)預告指出，2023 年第四季度公司預計營(yíng)收在35 億-40 億元，同比上升超過(guò)100%，環(huán)比上升超過(guò)20%；當季度實(shí)現扭虧為盈。

內存接口芯片龍頭瀾起科技預計2024 年一季度實(shí)現營(yíng)業(yè)收入7.37 億元，較上年同期增長(cháng)75.74%；凈利潤為2.10 億元至2.40 億元，較上年同期增長(cháng)9.65 倍至11.17 倍。

自2023 年第四季度以來(lái)，存儲行業(yè)環(huán)境改善明顯，下游市場(chǎng)需求復蘇，佰維存儲的產(chǎn)品銷(xiāo)量實(shí)現同比大幅增長(cháng)，同時(shí)受益存儲產(chǎn)品市場(chǎng)價(jià)格持續回升，公司盈利狀況顯著(zhù)提升。

從已披露企業(yè)的業(yè)績(jì)情況看，多家企業(yè)一季度利潤超市場(chǎng)預期，行業(yè)景氣、板塊復蘇態(tài)勢強勁。隨著(zhù)2023 年年報、2024 年一季報逐漸披露，預計業(yè)績(jì)表現較好個(gè)股有望取得較好的相對收益。

半導體行業(yè)組織（SEMI）相關(guān)報告顯示，由于內存市場(chǎng)復蘇以及對高效能運算和汽車(chē)應用的強勁需求，全球用于前端設施的300mm 晶圓廠(chǎng)設備支出預估在2025 年首次突破1000 億美元，到2027 年將達到1370億美元的歷史新高。全球300mm 晶圓廠(chǎng)設備投資預計將在2025 年增長(cháng)20% 至1165 億美元，2026 年將增長(cháng)12% 至1305 億美元，將在2027 年創(chuàng )下歷史新高。

伴隨存儲產(chǎn)業(yè)逐漸復蘇的同時(shí)，供需關(guān)系也在變化。有機構近日指出，目前在NAND Flash 行業(yè)，今年三月起僅鎧俠和西部數據率先將產(chǎn)能利用率恢復至近九成，其余業(yè)者均未明顯增加投產(chǎn)規模。DRAM領(lǐng)域供應商此前已有所提高產(chǎn)能利用率，不過(guò)由于今年整體需求展望不佳，外加此前已大幅漲價(jià)，預計庫存回補動(dòng)能將逐漸走弱。

行業(yè)間已經(jīng)有觀(guān)點(diǎn)指出，有警惕因為存儲過(guò)分漲價(jià)，可能會(huì )抑制下游需求釋放的情形出現。

2 儲存行業(yè)國產(chǎn)替代空間大

受消費電子市場(chǎng)需求疲軟等因素影響，自2021 年以來(lái)，存儲芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)入長(cháng)達近兩年的下行周期。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029 年中國存儲芯片行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展監測及投資戰略咨詢(xún)報告》顯示，2022 年，我國存儲芯片市場(chǎng)規模約5170 億元，同比下降5.9%，2023年市場(chǎng)規模約為5400 億元。當前新一輪人工智能浪潮爆發(fā)，由AI 服務(wù)器帶來(lái)存儲芯片新的增量需求，有分析師預測，2024 年市場(chǎng)規模將恢復增長(cháng)至5513 億元。

圖2

盡管目前全球HBM 供應商主要來(lái)自韓國（SK 海力士、三星）和美國（美光），但由AI 需求所帶動(dòng)的存儲產(chǎn)業(yè)鏈需求巨大，中國存儲廠(chǎng)商抓住機遇，依然有較大發(fā)展空間。

我國企業(yè)中長(cháng)江存儲、長(cháng)鑫存儲分別在NANDFlash、DRAM市場(chǎng)中不斷發(fā)力，已在部分領(lǐng)域實(shí)現突破，逐步縮小與國外原廠(chǎng)的差距; 在NOR Flash 全球市場(chǎng)中，我國企業(yè)兆易創(chuàng )新占據前三，扮演中國半導體存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要角色。

2023 年，長(cháng)江存儲在全球存儲芯片市場(chǎng)的份額占比超過(guò)10%，成為存儲芯片市場(chǎng)上不容忽視的勢力之一。經(jīng)過(guò)十幾年的技術(shù)積累，我國已基本形成完整的存儲產(chǎn)業(yè)鏈條，并形成了長(cháng)三角、珠三角、京津環(huán)渤海與中西部四大主要產(chǎn)業(yè)聚落，產(chǎn)業(yè)集群效應強大，進(jìn)一步提高了區域生產(chǎn)效率和加深區內生產(chǎn)的分工和協(xié)作。同時(shí)，我國本土電子產(chǎn)業(yè)成長(cháng)迅速，已成為電子產(chǎn)品生產(chǎn)制造大國，本土芯片設計企業(yè)的技術(shù)能力和市場(chǎng)能力迅速發(fā)展壯大。因此，我國通過(guò)切入存儲，成為半導體強國的趨勢無(wú)法阻擋。同時(shí)，產(chǎn)業(yè)政策的支持吸引一大批高端人才回國發(fā)展，人才聚集使得國內企業(yè)逐步積累了自主知識產(chǎn)權和核心技術(shù)，為存儲芯片的國產(chǎn)替代提供了產(chǎn)業(yè)基礎，推動(dòng)自給率提升，為行業(yè)帶來(lái)新的發(fā)展機遇。

（本文來(lái)源于《EEPW》2024.5）