愛(ài)普高電容密度硅電容S-SiCap? Gen3通過(guò)客戶(hù)驗證

全球客制化存儲芯片解決方案設計公司愛(ài)普科技今日宣布，新一代硅電容(S-SiCap?, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通過(guò)客戶(hù)驗證，此產(chǎn)品具備超高電容密度及超薄(<100um薄度)等優(yōu)勢，可在先進(jìn)封裝制程中與系統單芯片(SoC)進(jìn)行彈性客制化整合，滿(mǎn)足客戶(hù)在高端手機及高性能計算(HPC)芯片的應用需求。

愛(ài)普科技的S-SiCap^?使用先進(jìn)的堆棧式電容技術(shù)(Stack Capacitor)開(kāi)發(fā)，相比傳統深溝式電容技術(shù)(Deep Trench Capacitor)的電容密度更高、體積更小更薄，且具有極佳的溫度與電壓穩定性。S-SiCap? Gen3的電容值密度可達2.5uF/mm²，操作電壓最高可支持1.2V，同時(shí)具有相當低的等效串聯(lián)電感(Equivalent Series Inductance)及等效串聯(lián)電阻(Equivalent Series Resistance)，在高頻操作下能提供優(yōu)異的穩壓能力。

S-SiCap?具有超薄、客制化尺寸的特色，在先進(jìn)封裝制程中，能滿(mǎn)足多樣整合應用并且與SoC更接近。例如：接腳側硅電容(S-SiCap? on the landside)、封裝基板內埋硅電容(S-SiCap? embedded in package substrate)、2.5D封裝應用硅電容(S-SiCap? for 2.5D packaging)、硅電容中介層(S-SiCap? in an interposer)等。

愛(ài)普科技總經(jīng)理洪志勛表示，在高端手機及HPC芯片的應用趨勢中，SoC需提供更高的效能，但同時(shí)可能會(huì )伴隨功耗增加、電壓不穩的情況，客戶(hù)為了穩定電壓，對電容規格的要求也會(huì )提高，優(yōu)化產(chǎn)品整體表現。愛(ài)普新一代S-SiCap^? Gen3超越傳統電容，電容密度更高、更薄、應用更多元，可搭配先進(jìn)封裝制程大幅提升SoC效能，在目前市場(chǎng)上極具優(yōu)勢。