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愛(ài)普高電容密度硅電容S-SiCap? Gen3通過(guò)客戶(hù)驗證
- 全球客制化存儲芯片解決方案設計公司愛(ài)普科技今日宣布，新一代硅電容(S-SiCap?, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通過(guò)客戶(hù)驗證，此產(chǎn)品具備超高電容密度及超薄(<100um薄度)等優(yōu)勢，可在先進(jìn)封裝制程中與系統單芯片(SoC)進(jìn)行彈性客制化整合，滿(mǎn)足客戶(hù)在高端手機及高性能計算(HPC)芯片的應用需求。愛(ài)普科技的S-SiCap?使用先進(jìn)的堆棧式電容技術(shù)(Stack Capacitor)開(kāi)發(fā)，相比傳統深溝式電容技術(shù)(Deep Trench Capacitor)的電容密度
- 關(guān)鍵字： 愛(ài)普 高電容密度 硅電容 S-SiCap
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