國內首款 2Tb/s 三維集成硅光芯粒成功出樣
5 月 10 日消息,國家信息光電子創(chuàng )新中心(NOEIC)公眾號昨日發(fā)布博文,攜手鵬城實(shí)驗室組建光電融合聯(lián)合團隊,成功研制出國內首款 2Tb / s 硅光互連芯粒(chiplet),且在國內首次驗證了 3D 硅基光電芯粒架構,實(shí)現了單片最高達 8×256Gb / s 的單向互連帶寬。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202405/458541.htm2Tb / s 硅基 3D 集成光發(fā)射芯粒圖源:NOEIC
2Tb / s 硅基 3D 集成光接收芯粒圖源:NOEIC
該團隊在 2021 年 1.6T 硅光互連芯片的基礎上,進(jìn)一步突破了光電協(xié)同設計仿真方法,研制出硅光配套的單路超 200G driver 和 TIA 芯片,并攻克了硅基光電三維堆疊封裝工藝技術(shù),形成了一整套基于硅光芯片的 3D 芯粒集成方案。
硅光互連芯粒的側向顯微鏡結構圖源:NOEIC
經(jīng)系統傳輸測試,8 個(gè)通道在下一代光模塊標準的 224Gb / s PAM4 光信號速率下,TDECQ 均在 2dB 以?xún)?。通過(guò)進(jìn)一步鏈路均衡,最高可支持速率達 8×256Gb / s,單片單向互連帶寬高達 2Tb / s。
8×224Gb / s 硅基光發(fā)射芯粒輸出眼圖圖源:NOEIC
成果將廣泛應用于下一代算力系統和數據中心所需的 CPO、NPO、LPO、LRO 等各類(lèi)光模塊產(chǎn)品中,為國內信息光電子技術(shù)的率先突圍探索出可行路徑。
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