日立高新技術(shù)公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統

日立高新技術(shù)公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統。GT2000利用日立高新技術(shù)在CD-SEM*1方面的技術(shù)和專(zhuān)業(yè)知識，在那里占有最大的市場(chǎng)份額。

GT2000配備了用于尖端3D半導體器件的新型檢測系統。它還利用低損傷高速多點(diǎn)測量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產(chǎn)的產(chǎn)率。

日立高新技術(shù)（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠實(shí)現高級半導體器件制造過(guò)程中的高精度、高速測量和檢測，這些半導體器件正變得越來(lái)越小型化和復雜化，并有助于提高研發(fā)和大規模生產(chǎn)中的客戶(hù)收益率。

*1.CD-SEM（特征尺寸掃描電子顯微鏡）：一種高精度測量的設備，用于檢測晶片上形成的精細半導體電路圖案的尺寸。

*2.High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻）：與傳統設備相比具有改進(jìn)的數值孔徑的極端紫外線(xiàn)（13.5nm波長(cháng)）光刻設備。

發(fā)展背景

隨著(zhù)半導體器件制造工藝的發(fā)展，N2（2納米生成節點(diǎn)）和A14（14埃生成節點(diǎn)）的研發(fā)正在進(jìn)行中。除了在現有技術(shù)的器件中應用High-NA EUV光刻之外，預期器件結構的復雜性將增加，例如GAA*3和CFET*4結構。

因此，在廣泛的測量條件下，高速數據采集以測量各種材料和結構、穩定的操作，以及在尖端半導體器件工藝開(kāi)發(fā)的研究階段和批量生產(chǎn)中改進(jìn)工具到工具匹配的需求正在進(jìn)一步增加。

*3.GAA（Gate All Around）：全環(huán)繞柵極晶體管。

*4. 垂直堆疊互補場(chǎng)效應晶體管技術(shù)（CFET）：堆疊互補晶體管，其中n-型和p-型器件被堆疊。

關(guān)鍵技術(shù)

1.用于High-NA EUV工藝的100V超低加速電壓和超高速多點(diǎn)測量功能

在High-NA EUV光刻工藝中，所使用的抗蝕劑更薄，因此，為了以高精度測量抗蝕劑，計量工具必須盡可能少地對抗蝕劑造成損壞。GT2000通過(guò)將開(kāi)創(chuàng )性的100V超低加速電壓與我們專(zhuān)有的高速掃描功能相結合，實(shí)現了低損傷和高精度測量。此外，配備超高速多點(diǎn)測量模式，可快速確定制造工藝條件，檢測研發(fā)階段的異常情況。

2.用于3D器件結構的高靈敏度檢測系統

具有諸如GAA、CFET和3D存儲器等結構的3D設備除了傳統的CD測量之外，還需要測量圖案的深度、孔洞和溝槽的底部。GT2000配備了一個(gè)新的高度靈敏的檢測系統，能夠有效地檢測背散射電子，能夠實(shí)現越來(lái)越復雜的設備結構的高精度成像，并擴大了新測量應用的可能性。

3.新的平臺和新的電子光學(xué)系統，以提高工具對工具的匹配

負責過(guò)程監控的CD-SEEM最重要的性能要求之一是多個(gè)工具之間測量值的差異很小。GT2000新平臺和電子光學(xué)系統經(jīng)過(guò)重新設計，以消除任何導致測量值差異的因素，從而改進(jìn)工具到工具的匹配。

日立高新技術(shù)公司通過(guò)提供GT2000以及使用電子束技術(shù)的測量系統和光學(xué)晶片檢測系統，努力滿(mǎn)足客戶(hù)在半導體制造過(guò)程中的各種加工、測量和檢測需求。將繼續為產(chǎn)品提供創(chuàng )新和數字增強的解決方案，以應對未來(lái)的技術(shù)挑戰，并與客戶(hù)一起創(chuàng )造新的價(jià)值，同時(shí)為尖端制造做出貢獻。