中美半導體產(chǎn)業(yè)政策的博弈

1950 年以后，集成電路、計算機陸續被發(fā)明出來(lái)，人類(lèi)進(jìn)入電子信息技術(shù)時(shí)代。1958 年，美國將信息傳輸和計算機結合起來(lái)，首創(chuàng )數據通信方式，從此，數據通信開(kāi)始直接介入社會(huì )生產(chǎn)，并成為社會(huì )生產(chǎn)的重要組成部分。人類(lèi)開(kāi)啟了信息技術(shù)革命的按鈕。

自信息技術(shù)革命爆發(fā)以來(lái)，作為產(chǎn)業(yè)基礎，半導體技術(shù)的重要性只有增強，沒(méi)有減弱。發(fā)展到今天，它的地位和作用又發(fā)展到了一個(gè)新高度，特別是在多種因素共同發(fā)揮作用的情況下，全球半導體產(chǎn)業(yè)拉開(kāi)了新發(fā)展階段的序幕，這些因素包括：集成電路制造技術(shù)前進(jìn)速度明顯放緩，美國全面限制中國大陸電子半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，新冠疫情在全球范圍內爆發(fā)。

在以上三個(gè)因素當中，美國對中國大陸產(chǎn)業(yè)的打壓是重心，集成電路制造技術(shù)前進(jìn)速度明顯放緩是產(chǎn)業(yè)背景和基礎，而新冠疫情在全球范圍內爆發(fā)是催化劑。在它們的共同作用下，半導體產(chǎn)業(yè)的全球化恐怕將逐步退出歷史舞臺，用臺積電創(chuàng )始人張忠謀的話(huà)講：半導體業(yè)的全球化已死。

近些年，中國大陸半導體業(yè)的發(fā)展速度越來(lái)越快，這與過(guò)去半個(gè)多世紀的情況形成了鮮明對比。早些年，特別是在 1990 年之前，中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)處于極緩慢的發(fā)展期，與當時(shí)全球半導體業(yè)——特別是美國和日本——的發(fā)展態(tài)勢正相反。而 1990 年以后，特別是自 2014 年開(kāi)始，在不斷增加的經(jīng)驗和教訓加持下，中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展明顯提速，朝陽(yáng)產(chǎn)業(yè)色彩明顯。而以美國為代表的半導體產(chǎn)業(yè)，已經(jīng)處于成熟期，發(fā)展速度減緩，與中國大陸相比，優(yōu)勢越來(lái)越弱。在這種情況下，美國要保持、甚至擴大原有優(yōu)勢，就要采取非常規措施，這也是近幾年全球各種芯片法案「層出不窮」的重要原因。

無(wú)論是中國大陸的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策，還是美歐日韓的芯片法案，都對各自國家和地區的產(chǎn)業(yè)發(fā)展發(fā)揮著(zhù)重要作用，特別是中國大陸，其作用更加明顯和深入，也可以說(shuō)，在不同時(shí)期，不同的半導體產(chǎn)業(yè)政策形成了不同的產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程和結果。

中國半導體產(chǎn)業(yè)政策的發(fā)展和特點(diǎn)

粗略劃分，中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)政策經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段，分別是 1949-1990 年，1990-2014 年，2014 至今。這三個(gè)階段的政策都不同，產(chǎn)生的效果也有很大差異。

1949-1990 年，跨度比較大，在這個(gè)階段，特別是前 20 年（1949-1969 年），中國大陸半導體業(yè)與先進(jìn)國家和地區（主要是美國）基本處于同一起跑線(xiàn)，在那段時(shí)間，美國的集成電路產(chǎn)業(yè)也剛起步不久，領(lǐng)先中國不多。在這 20 年中，中國針對半導體業(yè)出臺的政策并不多，直到 1965 年，才取得了突破性成果，即第一塊硅基數字集成電路研制成功，開(kāi)創(chuàng )中國集成電路產(chǎn)業(yè)史。

相對于前 20 年，中國在后 20 年（1970-1990）出臺的半導體產(chǎn)業(yè)政策增多了，例如：1982 年，國務(wù)院成立電子計算機和大規模集成電路領(lǐng)導小組，制定了中國集成電路發(fā)展規劃，提出「六五」期間要對半導體工業(yè)進(jìn)行技術(shù)改進(jìn)；1989 年，當時(shí)的機電部在無(wú)錫召開(kāi)「八五」集成電路發(fā)展戰略研討會(huì )，提出振興集成電路的發(fā)展戰略；1990 年，國務(wù)院決定實(shí)施「908」工程。在這個(gè)階段，取得的成果也多了起來(lái)，例如：1982 年，無(wú)錫 742 廠(chǎng)從東芝引進(jìn)電視機集成電路生產(chǎn)線(xiàn)，這是中國第一次從國外引進(jìn)集成電路技術(shù)；1985 年，我國第一塊 64K DRAM 在無(wú)錫 742 廠(chǎng)試制成功。然而，在這 20 年里，中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展與國際先進(jìn)水平的差距在逐漸拉大，也可以說(shuō)，這 20 年是中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展落后于全球的關(guān)鍵期。

1990-2014 年，這是業(yè)界一直爭論的「貿工技」和「技工貿」路線(xiàn)發(fā)展期，實(shí)際情況是「貿工技」占上風(fēng)。在這一時(shí)期，中國出臺的半導體產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策比之前的 40 年多了很多，例如：1995 年，我國啟動(dòng)了推動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的「909 工程」，主要涉及的內容包括兩大項目，一是中央與上海共同投資建立了 8 英寸晶圓廠(chǎng)——華虹微電子（后更名為華虹集團），二是積極推動(dòng)面向市場(chǎng)經(jīng)濟的集成電路企業(yè)發(fā)展，在追求先進(jìn)制造工藝的同時(shí)，兼顧市場(chǎng)需求，不能只依靠軍工支持，更需要形成民用市場(chǎng)的競爭力；2000 年，國務(wù)院簽發(fā) 18 號文件，加大對集成電路產(chǎn)業(yè)的扶持力度，重點(diǎn)在制造業(yè)；2006 年，推出「國家重大科技專(zhuān)項」，包括「01」專(zhuān)項，主要針對核心電子器件、高端通用芯片及基礎軟件產(chǎn)品，還有「02」專(zhuān)項，主要針對超大規模集成電路制造裝備和成套工藝；2009 年，實(shí)施國家「核高基」重大專(zhuān)項；2011 年，發(fā)布了《關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》，也被稱(chēng)為「4 號文」。

在產(chǎn)業(yè)政策的推動(dòng)下，中國集成電路產(chǎn)業(yè)取得的成果也增加了不少，例如：1991 年，首都鋼鐵公司和日本 NEC 公司成立合資公司——首鋼 NEC 電子有限公司；1997 年，上海華虹集團與日本 NEC 合資組建上海華虹 NEC 電子有限公司，承擔「909」工程超大規模集成電路生產(chǎn)線(xiàn)建設任務(wù)；1998 年，華晶與上華簽定合作生產(chǎn) MOS 晶圓合約，中國大陸開(kāi)始進(jìn)入 Foundry（晶圓代工）時(shí)代；2000 年，中芯國際成立；2002 年，「龍芯一號」研制成功，這是中國第一款批量投產(chǎn)的通用 CPU。

在這一時(shí)段（1990-2014 年），雖然中國集成電路產(chǎn)業(yè)政策及其催生出的成果空前，但相對于國際半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)達國家和地區，差距依然在擴大。之所以如此，原因比較復雜，有幾個(gè)要點(diǎn)：總體資金投入不足。半導體業(yè)是典型的技術(shù)和資金密集型產(chǎn)業(yè)，我國還處于爬坡期，需要源源不斷地資金投入，包括政府和市場(chǎng)兩方面的，這方面做的不夠好；龍頭企業(yè)，特別是 IDM 的國際競爭力不強，在這一時(shí)期，歐美日韓的半導體業(yè)之所以強大，主要就體現在 IDM 方面；人才培養體系不夠健全；在拓展國際分工合作的同時(shí)，自身核心競爭力的提升意識不足。

正是看到了這些問(wèn)題，2014 年，中央政府發(fā)布了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，正式成立「國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資基金」。自此，中國半導體產(chǎn)業(yè)邁入「大基金」時(shí)代。

2014 年至今，「大基金」及相關(guān)政策所發(fā)揮的作用越來(lái)越明顯，特別是打造本土芯片制造先進(jìn)產(chǎn)線(xiàn)方面，例如：三大存儲芯片 IDM 先后成立，且成果明顯，例如，2018 年實(shí)現了 32 層 3D NAND 閃存的量產(chǎn)，這是中國大陸在該芯片產(chǎn)品領(lǐng)域零的突破。另外，晶圓代工龍頭企業(yè)也實(shí)現了本土先進(jìn)制程芯片量產(chǎn)的歷史性突破，如果不是美國政府的干預和打壓，這些晶圓廠(chǎng)會(huì )取得更驕人的成績(jì)。

美國半導體產(chǎn)業(yè)政策的變化

在不同的發(fā)展時(shí)期，美國半導體產(chǎn)業(yè)政策也有所不同。

在集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期，也就是 1950-1970 年，美國政府對本土半導體產(chǎn)業(yè)的扶持政策力度很大，目的就是在全球半導體產(chǎn)業(yè)基本處于同一起跑線(xiàn)時(shí)期，通過(guò)政策扶持，加快本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展。具體政策包括：實(shí)施半導體稅收補貼政策，以促進(jìn)半導體產(chǎn)業(yè)商業(yè)化。在此階段，美國政府實(shí)施了以稅收優(yōu)惠為主的政策，并進(jìn)一步出臺相關(guān)措施，以完善產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，包括推動(dòng)政府采購多元化，減少市場(chǎng)門(mén)檻，支持中小企業(yè)發(fā)展等。

當本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展到一定水平，且明顯高于其它國家和地區時(shí)，美國政府的產(chǎn)業(yè)政策「存在感」就比較弱，此時(shí)，更多靠市場(chǎng)的力量對產(chǎn)業(yè)進(jìn)行調控。

當其它國家和地區的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起來(lái)，接近甚至要超過(guò)美國時(shí)，該國政府又會(huì )舉起產(chǎn)業(yè)政策「大棒」，典型代表就是 1986 年打壓日本，由于日本半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，特別是在存儲芯片方面，彼時(shí)的日本企業(yè)已經(jīng)完全壓制住了當時(shí)的英特爾，且在 1980 年前后，在全球排名前十的半導體企業(yè)榜單中，日本企業(yè)曾占有六席之多，這些都對美國造成了極大的壓力。為了削弱日本的整體競爭力，美國政府于 1985 年對日本進(jìn)行 301 調查，指控日本公司傾銷(xiāo) DRAM 等芯片產(chǎn)品。經(jīng)談判，日本在 1986 年和美國簽署了第一次《半導體協(xié)議》，規定日本停止在美國市場(chǎng)的傾銷(xiāo)，且要求日本企業(yè)購買(mǎi)美國芯片產(chǎn)品。1991 年，美國以美國企業(yè)在日本的市場(chǎng)份額不足 20% 為由，與日本簽訂了第二次《半導體協(xié)議》，1996 年，美國在日本芯片市場(chǎng)的份額超過(guò) 30%，在全球市場(chǎng)份額也達到 30%，重新成為全球半導體第一大國。

確定優(yōu)勢之后，美國的半導體政策又會(huì )處于「半隱身」狀態(tài)，產(chǎn)業(yè)發(fā)展主要依靠市場(chǎng)調控。

到了 2019 年，由于中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提速，美國的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢又被削弱，此時(shí)，其產(chǎn)業(yè)政策「大棒」再次出擊。2019 年以來(lái)，美國通過(guò)將華為列入實(shí)體管制清單、修改外國直接產(chǎn)品規則限制華為供貨、加大半導體設備、EDA 軟件工具和高端芯片的對華出口管制。2022 年 8 月，美國總統拜登簽署《2022 年芯片和科學(xué)法案》，使之正式生效，該項立法向美國半導體產(chǎn)業(yè)提供約 400 億美元政府補貼，鼓勵半導體企業(yè)在美國建廠(chǎng)。在這樣的政策指引下，臺積電「被迫」在美國建設 5nm 和 3nm 制程晶圓代工廠(chǎng)，三星也加大了在美國的晶圓廠(chǎng)投資，而美國本土 IDM 大廠(chǎng)英特爾、美光和德州儀器成為最大受益者。美國這一波操作，在促進(jìn)高水平制造業(yè)回流本土的同時(shí)，大力限制中國大陸芯片制造業(yè)的發(fā)展，客觀(guān)上阻止了半導體產(chǎn)業(yè)的全球化發(fā)展態(tài)勢。

中美半導體產(chǎn)業(yè)政策的博弈

通過(guò)以上介紹可以看出，中國半導體產(chǎn)業(yè)政策一直對本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展發(fā)揮著(zhù)關(guān)鍵性作用，它比市場(chǎng)的調控能力要強，而美國半導體產(chǎn)業(yè)政策只在對手趕上來(lái)時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵性作用，其它時(shí)段主要依靠市場(chǎng)去調控。中國半導體產(chǎn)業(yè)政策并不排外，更多體現的是多贏(yíng)態(tài)度，而美國相關(guān)政策則具有很強的「排他性」，重點(diǎn)在于維護本土產(chǎn)業(yè)高水平的領(lǐng)導力。

雖然有所不同，但中美兩國半導體產(chǎn)業(yè)政策有一個(gè)共同點(diǎn)，那就是在各自產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵時(shí)間點(diǎn)，必定會(huì )出臺對今后相當長(cháng)時(shí)期內產(chǎn)業(yè)發(fā)展發(fā)揮決定性作用的政策，這一點(diǎn)在當下再次充分體現出來(lái)了。

美國 2022 年確定的芯片法案，不僅對其本土和中國大陸，還會(huì )對全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)生深遠影響。而在不久前召開(kāi)的「兩會(huì )」上，中國政府提出要進(jìn)一步發(fā)揮舉國體制優(yōu)勢，加大對本土半導體產(chǎn)業(yè)和企業(yè)的扶持力度，因此，在可預見(jiàn)的未來(lái)，中美兩國不斷加強發(fā)展本土半導體產(chǎn)業(yè)的扶持力度，同時(shí)盡可能團結更多歐亞半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)達地區和相關(guān)企業(yè)的政策，會(huì )有更多的演進(jìn)版本，博弈會(huì )持續下去。

對中國而言，加大投入，發(fā)展本土產(chǎn)業(yè)競爭力，吸引更多國際合作伙伴的同時(shí)，還需要注意以下幾點(diǎn)：要把比較分散的半導體產(chǎn)業(yè)資源（如資金、人才等）集中起來(lái)，以形成產(chǎn)業(yè)的「拳頭」；項目上馬還需要慎重考慮，以減少不必要的資源浪費；加強監管和監督，以避免造假事件發(fā)生。