廠(chǎng)商談IGBT大缺貨：根本買(mǎi)不到！

當下半導體周期下行，半導體產(chǎn)業(yè)鏈多細分領(lǐng)域均明顯邁入到庫存調整周期。然而，在電動(dòng)車(chē)與太陽(yáng)能光伏兩大主流應用需求大增助推下，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）近期出現較大程度缺貨，不僅價(jià)格連漲，業(yè)界更以“不是價(jià)格多高的問(wèn)題，而是根本買(mǎi)不到”來(lái)形容缺貨盛況。

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IGBT供不應求，代工價(jià)格喊漲

自2020年汽車(chē)缺芯以來(lái)，汽車(chē)芯片結構性缺芯愈發(fā)明顯，IGBT一直處于緊缺狀態(tài)。在2022年下半年，其甚至超越車(chē)用MCU，成為影響汽車(chē)擴產(chǎn)的最大掣肘。

今年年初媒體消息顯示，漢磊集團于年初調漲IGBT產(chǎn)線(xiàn)代工價(jià)一成左右。據悉，漢磊掌握IGBT芯片組件龍頭英飛凌大單，在晶圓代工報價(jià)普遍回調之際，漢磊集團逆勢漲價(jià)，凸顯市況火熱。

據富昌電子2023年2月17日發(fā)布的《2023 Q1芯片市場(chǎng)行情報告》數據顯示，ST（意法半導體）、Microsemi（美高森美）、Infineon（英飛凌）、IXYS（艾賽斯）、Fairchild（仙童半導體）這5大品牌的IGBT Q1與2022年Q4的交期基本維持一致，交期依舊緊張，最長(cháng)為54周。

具體來(lái)看，在2023年第一季度中，ST的IGBT 貨期為47-52周，Microsemi的IGBT 貨期為42-52周，IXYS的IGBT 貨期為50-54周，Infineon的IGBT 貨期為39-50周，Fairchild的IGBT 貨期為39-52周。不過(guò)，這5大品牌的貨期趨勢和價(jià)格趨勢都呈穩定狀態(tài)，沒(méi)有上升的趨勢。

近日，業(yè)界人士談IGBT缺貨現象，直言“漲價(jià)搶貨已不是新鮮事，不是價(jià)格多高的問(wèn)題，而是根本買(mǎi)不到”，其分析這波缺貨潮還會(huì )延續一陣子。

業(yè)者分析，IGBT大缺貨有2大原因，一是當前太陽(yáng)能逆變器采用IGBT的比重大幅提升，二是目前半導體產(chǎn)業(yè)正處于調整期，不僅產(chǎn)能有限，而且許多產(chǎn)能都被電動(dòng)車(chē)廠(chǎng)搶走，在排擠效應下，導致IGBT大缺。

隨著(zhù)新能源車(chē)興起，對高電壓需求大增，IGBT成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展焦點(diǎn)，一輛電動(dòng)車(chē)使用的IGBT數量高達上百顆，是傳統燃油車(chē)的七到十倍。在工業(yè)用途上，則有AC伺服馬達、變頻器、風(fēng)力及太陽(yáng)能發(fā)電等綠電應用，在高壓部分則是高速鐵路等軌道運輸以及電網(wǎng)的應用。

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IGBT后，SiC成車(chē)用半導體廠(chǎng)商下一個(gè)風(fēng)口

當下SiC功率元件作為各家電動(dòng)汽車(chē)性能致勝的一大依賴(lài)技術(shù)，整車(chē)廠(chǎng)們爭相綁定未來(lái)幾年的SiC供應，IGBT供應商也不例外。

TrendForce集邦咨詢(xún)分析師龔瑞驕指出，碳化硅擁有優(yōu)越的電氣特性，傳統的硅材料無(wú)法比擬。碳化硅取代硅基IGBT是不可逆的趨勢，尤其是在800V充電架構之下，硅基IGBT已經(jīng)達到性能的極限，很難滿(mǎn)足主驅逆變器的技術(shù)需求。從下游應用來(lái)看，碳化硅組件是電動(dòng)汽車(chē)制造商未來(lái)必須考慮的核心組件，另外光伏儲能場(chǎng)景也在加速導入，因此近幾年碳化硅市場(chǎng)將維持供不應求態(tài)勢，產(chǎn)業(yè)熱度不會(huì )降低。

TrendForce集邦咨詢(xún)在最新發(fā)布的調研報告中預測，隨著(zhù)安森美、英飛凌等與汽車(chē)、能源企業(yè)合作項目的不斷增多，碳化硅功率器件的前兩大應用為新能源汽車(chē)與再生能源領(lǐng)域，分別在2022年已達到10.9億美元及2.1億美元，占碳化硅功率器件整體市場(chǎng)產(chǎn)值約67.4%和13.1%。到2023年，碳化硅功率器件整體市場(chǎng)產(chǎn)值將達到22.8億美元，年增長(cháng)41.4%。

TrendForce集邦咨詢(xún)預測，至2026年，碳化硅功率器件市場(chǎng)產(chǎn)值可望達到53.3億美元。主流應用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及再生能源，電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)值可達39.8億美元，年復合增長(cháng)率約38%；再生能源達4.1億美元，年復合增長(cháng)率約19%。

當下，IGBT主要由歐日大廠(chǎng)主導，以英飛凌市占率最高，此外日本富士電機、安森美半導體、東芝、意法半導體等也是主要供貨商，這些大廠(chǎng)近年來(lái)紛紛加碼SiC布局。

英飛凌

2023年，英飛凌將SiC、BMS、MCU當作重點(diǎn)開(kāi)拓市場(chǎng)。

2月16日，其宣布將投資50億歐元，在德國德累斯頓建設一座12英寸晶圓廠(chǎng)。據悉，該模擬/混合信號技術(shù)和功率半導體新工廠(chǎng)計劃于2026年投產(chǎn)，其生產(chǎn)的模擬/混合信號零部件和功率半導體將主要應用于汽車(chē)和工業(yè)應用。

瑞薩電子

瑞薩電子方面，去年五月其宣布將向2014年10月關(guān)閉的甲府工廠(chǎng)（山梨縣甲斐市）投資900億日元，目標在2024年恢復其300mm功率半導體生產(chǎn)線(xiàn)，生產(chǎn)包括IGBT和功率MOSFET在內的產(chǎn)品。

2022年8月，瑞薩電子宣布針對下一代電動(dòng)汽車(chē)逆變器應用，AE5代IGBT產(chǎn)品將于2023年上半年在瑞薩位于日本那珂工廠(chǎng)的200mm和300mm晶圓線(xiàn)上開(kāi)始批量生產(chǎn)。

意法半導體

意法半導體則在去年十月其宣布，將在意大利建造一座價(jià)值7.3億歐元的碳化硅晶圓廠(chǎng)。據介紹，這將是歐洲首家量產(chǎn)150mm SiC外延襯底的工廠(chǎng)，它整合了生產(chǎn)流程中的所有步驟。展望未來(lái)，ST致力于在未來(lái)開(kāi)發(fā)200mm晶圓。

安森美

2月11日，安森美正式接手了格芯一座在紐約的12英寸廠(chǎng)，并承諾為之投資13億美元。安森美表示，該工廠(chǎng)將生產(chǎn)支持電動(dòng)汽車(chē)、電動(dòng)汽車(chē)充電和能源基礎設施的芯片，將推動(dòng)公司能夠在汽車(chē)電氣化、ADAS、能源基礎設施和工廠(chǎng)自動(dòng)化的大趨勢中加速增長(cháng)。

安森美首席執行官Hassane El-Khoury 指出，在未來(lái)三年內，安森美將為SiC提供40億美元的承諾收入，2023年約為10億美元，并可能在2024年和2025年增長(cháng)約30%，達到17億美元。為了達成目標，安森美已經(jīng)將生產(chǎn)SiC的晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能翻了一番，并計劃在2023年再次翻番，然后在2024年再次翻番。

隨著(zhù)IGBT供應商不斷加碼SiC，逐步緩解當下功率半導體缺貨現狀的同時(shí)，新的技術(shù)匯入將會(huì )將會(huì )給功率半導體市場(chǎng)帶來(lái)全新體驗。