芯片補貼可能阻礙英特爾恢復昔日輝煌
美國已經(jīng)啟動(dòng)了一項雄心勃勃、耗資巨大的項目:重啟國內制造業(yè),生產(chǎn)尖端芯片,但是半導體需求下滑加劇了美國的壓力。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202303/444212.htm英特爾 (Intel) 認為,這一舉措將幫助其重新獲得全球主導地位。這不是這家美國芯片巨頭第一次被賦予超出前景的期望。
《美國芯片法》(US Chips Act) 通過(guò)貸款、對第三方的擔保和直接融資等多種形式,提供了超過(guò) 520 億美元的資金,資金將在未來(lái)幾個(gè)月到達。
英特爾有望成為最大的受益者之一,但爭奪資金的半導體公司瞄準的是一個(gè)不斷變化的目標。美國政府還出臺了額外條件,包括提供兒童保育和限制對中國實(shí)體的投資、資金不能用于回購和分紅、一些項目需要分享利潤。
英特爾可以找到解決這些問(wèn)題的方法。美國希望獲得有助于美國國家安全的項目,并減少對中國臺灣制造的芯片的依賴(lài)。與競爭對手 AMD 不同,英特爾不僅設計、還能制造芯片。
然而,自去年 8 月《芯片法案》簽署成為法律以來(lái),英特爾股價(jià)已下跌 24%。半導體需求下降只是原因之一,因為其競爭對手 AMD 的股價(jià)同期下跌了 15%。
英特爾的公司結構龐大而繁瑣,反映出它的傳統業(yè)務(wù)范圍廣大,但是英特爾并不生產(chǎn)先進(jìn)制程芯片。在營(yíng)收方面,英特爾正在增加資本的支出,以支付新工廠(chǎng)和新設計的費用。預計一比例將從五年前的 20% 左右升至 30% 左右。
在疫情期間的高支出之后,半導體需求正在重新調整,AMD 的凈利潤率也有所下降。但 AMD 沒(méi)有那么繁重的資本支出義務(wù)。其新款 Ryzen 芯片擁有人工智能功能,因此,我們預計今年 AMD 的利潤率將恢復到 21%。
芯片法案的補貼有可能降低而不是提高英特爾的競爭力,雖然這些資金可以簡(jiǎn)單地減輕英特爾提高業(yè)績(jì)的壓力,但如果資金是扭轉局面的關(guān)鍵,那么早在 10 年前就應該開(kāi)始了,當時(shí)英特爾坐擁比競爭對手更多的現金。
美銀全球研究部認為,英特爾希望通過(guò)芯片代工業(yè)務(wù)來(lái)扭轉局面的計劃面臨著(zhù)障礙。美銀分析師 Vivek Arya 重申英特爾「遜于市場(chǎng)表現」的評級,目標價(jià) 25 美元。
他寫(xiě)道:「因英特爾堅持資本密集型的集成設計/ 制造模型 (IDM),仍存有結構性挑戰,這迫使英特爾同時(shí)與靈活的競爭對手競爭。與此同時(shí),英特爾與基于 ARM 的 PC / 服務(wù)器對手的競爭才剛剛開(kāi)始?!?/span>
該分析師指出,蘋(píng)果市占持續增加,在個(gè)人電腦 ( PC) 市場(chǎng)上已約 10% 使用蘋(píng)果內部設計的芯片。蘋(píng)果處理器使用 Arm 芯片架構技術(shù),這是英特爾和 AMD 所用的 x86 芯片架構的競爭對手。
此外,在第三方芯片制造業(yè)務(wù)上,英特爾也遠落后同業(yè)。分析師指出,英特爾芯片代工服務(wù)的全球市占率不到 1%,相比之下,臺積電全球市占達 57%。
Arya 指出,其他芯片廠(chǎng)可能會(huì )擔心英特爾代工廠(chǎng) (IFS) 可能優(yōu)先制造自家芯片?!概c臺積電/ 三星相比,IFS 不僅技術(shù)落后,且規模也太小了?!?/span>
英特爾完成 1.8 納米和 2 納米生產(chǎn)節點(diǎn)開(kāi)發(fā)
近日,英特爾中國總裁兼董事長(cháng)王銳在一次活動(dòng)中表示,英特爾已經(jīng)完成了 Intel 18A(18 埃級)和 Intel 20A(20 埃級)制造工藝的開(kāi)發(fā)。這并不意味著(zhù)生產(chǎn)節點(diǎn)已準備好用于商業(yè)制造,而是英特爾已經(jīng)確定了這兩種技術(shù)的所有規格、材料、要求和性能目標。
英特爾的 20A 制造技術(shù)將依賴(lài)環(huán)柵 RibbonFET 晶體管,并將使用背面供電??s小金屬間距、引入全新的晶體管結構并同時(shí)增加背面供電是一個(gè)冒險的舉動(dòng),但預計 20A 將使英特爾超越公司的競爭對手——臺積電和三星代工廠(chǎng)。英特爾計劃在 2024 年上半年開(kāi)始使用該節點(diǎn)。
英特爾的 18A 制造工藝將進(jìn)一步完善公司的 RibbonFET 和 PowerVia 技術(shù),并縮小晶體管尺寸。該節點(diǎn)的開(kāi)發(fā)顯然進(jìn)展順利,以至于英特爾將其推出時(shí)間從 2025 年推遲到 2024 年下半年。英特爾最初計劃為其 1.8 埃節點(diǎn)使用具有 0.55 數值孔徑 (NA) 光學(xué)器件的 ASML Twinscan EXE 掃描儀,但由于它決定盡快開(kāi)始使用該技術(shù),它將不得不依賴(lài)于大量使用具有 0.33 NA 光學(xué)器件的現有 Twinscan NXE 掃描儀,以及 EUV 雙圖案化。
該公司本身預計其 1.8 納米級制造技術(shù)將在 2024 年下半年進(jìn)入大批量制造 (HVM) 時(shí)成為業(yè)界最先進(jìn)的節點(diǎn)。英特爾的 20A 和 18A 制造技術(shù)正在為公司自己的產(chǎn)品以及 IFS 為其代工客戶(hù)生產(chǎn)的芯片而開(kāi)發(fā)。
英特爾首席執行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 在最近與分析師舉行的電話(huà)會(huì )議上表示:「我們與 10 大代工客戶(hù)中的 7 家有積極的合作渠道,并且渠道持續增長(cháng),包括 43 家潛在客戶(hù)和生態(tài)系統合作伙伴測試芯片和投資者?!埂复送?,我們繼續在 Intel 18A 上取得進(jìn)展,并且已經(jīng)與我們的主要客戶(hù)分享了 PDK 0.5(工藝設計套件)的工程版本,并預計在未來(lái)幾周內發(fā)布最終產(chǎn)品?!?/span>
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