英飛凌科技:迎接低碳化和數字化新挑戰

以萬(wàn)物互聯(lián)、高效清潔能源、綠色智能個(gè)性化出行為代表的低碳化、數字化長(cháng)期發(fā)展趨勢是未來(lái)十年塑造世界的主要力量，會(huì )逐漸滲透到各個(gè)行業(yè)，推動(dòng)著(zhù)半導體需求的持續增長(cháng)。

2022 年對于英飛凌來(lái)說(shuō)是創(chuàng )紀錄的一年。 由于敏銳地抓住了低碳化發(fā)展和數字化轉型的趨勢，基于正確的戰略性定位，英飛凌在過(guò)去幾年營(yíng)收和利潤持續增長(cháng)，2022 財年錄得營(yíng)收142.18 億歐元，同比增長(cháng)29%，創(chuàng )下了新高。

數字化、低碳化的發(fā)展趨勢還在進(jìn)一步加速，所以，現在正是設定一個(gè)更具雄心的目標運營(yíng)模式的時(shí)機。英飛凌上調了其長(cháng)期財務(wù)目標，預計2023 財年的總營(yíng)收將達到155 億元左右，增長(cháng)率約為10%。

不僅如此，英飛凌正在通過(guò)計劃投資建設新工廠(chǎng)，持續貫徹公司的戰略，并前瞻性地為公司的持續盈利性增長(cháng)夯實(shí)基礎。我們計劃繼續擴大其300 mm 晶圓制造能力，以滿(mǎn)足預期的模擬/ 混合信號和功率半導體加速增長(cháng)的需求。新工廠(chǎng)計劃落址于德國的德累斯頓。該工廠(chǎng)計劃總投資50 億歐元，是英飛凌歷史上最大的單筆投資。這也將增強英飛凌作為一家全球功率系統半導體領(lǐng)導企業(yè)的地位。

有鑒于2022 年的走勢，供應鏈在2023 年依然會(huì )面臨較大挑戰，但主要呈現的是結構性特點(diǎn)。對于一些產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，短缺仍然存在，這種緊缺狀況很可能持續到2023 年。然而，由于疫情導致的高需求產(chǎn)品的繁榮階段如消費電子、支持居家工作的設備等即將結束，個(gè)人電腦、消費電子和智能手機等市場(chǎng)的需求正在減弱。因此，某些技術(shù)節點(diǎn)的產(chǎn)能預計會(huì )有一些緩解，更多產(chǎn)能被重新分配給汽車(chē)和工業(yè)產(chǎn)品?？偟膩?lái)說(shuō)，緊缺狀況在2022 年有所改善，并預計在2023 年有進(jìn)一步的改善。但仍然需要密切關(guān)注整個(gè)市場(chǎng)呈現出的結構性異步波動(dòng)的特點(diǎn)，并對產(chǎn)能提前做出科學(xué)研判和精準規劃。

在英飛凌的目標市場(chǎng)上，低碳化和數字化的趨勢越發(fā)強勁。電動(dòng)出行、可再生能源、數據中心和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的應用在未來(lái)幾年將繼續強勁和可持續地增長(cháng)，對半導體的結構性需求正在增加。堅持英飛凌的戰略定位，我們將在這一趨勢中取得長(cháng)足的發(fā)展。

以“讓生活更便利、更安全、更環(huán)?！睘槭姑?，英飛凌的氣候戰略建立在兩個(gè)支柱之上：一方面，我們通過(guò)提高能源利用率實(shí)現低碳制造，使用清潔能源，減少直接碳排放，并促進(jìn)資源循環(huán)利用。我們目標是到2025年，將二氧化碳排放量較2019 年減少70%，到2030 年實(shí)現碳中和；另一方面，我們通過(guò)提供更高能效的產(chǎn)品和解決方案，幫助整個(gè)社會(huì )實(shí)現節能減排。經(jīng)統計，英飛凌的高能效產(chǎn)品廣泛應用于新能源發(fā)電等各類(lèi)應用中，在2022 財年為整個(gè)社會(huì )帶來(lái)的二氧化碳減排量達1 億 t。而英飛凌在2022 財年的二氧化碳排放量?jì)H為300 萬(wàn) t，比率為33:1，這意味著(zhù)英飛凌每1 t 的碳排放，能夠撬動(dòng)起33 t 的碳減排。

英飛凌在SiC方面的競爭優(yōu)勢

SiC 是新材料，新技術(shù)，所以從材料、供應鏈到應用的成熟需要一個(gè)過(guò)程。英飛凌花了30 年時(shí)間不斷進(jìn)行技術(shù)打磨和沉淀，而且取得了重大突破。

英飛凌自1998 年開(kāi)始在2 英寸晶圓上制造碳化硅二極管，2010 年采用4 英寸，2015 年跨入6 英寸量產(chǎn)，今天我們已經(jīng)走向8 英寸。我們在芯片、器件和應用上都積累了豐富經(jīng)驗，在創(chuàng )新的技術(shù)的基礎上，2017 年推出了溝槽柵SiC MOSFET。

1）英飛凌是第1 個(gè)采用溝槽柵做SiC MOSFET 的企業(yè)，這一創(chuàng )新的技術(shù)很好地解決了柵極氧化層的可靠性問(wèn)題，也提高了SiC MOSFET 的性能，而且每個(gè)晶圓可以比平面柵多產(chǎn)出30% 芯片。

2）英飛凌還在積極投資一些創(chuàng )新的技術(shù)，從而能夠更好的成就我們的生產(chǎn)效率和良率的提升。 2018 年我們收購了一家擁有碳化硅冷切割技術(shù)的高科技公司Siltectra。這種冷切割的芯片切割技術(shù)，對于碳化硅來(lái)說(shuō)，非常高的價(jià)值在于它可以大大的減少對硅錠的原材料的浪費，所以我們可以用同樣數量的原材料切割成加倍的晶圓來(lái)供生產(chǎn)，也降低晶圓生產(chǎn)過(guò)程中的單位能耗，這一技術(shù)可以切割成遠薄于350 μm 的晶圓。有了冷切割技術(shù)，我們8 英寸SiC 的產(chǎn)量大大提高。

3）我們在有非常高效散熱，高功率密度的封裝，寄生電感非常低的模塊封裝，我們基于增強型SiCMOSFET 芯片技術(shù)單管，采用.XT 技術(shù)的單管，最大規格低至7 mΩ；也有低至2 mΩ 的Easy3B 半橋模塊；1.7 kV 和2 kV 芯片技術(shù)及其產(chǎn)品。

4）我們產(chǎn)品定義與開(kāi)發(fā)，需要對應用的需要和客戶(hù)的需求非常了解。英飛凌功率半導體在工業(yè)和汽車(chē)應用中已經(jīng)積累了幾十年的經(jīng)驗，我們已經(jīng)建立起豐富的標準化產(chǎn)品，也有為客戶(hù)為應用定制的產(chǎn)品。

碳化硅市場(chǎng)的增長(cháng)是強勁的。最初，需求主要由工業(yè)應用驅動(dòng)，例如太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)充電等，到現在，這一需求正日益被汽車(chē)應用的高需求所超越。例如，在新能源汽車(chē)相關(guān)領(lǐng)域，續航里程和電池裝機量是關(guān)鍵，SiC 技術(shù)能夠顯著(zhù)的提升續航里程，或者相同續航里程下，降低電池裝機量和成本。因此，SiC 正在越來(lái)越多地被采用，特別是在牽引主逆變器、車(chē)載充電機OBC以及高低壓DC-DC 轉換器中。

（本文來(lái)源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2023年1月期）