TrendForce：庫存難去化 內存原廠(chǎng)罕見(jiàn)減產(chǎn)因應

根據集邦科技TrendForce調查顯示，自2021年第四季起受部分消費性電子需求走弱影響，導致內存價(jià)格進(jìn)入下跌走勢。加上高通膨、俄烏戰事與防疫封控的沖擊，旺季不旺，致使庫存壓力已由買(mǎi)方端延伸至原廠(chǎng)。

為因應前述情況，美光（Micron）上周已宣告減產(chǎn)DRAM與NAND Flash，為首家正式下調產(chǎn)能利用率的內存大廠(chǎng)。NAND Flash方面，市況相較DRAM更嚴峻，隨著(zhù)主流容量wafer合約均價(jià)已跌至現金成本，逼近各原廠(chǎng)虧損邊緣，鎧俠（Kioxia）繼美光后也公告自10月起減少NAND Flash產(chǎn)能利用率達30％。

DRAM方面，目前的合約價(jià)格仍高過(guò)于各主流供貨商的總生產(chǎn)成本，因此與NAND Flash相較，尚待觀(guān)察是否會(huì )有大幅減產(chǎn)的情形出現。美光除了提及當前在該領(lǐng)域有微幅下調產(chǎn)能利用率外，主要在強調2023年度資本支出的大幅下修，以及明年度DRAM生產(chǎn)位年成長(cháng)僅有約5％。TrendForce認為，依照美光的說(shuō)法，要達到如此保守的位成長(cháng)，代表產(chǎn)能利用率還有大幅下修空間，后續減產(chǎn)的執行程度仍待觀(guān)察。

NAND Flash方面，美光原定自今年第四季起逐步放大232層產(chǎn)品比重，然隨著(zhù)調降產(chǎn)能利用率決策落實(shí)，預估2023年美光主流制程仍會(huì )以176層為主，同時(shí)舊制程投片亦將隨之減少。鎧俠及威騰電子（WDC）原計劃在今年第四季起轉進(jìn)至162層產(chǎn)品，然由于威騰對2023年資本支出表露放緩態(tài)度，在資金難以到位且需求能見(jiàn)度差的情況下，將大幅降低162層產(chǎn)品比重，無(wú)法達成原先于2023年取代112層產(chǎn)品成為主流的計劃。

從2023年內存供需態(tài)勢分析，由于需求展望保守，因此DRAM與NAND Flash在各季度皆呈現大幅度供過(guò)于求狀態(tài)，2023上半年的庫存壓力將持續快速升高。DRAM領(lǐng)域，在美光率先宣布DRAM減產(chǎn)規劃將遠低于供給位成長(cháng)的歷史水位后，2023全年DRAM供過(guò)于求比例（Sufficiency Ratio）將由TrendForce原先預估的11.6％，收斂至低于10％，有助于改善快速惡化的庫存壓力，不過(guò)后續仍仰賴(lài)更多供貨商加入DRAM實(shí)質(zhì)減產(chǎn)行為，才能扭轉明年供需劣勢。

NAND Flash領(lǐng)域由于競爭者眾多，且制造方面未有逼近物理極限的限制，故收斂供給位是當務(wù)之急。在美光、鎧俠供給位成長(cháng)皆下修的情況下，2023全年NAND Flash供過(guò)于求比例將由原先預估的10.1％，大幅下降至5.6％，在更多NAND Flash供貨商在虧損考慮加入減產(chǎn)行列的預期下，庫存壓力可望在2023年第二季有所緩解，而價(jià)格跌幅預計在2023下半年出現收斂。