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模組內部燈條LED真實(shí)熱阻模擬測試系統研究與分析

作者:溫 存,林偉瀚,周 明,吳章強,梁邦兵(康佳集團股份有限公司,深圳 518053) 時(shí)間:2021-02-24 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏
編者按:LED封裝、模組的質(zhì)量水平,如光通量、坐標等光性能,與LED內部芯片的結溫高低密切相關(guān)。一般LED結溫高,則性能差。因此,對于LED芯片企業(yè)、LED封裝企業(yè)和LED模組整機企業(yè),了解LED芯片各層結構的熱阻顯得十分必要?,F有的測量方法有很多,如紅外熱像儀法、電學(xué)參數法、光功率法等,行業(yè)測量熱阻比較通用、靠譜的方法是電學(xué)參數法。本文采用的測試方法是基于電學(xué)參數法原理,同時(shí)利用“焊腳溫度、環(huán)境溫度”等效法,通過(guò)設計相應的PCB規格,使T3ster熱阻測試儀可測量的待測LED模塊的焊腳及環(huán)境溫度,與真實(shí)模組或整


本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202102/422929.htm

0   引言

隨著(zhù)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展以及能源的日益緊缺,半導體照明的研究獲得了很大的進(jìn)步,而半導體產(chǎn)品具有功耗低、使用壽命長(cháng)和響應時(shí)間短等眾多優(yōu)勢和發(fā)展潛力,已呈現逐漸取代傳統照明產(chǎn)品的趨勢[1]。LED是半導體照明中的關(guān)鍵器件,由于功率越來(lái)越大,大功率LED的耗散功率會(huì )導致LED芯片PN 結結溫上升,從而顯著(zhù)地影響LED的光度、色度和電氣參數,甚至可能導致器件失效[2-4]。因此,在LED的整機、應用中,如電視,會(huì )優(yōu)先考慮小,結溫低的LED。與此同時(shí),整機廠(chǎng)商不僅關(guān)注單個(gè)LED和結溫測量,更關(guān)注的是在整機或者模組狀態(tài)下內部燈條LED的真實(shí),以便為模組可靠性設計提供有力支撐。

目前行業(yè)測量LED熱阻比較通用、靠譜的方法是,使用T3ster設備,T3Ster基于先進(jìn)的JEDEC ‘Static Method’測試方法(JESD51-1),通過(guò)改變電子器件的輸入功率,使器件產(chǎn)生溫度變化,但該設備僅能測量尺度約在30 mm以?xún)鹊男∧K的LED熱阻,無(wú)法評價(jià)整機或模組狀態(tài)下的LED熱阻(如常用的32寸到65寸模組)。因此,本文研究?jì)热莸脑砘陔妼W(xué)參數方法,并在此基礎上利用“焊腳溫度、環(huán)境溫度”等效法,該方法可以真實(shí)可靠地模擬模組內部燈條LED的熱阻特性。

1   測試原理

LED是一種半導體器件,主要以熱阻來(lái)表征其本身的熱學(xué)特性。在熱平衡的條件下,2個(gè)規定點(diǎn)(或區域)溫度差與產(chǎn)生這兩點(diǎn)溫度差的熱耗散功率之比值稱(chēng)為熱阻,用Rth表示,它表征了LED的散熱能力。熱阻計算公式如下:

Rth=(Tj-Ts)/P       (1)

其中,Tj 為穩定時(shí)待測LED的結溫;Ts為穩定環(huán)境的參考點(diǎn)溫度;P是待測LED在熱傳導通道上的耗散功率,Rth為待測LED P-N結到指定參考點(diǎn)(S點(diǎn))之間的熱阻。通過(guò)式(1)可知,結到測試點(diǎn)Ts的熱阻,可由兩者之間的結溫與耗散功率比值得到。很多研究已經(jīng)表明,熱阻(結到焊腳Ts),與環(huán)境溫度、PCB設計、散熱材質(zhì)均強相關(guān),本文研究基于電學(xué)參數方法測試原理,采用的熱阻等效方法,利用“焊腳溫度、環(huán)境溫度”等效,通過(guò)設計相應的PCB規格,使T3ster熱阻測試儀可測量的待測LED模塊的焊腳及環(huán)境溫度,與真實(shí)模組或整機狀態(tài)里的LED焊腳及環(huán)境溫度相當,利用該模塊測得的熱阻等效為模組或整機狀態(tài)里的LED熱阻。其中,被測模塊與整機/模組原始燈條LED具有相同的環(huán)境溫度、LED規格、散熱材質(zhì)、驅動(dòng)電流及相同的焊腳溫度,因此用被測模塊熱阻等效原始整機/模組原始燈條LED熱阻。

2   測試系統的構成

本文研究的測試系統組成框架如圖1所示,主要由電流測試儀、整機或者模組、溫度測試儀和T3ster設備組成。在整機或者模組點(diǎn)亮狀態(tài)下,通過(guò)電流測試儀測試電路中的驅動(dòng)電流,從而確定通過(guò)燈條上LED的電流;T3ster設備測試整機或者模組內部的燈條LED熱阻;溫度測試儀測試在整機或者模組點(diǎn)亮狀態(tài)下內部的環(huán)境溫度和測試LED的焊腳溫度,從而確定T3ster設備上設置的環(huán)境溫度和LED的焊腳溫度。

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圖1系統構成

3   測量方法與步驟

1)在點(diǎn)亮狀態(tài)下,測試模組燈條的實(shí)際工作電流IF;

2)選取模組中溫升最高的LED(一般靠近電源板位置),在煲機2 h后測試該LED的焊腳溫度Ts1和模組內部環(huán)境溫度Ta1;

3)截斷該燈條上的LED,記錄尺寸為L(cháng)1,接好連接線(xiàn),放置在T3ster的恒溫槽;

4)設置恒溫槽的溫度為T(mén)a2,Ta1=Ta2,測試電流為IF。在溫度Ta2穩定后,記錄該LED溫升為T(mén)s2;

5)對比Ts1和Ts2,當Ts1>Ts2,則繼續縮小燈條PCB板的尺寸,直至Ts1=Ts2;

6)當滿(mǎn)足Ta1=Ta2,Ts1=Ts2后,測試該尺寸長(cháng)度的LED的K系數和降溫曲線(xiàn),再對降溫曲線(xiàn)提取結構函數,進(jìn)行積分結構和微分結構,從結構函數中自動(dòng)分析出該LED的熱阻;

(7)測試該LED的熱阻,即等效該LED在模組狀態(tài)下的熱阻。

4   測試過(guò)程

本次測試采用43英寸電視模組,首先點(diǎn)亮43英寸模組,用電流測試儀TDS3032B設備連接線(xiàn)夾住燈條線(xiàn),記錄43英寸模組的電流為492 mA。拆開(kāi)該43英寸模組,選擇溫升最高的LED(一般靠近電源板位置),在刮去該LED的燈條PCB銅箔,使該LED與其他LED斷開(kāi)單獨控制,再用導線(xiàn)把其他LED連接起來(lái),同時(shí)把單獨控制的LED負極連接溫度測試儀的探頭1,測試焊腳溫度Ts1,另一個(gè)探頭2放置在該LED附近,測試環(huán)境溫度Ta1,如圖2所示。裝好43英寸模組,用直流源單獨點(diǎn)亮該LED,其余正常電源板點(diǎn)亮,煲機2 h后,記錄探頭1和探頭2對應的焊腳溫度Ts1和Ta1分別為59.9 ℃、50.3 ℃。把43英寸模組測試的LED取出,連接導線(xiàn),記錄尺寸L2為14 mm×17 mm,放在T3ster設備的恒溫槽內,如圖3。設置槽內溫度為T(mén)a2=Ta1=50.3 ℃,測試電流為492 mA,一段時(shí)間后記錄此時(shí)的LED焊腳溫度Ts2為58.9 ℃。由于Ts2<Ts1,繼續縮小PCB的尺寸,當尺寸L3為14 mm×10 mm,得到的Ts3為60.3 ℃。此時(shí)焊腳溫度Ts3與在43英寸模組內部測試的焊腳溫度Ts1接近,且環(huán)境溫度相同,Ta2=Ta1=Ta3=50.3 ℃,則測試該尺寸L3的LED在不同環(huán)境溫度下的電壓值,如圖4,由式(2)得到K系數:

K =ΔT/ΔVF          (2)

然后設置環(huán)境溫度為T(mén)a2=Ta1=Ta3=50.3 ℃,輸入測試電流492 mA,一定時(shí)間后達到熱平衡,設置電流為1 mA,實(shí)現快速降溫,同時(shí)得出降溫曲線(xiàn),如圖5。通過(guò)TSP(溫度敏感參數)獲得LED的瞬態(tài)溫度變化曲線(xiàn),即將K因子關(guān)系代入電壓變化以獲得瞬態(tài)溫度變化曲線(xiàn),對冷卻曲線(xiàn)進(jìn)行數值處理并提取結構函數,得到了微分結構曲線(xiàn)和積分結構曲線(xiàn),如圖6和圖7,從曲線(xiàn)看出,一共有5個(gè)明顯的峰,代表5個(gè)不同位置的熱阻,從左到右分別為PN結內部的熱阻、結到固晶層的熱阻、結到焊盤(pán)的熱阻、結到PCB的熱阻、結到環(huán)境的熱阻,如圖8。我們測試的位置是燈條的LED負極焊腳S點(diǎn),因此,第3個(gè)峰結到焊盤(pán)的熱阻就是我們需要測試的結果,從而得出尺寸為L(cháng)2和L3時(shí)對應的熱阻為8.38 K/W和8.96 K/W,并在測試過(guò)程中得出電壓、Tj等參數。當尺寸為L(cháng)3時(shí),43英寸模組內部和恒溫槽內環(huán)境溫度Ta相同,且焊腳溫度Ts基本一致,此時(shí)尺寸L3的熱阻值可以等效為在43英寸模組內真實(shí)的熱阻。

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圖2 模組內LED連接示意圖

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圖3 恒溫槽內LED連接示意圖

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圖4 瞬態(tài)溫度響應曲線(xiàn)(K系數)

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圖5 樣品冷凝曲線(xiàn)(降溫曲線(xiàn))

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圖6 由K系數和冷凝曲線(xiàn)獲得瞬態(tài)溫度曲線(xiàn)

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圖7 代入結構函數得到L2和L3尺寸對應的熱阻

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圖8 LED不同位置熱阻示意圖

5   實(shí)驗數據及分析

通過(guò)上述的測試方法,得出43英寸模組內燈條LED的熱阻及相關(guān)光學(xué)參數,同樣的方式測得32英寸模組、50英寸模組、55英寸模組和65英寸模組,數據如表1。

表1 各種尺寸模組的數據


模組

PCB尺寸/mm2

K系數

IF/mA

VF/V

Ta/℃

Ts/℃

Tj/℃

Rth/Ω

43UHD

14×17

1.312

490

3.07

50.3

58.9

72.3

8.38

14×10

1.288

490

3.08

50.3

60.3

74.1

8.96

32HD

12×10

1.296

510

3.04

38.5

47.4

59.8

7.44

50UHD

18×14

1.261

440

3.05

38.2

47.9

58.2

7.08


55UHD

13×16

1.302

500

3.07

39.5

50.8

62.7

7.43

65UHD

14×16

1.303

500

3.06

37.7

49.9

61.3

7.22

上述表中的環(huán)境溫度Ta,與模組內部的燈條數量及排布有很大關(guān)系,43UHD模組空間小,燈條數量多,因此模組內的環(huán)境溫度比其他尺寸模組大,對應的焊腳溫度Ts、結溫Tj和熱阻也大。

根據表中熱阻的測試結果,理論計算公式Rth =(Tj -Ts)/P,式中的Tj、Ts和P=IV可在測試過(guò)程中得出,推算理論熱阻是否與實(shí)驗結果接近。如43UHD模組中,當PCB尺寸為14 mm×10 mm時(shí),環(huán)境溫度和焊腳溫度基本一致,實(shí)驗測試的熱阻為8.96 K/W,實(shí)驗過(guò)程可知Tj=74.3 ℃、Ts=60.3 ℃、P=IV= 1.509 2 W,則可得熱阻為9.14 K/W,實(shí)驗測試值與理論計算值接近。

6   結語(yǔ)

基本測試LED的原理,利用“焊腳溫度、環(huán)境溫度”等效,通過(guò)設計相應的PCB規格,使T3ster熱阻測試儀可測量的待測LED模塊的焊腳及環(huán)境溫度,與真實(shí)模組或整機狀態(tài)里的LED焊腳及環(huán)境溫度相當,該模塊測得的熱阻即可等效為模組或整機狀態(tài)里的LED熱阻。本實(shí)驗結果證實(shí)上述方法可行并具有較高的可信度,通過(guò)這種等效的辦法,可以解決T3ster設備無(wú)法評價(jià)整機或模組狀態(tài)下的LED熱阻,真實(shí)還原在模組、整機內LED熱阻發(fā)熱狀態(tài),提高整機、模組LED壽命評價(jià)方法的準確性、科學(xué)性,提升可靠性。

參考文獻:

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(本文來(lái)源于《電子產(chǎn)品世界》雜志社2020年12月期)



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