電源設計，進(jìn)無(wú)止境

低 EMI

通過(guò)減少輻射發(fā)射，降低系統成本并快速滿(mǎn)足 EMI 標準

電磁干擾 (EMI) 是電子系統中越來(lái)越重要的一個(gè)關(guān)鍵因素，在汽車(chē)和工業(yè)應用等新應用中尤其如此。低 EMI 設計可為您顯著(zhù)縮短開(kāi)發(fā)周期，同時(shí)還可減少電路板面積和解決方案成本。TI 可提供 多種功能和技術(shù)來(lái)降低所有相關(guān)頻段的 EMI。

減少過(guò)濾器尺寸和成本

●   利用 TI 先進(jìn)的擴頻技術(shù)，降低產(chǎn)生的 EMI 所帶來(lái)的影響

先進(jìn)的 EMI 緩解技術(shù)可減小無(wú)源濾波器的尺寸。

減少設計時(shí)間并降低復雜性

●   使用低電感封裝、電容器集成和先進(jìn)的柵極驅動(dòng)器技術(shù)，從根本上減少源頭產(chǎn)生的輻射發(fā)射

通過(guò)封裝內的高頻電容器集成來(lái)降低輻射噪聲。

需要低 EMI 特性的主要產(chǎn)品類(lèi)別： 降壓/升壓和反相穩壓器、隔離式偏置電源、多通道 IC (PMIC)、降壓穩壓器、升壓穩壓器

低噪音和高精度

增強電源和信號完整性，以提高系統級保護和精度為了最大限度地提高系統性能和可靠性，監控、調節和處理電源鏈中信號的能力至關(guān)重要。高精密系統需要精確的低噪聲基準電壓，以及低噪聲和低紋波的電源軌。TI 采用專(zhuān)用的工藝元件、先進(jìn)的電路和測試技術(shù)來(lái)提高精度并最大限度地減少失真。

噪聲與頻率曲線(xiàn)圖。

減少 IC 誤差源

●   利用 TI 高度優(yōu)化的低噪聲互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 工藝來(lái)減少工藝的非理想因素

●   利用先進(jìn)的電路和測試技術(shù)來(lái)降低工藝非理想因素的影響

●   采用了陶瓷封裝和電路板應力管理等先進(jìn)技術(shù)調節器件和電路板應力。

調節器件和電路板應力。

系統噪聲消減

●   技術(shù)的進(jìn)步支持通過(guò)高電源抑制比 (PSRR) 低壓降穩壓器 (LDO) 和片上濾波實(shí)現更高的系統級抗干擾和抗噪性能

高 PSRR 可實(shí)現更好的濾波和更低 的輸出噪聲。

需要低噪聲和高精密特性的主要產(chǎn)品類(lèi)別: 電池監測器和平衡器、線(xiàn)性穩壓器 (LDO)、多通道 IC (PMIC)、串聯(lián)電壓基準、并聯(lián)電壓基準、監控器和復位 IC