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國產(chǎn)128層QLC閃存問(wèn)世 武漢基地二期開(kāi)工
- 4年前的2016年，國家在武漢建設了國家存儲器基地項目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區未來(lái)科技城正式啟動(dòng)，整個(gè)項目投資高達240億美元，約合1697億元。在開(kāi)工儀式上，紫光集團、長(cháng)江存儲董事長(cháng)趙偉國介紹了項目有關(guān)情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開(kāi)工建設以來(lái)，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲器芯片工廠(chǎng)，實(shí)現了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開(kāi)工，計劃分兩期建設3D NAND
- 關(guān)鍵字： 國產(chǎn) 128層 QLC 閃存
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