意法半導體發(fā)布新抗輻射加固器件，提高航天應用能效
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為了進(jìn)一步擴大航天級抗輻射加固功率器件的產(chǎn)品組合，意法半導體近日推出了新的已通過(guò)ESCC（歐洲航天元器件協(xié)調委員會(huì )）認證的200V和400V功率整流管，以及45V和150V抗SEB[1]效應的肖特基整流管。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202005/413128.htm新推出的 抗輻射加固肖特基二極管 包括SEB耐量高達61MeV/cm2/mg LET (線(xiàn)性能量傳遞)的45V和150V產(chǎn)品，這兩款產(chǎn)品是業(yè)界首款額定SEB的肖特基二極管產(chǎn)品，適用于多種轉換器拓撲。150V和45V產(chǎn)品都可以直連100V和28V衛星電源總線(xiàn)。在40A/125°C時(shí)，150V器件的正向電壓(VF)最大值為0.78V；45V器件的最大正向電壓(VF)為0.61V。
意法半導體總共推出了5款ESCC認證雙共陰極肖特基器件，其中，STPS40A45C是一個(gè)TO-254AA通孔封裝45V/2x20A二極管；STPS80A45C 45V/2x40A、STPS60A150C 150V/2x30A和STPS80A150C 150V/2x40A是SMD.5密封表面貼裝器件。STPS40A150C 150V/2x20A是TO254AA封裝。
新推出的整流二極管是TO-254AA封裝的STTH40200C 200V/2x20A雙二極管，以及SMD1密封貼裝的STTH60200C 200V/2x30A雙二極管和STTH60400 400V/60A單二極管。
意法半導體的新抗輻射整流管和肖特基二極管的表征測試證明，可耐受高達3 Mradf(硅)的電離總劑量(TID)輻射，保證壓降在四個(gè)工作電流值下不退化，因此，多個(gè)不同的電源設計可以共用一種器件，簡(jiǎn)化應用設計。
這些產(chǎn)品在意法半導體法國雷恩工廠(chǎng)制造，采用與意法半導體AEC-Q101汽車(chē)級認證產(chǎn)品相同的平面制造工藝，產(chǎn)品質(zhì)量出色、有保證。意法半導體雷恩工廠(chǎng)制造的航天器件取得了飛行40余年無(wú)失效的成就。
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