安森美半導體擴充應用于工業(yè)電機驅動(dòng)的產(chǎn)品陣容
推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor),繼續擴充用于 工業(yè)電機驅動(dòng)應用 的產(chǎn)品陣容,以進(jìn)一步幫助客戶(hù)解決他們的具體設計挑戰。電機驅動(dòng)系統正隨著(zhù)工業(yè)自動(dòng)化及 機械人 激增。這些系統要求在惡劣工業(yè)環(huán)境中達到高能效、精準的測量、準確的控制及高可靠性。要有效地開(kāi)發(fā)應用于工業(yè)電機驅動(dòng)的半導體,需要先進(jìn)的設計、集成有源和無(wú)源器件的能力、精密的封裝包括基板材料,以及高質(zhì)量和可靠性標準。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202004/412504.htm安森美半導體推出NXH25C120L2C2,NXH35C120L2C2/2C2E和NXH50C120L2C2E,分別為25、35和50安培(A)版本的 轉移成型功率集成模塊(TM-PIM) ,用于1200伏(V)的應用,提供轉換器-逆變器-制動(dòng)(CIB)和轉換器-逆變器(CI)配置版本。這些模塊包括6個(gè)1200 V IGBT、6個(gè) 1600 V 整流器和一個(gè)用于系統級溫度監控的負溫度系數(NTC)熱敏電阻。CIB版本使用一個(gè)附加的1200 V IGBT和一個(gè)二極管。新推出的模塊采用轉移成型封裝,延長(cháng)溫度及功率的循環(huán)壽命。模塊尺寸僅為73 x 40 x 8毫米(mm),具有可焊接引腳,CIB和CI版本均具有一個(gè)標準化的引腳輸出。
公司同時(shí)推出NFAM2012L5B和NFAL5065L4B,擴充了 智能功率模塊(IPM)產(chǎn)品陣容,包括額定電壓650 V和1200 V,以及額定電流10 A至75 A。這些三相逆變器集成了額定短路的溝槽型絕緣門(mén)雙極晶體管(Trench IGBT)、快速恢復二極管、門(mén)極驅動(dòng)器、自舉電路、可選的NTC熱敏電阻和保護,通過(guò)一個(gè)額定2500 Vrms /分鐘的隔離提供緊湊可靠的模塊,獲UL1557認證。這些IPM具有直接鍵合銅基板和低損耗硅的特性,延長(cháng)功率循環(huán)壽命和散熱能力。
通過(guò)片上電流隔離,NCD57000和NCD57001 IGBT門(mén)極驅動(dòng)器 透過(guò)減低系統復雜性實(shí)現緊湊、高效和可靠的門(mén)極驅動(dòng)器設計。這些器件分別提供4 A/6 A供應電流和汲取電流,同時(shí)還集成了去飽和(DESAT)、米勒鉗位、欠壓鎖定(UVLO)保護、使能(Enable)和穩壓VREF。
NCS21871 零漂移運算放大器 以一個(gè)45 μV低輸入偏置電壓提供精確的信號調節,同時(shí)從-40°C至+125°C維持該精度,低輸入偏置漂移為0.4 μV /°C。這些參數使其非常適合用于低邊電流檢測。
NCP730 LDO穩壓器 提供150 mA,輸出電壓精度為±1%,工作輸入電壓范圍從2.7 V至38 V和具有低壓降。集成的軟啟動(dòng)可抑制涌入電流,在過(guò)載情況下提供短路和過(guò)熱保護,使器件非常適合用于工業(yè)自動(dòng)化應用。
更多資源及文檔:
評論