助力“新基建”提速，第三代半導體產(chǎn)業(yè)需“錯位發(fā)展”防泡沫

“新基建”是近期熱詞之一。國家發(fā)改委近日首次明確新型基礎設施的范圍———新型基礎設施是以新發(fā)展理念為引領(lǐng),以技術(shù)創(chuàng )新為驅動(dòng),以信息網(wǎng)絡(luò )為基礎,面向高質(zhì)量發(fā)展需要,提供數字轉型、智能升級、融合創(chuàng )新等服務(wù)的基礎設施體系。

“在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的新基建主要領(lǐng)域中,第三代半導體均可發(fā)揮重要作用?！?北京大學(xué)寬禁帶半導體研究中心沈波教授介紹道,第三代半導體即寬禁帶半導體,以碳化硅和氮化鎵為代表,具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能,是支撐新一代移動(dòng)通信、新能源汽車(chē)、高速軌道列車(chē)、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng )新發(fā)展和轉型升級的重點(diǎn)核心材料和電子元器件。

沈波解釋說(shuō),相比于目前在功率半導體領(lǐng)域依然占主流地位的傳統硅基器件,第三代半導體功率電子器件可使電子和電器設備進(jìn)一步高效化、小型化、智能化。例如,耐高壓、大電流、低損耗的碳化硅基功率電子器件及模塊,可大規模應用于智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域;高效率、小體積、中低壓的氮化鎵基功率電子器件及模塊,則可大規模應用于新一代通用電源,如大數據中心、移動(dòng)通訊基站、物聯(lián)網(wǎng)終端設備的電源,以及手機、筆記本電腦的電源適配器、無(wú)線(xiàn)快充電源等領(lǐng)域,具有巨大技術(shù)優(yōu)勢和市場(chǎng)空間。

其中,第三代半導體射頻電子器件在民用和軍用領(lǐng)域都已實(shí)現規?；瘧?。尤其是,由于具備高頻、高功率、大帶寬的性能優(yōu)勢,氮化鎵射頻電子器件和模塊在5G移動(dòng)通信基站建設中發(fā)揮著(zhù)不可替代的作用,我國5G建設提速,將觸發(fā)對氮化鎵射頻電子器件需求的快速增長(cháng)。

放眼國際,2019年全球半導體產(chǎn)業(yè)整體處于低迷期,但第三代半導體技術(shù)、產(chǎn)品、市場(chǎng)、投資均呈現較高增長(cháng)態(tài)勢,龍頭企業(yè)紛紛加強在第三代半導體領(lǐng)域的布局,通過(guò)調整業(yè)務(wù)領(lǐng)域,擴大產(chǎn)能供給,整合并購,增強競爭能力。相比之下,我國第三代半導體功率電子和射頻電子產(chǎn)業(yè)處于起步階段,已初步形成從材料、器件到應用的全產(chǎn)業(yè)鏈,但整體技術(shù)水平還落后世界頂尖水平3-5年,亟需突破材料、器件、封裝及應用等環(huán)節的核心關(guān)鍵技術(shù)和可靠性、一致性等工程化應用問(wèn)題。

“新基建提速為我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了寶貴機遇,國內市場(chǎng)對第三代半導體材料和器件的需求快速提升,終端應用企業(yè)也在調整供應鏈,扶持國內企業(yè),此前難以進(jìn)入供應鏈的產(chǎn)業(yè)鏈上中游產(chǎn)品將獲得下游用戶(hù)驗證機會(huì ),進(jìn)入多個(gè)關(guān)鍵廠(chǎng)商供應鏈?！?第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展戰略聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)于坤山說(shuō)。

近日發(fā)布的《第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展報告(2019年)》預測,2024年我國第三代半導體電力電子器件應用市場(chǎng)規模將近200億元,未來(lái)5年復合增長(cháng)率超過(guò)40%。

面對難得機遇,于坤山建議,我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)更應腳踏實(shí)地,行穩致遠?！斑^(guò)去幾年政策資源大量?jì)A斜,多地將第三代半導體列為重點(diǎn)支持產(chǎn)業(yè),多措并舉招攬項目,也造成了一些低水平的重復。鑒于此,各地在大力支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展的同時(shí),還需關(guān)注協(xié)調、錯位發(fā)展,做好項目甄別,結合地方已有產(chǎn)業(yè)、人才和資源優(yōu)勢,考慮財政承載力和政策成本收益率,因地制宜配套政策?！?/p>

此外,第三代半導體產(chǎn)業(yè)近兩年市場(chǎng)高速增長(cháng)主要得益于國家對半導體產(chǎn)業(yè)自主化的大力提倡所獲得的資本進(jìn)入,以及碳化硅、氮化鎵器件在新能源汽車(chē)、5G、數據中心等領(lǐng)域的新應用,但當前經(jīng)濟下行導致消費電子、汽車(chē)乃至工業(yè)電機等各類(lèi)產(chǎn)品市場(chǎng)下滑,出口受阻,下游需求萎縮, “行業(yè)應苦練內功,不斷提升產(chǎn)品性能和競爭力,深挖創(chuàng )新性應用,在拓展增量市場(chǎng)的同時(shí)不斷擴展在存量市場(chǎng)的滲透率,促進(jìn)第三代半導體產(chǎn)業(yè)良性、可持續發(fā)展,同時(shí)還要面對‘為搶占先機超前投入,但市場(chǎng)的啟動(dòng)往往低于預期’這一矛盾,把握好產(chǎn)業(yè)發(fā)展的節奏?！庇诶ど綇娬{。