LPDDR5內存韓美企業(yè)“三雄爭霸”，中國進(jìn)展如何？

然而，新技術(shù)的誕生往往意味著(zhù)產(chǎn)能爬坡、良率問(wèn)題，反饋到市場(chǎng)上即采購成本較高?？梢哉f(shuō)，手機廠(chǎng)商將無(wú)法回避采購價(jià)格和性能提升之間的矛盾。雷軍也曾表示，“LPDDR5唯一缺點(diǎn)就是成本比較貴”。但預計過(guò)一段時(shí)間也會(huì )降到合理水平，并下沉至更多中高端5G智能手機中。

中國公司進(jìn)展如何？

在LPDDR5將成“5G時(shí)代旗艦標配”背后，三星、美光、SK海力士不僅走在存儲芯片技術(shù)前沿，擁有大量專(zhuān)利，而且市場(chǎng)占有率總計接近95%。而國內相關(guān)技術(shù)積累較薄弱，自給能力不足。賽迪數據顯示，2018年中國大陸進(jìn)口存儲芯片價(jià)值已超1200億美元，同比增38.3%。

DRAMeXchange數據截圖

突圍存儲行業(yè)成為國家戰略議題。2014年6月，國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，開(kāi)始集中力量發(fā)展存儲芯片等。在布局的三大基地中，武漢新芯于2016年7月被紫光集團收購，后更名為長(cháng)江存儲。該公司擁有規模為240億美元的存儲芯片制造中心，但主要是NAND閃存。

與長(cháng)江存儲不同，福建晉華成立初期致力于DRAM存儲芯片開(kāi)發(fā)。不過(guò)，由于相對缺乏技術(shù)積累，晉華選擇了與臺灣聯(lián)電合作引進(jìn)技術(shù)的道路。自2016年5月起，晉華提供數億美元資金采購研發(fā)設備，委托聯(lián)電開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)。成果雙方共有，整體技術(shù)完成后，再轉移到晉華進(jìn)行量產(chǎn)。

在晉華已整體投入達約56億美元時(shí)，原本預計于2018年底投入DRAM內存的試產(chǎn)，這將意味著(zhù)中國大陸首個(gè)DRAM內存自制成功。但是由于美光公司的訴訟，美國政府在2018年10月將晉華列入“實(shí)體名單”，并實(shí)行禁運。隨后聯(lián)電宣布中止與晉華合作，撤走研發(fā)人員，整個(gè)工程陷入停擺至今。

在國際新態(tài)勢下，紫光集團于去年6月宣布重啟DRAM計劃并組建DRAM事業(yè)群，由曾任工信部電子信息司司長(cháng)的刁石京出任董事長(cháng)，“臺灣DRAM教父”高啟全任DRAM事業(yè)群CEO。不到兩個(gè)月后，紫光集團在重慶成立紫光國芯公司，建設DRAM存儲芯片制造工廠(chǎng)，計劃2021年完成。

上圖：高啟全，下圖：坂本幸雄

存儲行業(yè)人才是“瑰寶”。紫光集團于2019年11月15日再宣布，前日本爾必達社長(cháng)坂本幸雄出任集團高級副總裁兼日本分公司CEO。他后來(lái)在接受采訪(fǎng)時(shí)曾表示，紫光的目標是5年內量產(chǎn)DRAM內存，且將在日本設立開(kāi)發(fā)中心。據悉，紫光內部已計劃在未來(lái)十年內投資8000億元人民幣，以加快DRAM量產(chǎn)。

目前，國內DRAM內存的最大希望在于合肥長(cháng)鑫存儲。去年9月20日，長(cháng)鑫存儲在世界制造業(yè)大會(huì )上宣布：總投資約1500億元的長(cháng)鑫存儲內存芯片項目正式投產(chǎn)，同時(shí)其10nm級第一代8Gb DDR4在大會(huì )上首度亮相。這標志我國在DRAM內存芯片領(lǐng)域實(shí)現量產(chǎn)技術(shù)突破。

據悉，長(cháng)鑫存儲正在使用10G1工藝技術(shù)（即19nm工藝）制造4GB和8GB的DDR4內存芯片，目標是在2020年第一季度上市，并將使用同樣的技術(shù)在2020年下半年制造 LPDDR4X內存。長(cháng)鑫存儲的技術(shù)路線(xiàn)圖包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內存，但尚未公布具體時(shí)間。

在產(chǎn)能方面，長(cháng)鑫存儲12英寸晶圓制造基地項目于2016年由合肥產(chǎn)投和北京兆易創(chuàng )新(341.130, 14.06, 4.30%)合作投資，是中國大陸唯一擁有完整技術(shù)、工藝和生產(chǎn)運營(yíng)團隊的DRAM項目，也是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目。當前月產(chǎn)能2萬(wàn)片，該公司計劃在2020年第二季度將產(chǎn)能提高一倍，約占全球內存產(chǎn)能的3%。

為提升產(chǎn)能，長(cháng)鑫存儲計劃再建兩座晶圓廠(chǎng)，圖為廠(chǎng)房效果圖

圖源：長(cháng)鑫存儲

值得一提，長(cháng)鑫存儲最初的DRAM技術(shù)重要來(lái)源是德國的奇夢(mèng)達。通過(guò)與這家曾位居全球第二的DRAM制造商合作，長(cháng)鑫存儲將一千多萬(wàn)份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數據收歸囊中。目前，該公司已拓展更廣泛的研發(fā)合作，且一直在從韓國和中國臺灣地區招募工程師，以建立DRAM相關(guān)人才儲備。

結語(yǔ)

相比前代產(chǎn)品LPDDR4x，LPDDR5確實(shí)具備更優(yōu)異的性能、速率和功耗表現，但還不至于所謂的“跨越性升級換代”。某種程度上，LPDDR4屬于4G手機時(shí)代，而LPDDR5似乎為5G手機而生，并且具備更好的應用擴展性。在這一具備市場(chǎng)前景的領(lǐng)域，三星、美光和SK海力士已然開(kāi)始攻城略地，并將與“買(mǎi)單”的智能手機廠(chǎng)商相互推動(dòng)或拉鋸。

2019年8月27日，重慶市與紫光集團簽署項目合作協(xié)議，建設DRAM存儲芯片制造工廠(chǎng)

鑒于當前國際形勢和存儲行業(yè)現狀，中國不僅需要有自主的DRAM制造能力，也需要奮起直追、以先進(jìn)產(chǎn)品破局。盡管行業(yè)存在高投入、高風(fēng)險、周期長(cháng)等特性，但如果政府統籌發(fā)展、整合各方資源，企業(yè)堅持長(cháng)期、大力投入科研，市場(chǎng)積極推進(jìn)國產(chǎn)化戰略等方面有機化合，或許有理由相信：在14億人的大地上并無(wú)難事，“只要肯登攀”。