國產(chǎn)14nm爆發(fā)：產(chǎn)能年底提升400% 或年內試產(chǎn)7nm

作為中國半導體行業(yè)最薄弱但也是最重要的環(huán)節，芯片工藝一直是國內的痛點(diǎn)，所以國內最大的晶圓代工廠(chǎng)中芯國際任重而道遠。此前中芯國際已經(jīng)表態(tài)14nm工藝已經(jīng)試產(chǎn)，今年就會(huì )迎來(lái)一輪爆發(fā)，年底的產(chǎn)能將達到目前的3-5倍，同時(shí)今年內還有可能試產(chǎn)更先進(jìn)的7nm工藝。

中芯國際的14nm工藝從2015年開(kāi)始研發(fā)，已經(jīng)進(jìn)行了多年，在2019年就已經(jīng)解決技術(shù)問(wèn)題了，之前有報道援引中芯國際高管的表態(tài)，稱(chēng)14nm工藝的良率已經(jīng)達到了95%，技術(shù)成熟度還是很不錯的。

不過(guò)良率達標之后，大規模量產(chǎn)還是個(gè)一道坎，這個(gè)過(guò)程需要有14nm工藝客戶(hù)的支持，精英代工是看客戶(hù)需求的，客戶(hù)需求高，產(chǎn)能才有可能建設的更大。在這一點(diǎn)上，中芯國際相比臺積電、三星是有劣勢的，后兩家的14nm同級工藝都已經(jīng)過(guò)了折舊期了，成本優(yōu)勢明顯，中芯國際只能依靠國內的客戶(hù)。

截至2019年底，中芯國際的14nm產(chǎn)能據悉只有3000到5000晶圓/月，不過(guò)2020年14nm產(chǎn)能會(huì )增長(cháng)很快，年底的時(shí)候將達到15000片晶圓/月，是目前的3-5倍，最多能增長(cháng)400%。

14nm之后還有改進(jìn)型的12nm FinFET工藝，根據中芯國際之前介紹，該工藝相比14nm晶體管尺寸進(jìn)一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯誤率降低20%，預計今年上半年就會(huì )貢獻收入。

再往后中芯國際表示還會(huì )有N+1及N+2代FinFET工藝，其中今年內有望小規模量產(chǎn)N+1代工藝。

只是中芯國際沒(méi)有明確這里的N指代的是哪種工藝，考慮到他們很有可能會(huì )跳過(guò)10nm工藝節點(diǎn)，那么N+1代應該就是7nm節點(diǎn)了，意味著(zhù)我們今年就有可能看到國產(chǎn)的7nm工藝。

即便中芯國際不跳過(guò)10nm節點(diǎn)，那么今年國內的工藝也能追趕到10nm節點(diǎn)，跟臺積電、三星還是會(huì )落后一到兩代，但是已經(jīng)足夠先進(jìn)了。