國產(chǎn)雄起！合肥長(cháng)鑫19nm DRAM內存芯片產(chǎn)能增加

存儲器產(chǎn)品占到了我國每年進(jìn)口半導體芯片中的大頭，其中DRAM內存芯片占比最高，有20%以上。

最新報道稱(chēng)，合肥長(cháng)鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的產(chǎn)能，目標是月產(chǎn)4萬(wàn)片晶圓。

在9月份開(kāi)幕的201 9世界制造業(yè)大會(huì )上，合肥長(cháng)鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長(cháng)鑫內存芯片自主制造項目投產(chǎn)，將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代10nm級8Gb DDR4內存。

長(cháng)鑫存儲董事長(cháng)兼首席執行官朱一明介紹，投產(chǎn)的8Gb DDR4通過(guò)了多個(gè)國內外大客戶(hù)的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。

據悉，長(cháng)鑫的DRAM技術(shù)主要來(lái)自已經(jīng)破產(chǎn)的奇夢(mèng)達，包括將后者一千多萬(wàn)份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數據收歸囊中。